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SiN_x薄膜中硅纳米粒子的制备及表征

无机材料学报 2011年第8期26卷 802-806页

作者：姜礼华曾祥斌张笑曾瑜华中科技大学电子科学与技术系武汉430074

通过等离子增强化学气相沉积(PECVD)法,以氨气和硅烷为反应气体,P型单晶硅和石英为衬底,低温下(200℃)制备了含硅纳米粒子的非化学计量比氮化硅(SiNx)薄膜.经高温(范围500～950℃)退火处理优化了薄膜结构.室温下测试了不同温度退火后含... 详细信息

通过等离子增强化学气相沉积(PECVD)法,以氨气和硅烷为反应气体,P型单晶硅和石英为衬底,低温下(200℃)制备了含硅纳米粒子的非化学计量比氮化硅(SiNx)薄膜.经高温(范围500～950℃)退火处理优化了薄膜结构.室温下测试了不同温度退火后含硅纳米粒子SiNx薄膜的拉曼(Raman)光谱、光致发光(PL)光谱及傅立叶变换红外吸收(FTIR)光谱,对薄膜材料的结构特性、发光特性及其键合特性进行了分析.Raman光谱表明.SiNx薄膜内的硅纳米粒子为非晶结构.PL光谱显示两条与硅纳米粒子相关的光谱带,随退火温度的升高此两光谱带峰位移动方向相同.当退火温度低于800℃时,PL光谱峰位随退火温度的升高而蓝移.当退火温度高于800℃时,PL光谱峰位随退火温度的升高而红移.通过SiNx薄膜的三种光谱分析发现薄膜的光致发光源于硅纳米粒子的量子限制效应.这些结果对硅纳米粒子制备工艺优化和硅纳米粒子光电器件的应用有重要意义.

关键词：硅纳米粒子 SiNx薄膜量子限制效应

LiH晶体中离子间多体相互作用与高压下状态方程研究

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物理学报 2008年第7期57卷 4412-4416页

作者：姜礼华刘福生田春玲西南交通大学高压物理实验室成都610031 西南大学物理系重庆400715

在计算LiH晶体结合能时,将离子间多体关联效应和离子压缩效应当作两个独立的物理机理同时引入晶体能量表达式,未引入可调参数而直接计算电子交换能.结果表明多体交换关联效应对体系的常压和高压特性都具有显著影响.当考虑最邻近和次邻... 详细信息

在计算LiH晶体结合能时,将离子间多体关联效应和离子压缩效应当作两个独立的物理机理同时引入晶体能量表达式,未引入可调参数而直接计算电子交换能.结果表明多体交换关联效应对体系的常压和高压特性都具有显著影响.当考虑最邻近和次邻近离子贡献时,等温状态方程的计算结果与实验观测数据在0—90GPa压力范围相一致.

关键词： LiH晶体状态方程多体交换作用

兴产业,解民忧--作水县曹坪镇东沟村驻村工作队助农致富

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金秋 2022年第19期 39-40页

作者：吴履山姜礼华不详

近年来,作水县曹坪镇东沟村驻村工作队抢抓脱贫攻坚同乡村振兴有效衔接机遇期,立足村情民意工作实际,坚持以访民情、兴产业、帮致富、解民忧这个中心不放松,锚定年度帮扶目标工作任务,抓重点、强基础、兴产业、破难点、创亮点,凝聚全村... 详细信息

近年来,作水县曹坪镇东沟村驻村工作队抢抓脱贫攻坚同乡村振兴有效衔接机遇期,立足村情民意工作实际,坚持以访民情、兴产业、帮致富、解民忧这个中心不放松,锚定年度帮扶目标工作任务,抓重点、强基础、兴产业、破难点、创亮点,凝聚全村力量谋发展,聚焦遗留间题抓整改,一心一意谋发展。

关键词：乡村振兴脱贫攻坚有效衔接东沟村机遇期谋发展助农

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氢化锂高压状态方程及导电性研究

氢化锂高压状态方程及导电性研究

作者：姜礼华西南交通大学

学位级别：硕士

氢化锂是一种重要的热核燃料和未来的潜在能源材料,而且电子结构简单易于理论计算,因此LiH晶体及其同位素化合物在高压下各种物理特性的理论和实验研究受到人们高度关注。但以往的状态方程理论计算结果与最新实验数据之间的一致性并不... 详细信息

氢化锂是一种重要的热核燃料和未来的潜在能源材料,而且电子结构简单易于理论计算,因此LiH晶体及其同位素化合物在高压下各种物理特性的理论和实验研究受到人们高度关注。但以往的状态方程理论计算结果与最新实验数据之间的一致性并不令人满意。文献中的状态方程实验数据主要来自静高压实验,冲击波压缩实验数据公开报道很少,特别是氢化锂冲击压缩下的冲击辐射、冲击温度及其电阻率更很少见到。本文开展了以下工作: 建立了一个物理图像清晰的离子多体关联-压缩模型,它在处理离子间的交换作用势上较其它方法更具优势,这种方法对于计算LiH晶体的状态也更加可靠。由该模型计算给出的LiH晶体的零温高压状态方程与最新静高压实验数据在0-90Gpa压力范围内相吻合,这表明我们建立的模型反映了LiH晶体在高压下的粒子相互作用规律,为进一步研究更高压力下LiH状态方程提供了一种可靠的理论依据;以二级轻气炮为加载手段,测量了疏松度为97%的氢化锂材料在冲击压缩下的辐射特征并用辐射法测量了它的冲击温度。测量色温结果与热力学温度的理论计算值相比,两者偏差较大。分析认为这种偏差可能是由于疏松非均质材料受冲击压缩后在体内形成大量缺陷或局部熔融区发光所致;测量了疏松非均质氢化锂材料在冲击压缩下的冲击电阻率。发现氢化锂样品在35-87GPa压力冲击压缩下的电阻率数量级范围是10→10Ω·cm,与所谓的半导体在同一个数量级上。尽管目前对其导电机理尚不清楚,但本文测量结果对了解其结构相变,绝缘体-金属相变及其可逆性,以及导电机理等可以提供重要的实验信息。

关键词：多体关联压缩模型相变状态方程辐射温度电阻率

高温退火处理下SiN_x薄膜组成及键合结构变化

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物理学报 2012年第1期61卷 373-378页

作者：姜礼华曾祥斌张笑华中科技大学电子科学与技术系武汉430074

采用等离子增强化学气相沉积法,以氨气和硅烷为反应气体,p型单晶硅为衬底,低温下(200℃)制备了非化学计量比氮化硅(SiN_x)薄膜.在N_2氛围中,于500-1100℃范围内对薄膜进行热退火处理.室温下分别使用Fourier变换红外吸收(FTIR)光谱技术和... 详细信息

采用等离子增强化学气相沉积法,以氨气和硅烷为反应气体,p型单晶硅为衬底,低温下(200℃)制备了非化学计量比氮化硅(SiN_x)薄膜.在N_2氛围中,于500-1100℃范围内对薄膜进行热退火处理.室温下分别使用Fourier变换红外吸收(FTIR)光谱技术和X射线光电子能谱(XPS)技术测量未退火以及退火处理后SiN_x薄膜的Si-N,si-H,N-H键键合结构和si 2p,N 1_s电子结合能以及薄膜内N和si原子含量比值R的变化.详细讨论了不同温度退火处理下SiN_x薄膜的FHR和XPS光谱演化同薄膜内Si,N,H原子间键合方式变化之间的关系.通过分析FTIR和XPS光谱发现退火温度低于800℃时,SiN_x薄膜内Si-H和N-H键断裂后主要形成si-N键;当退火温度高于800℃时薄膜内Si-H和N-H键断裂利于N元素逸出和si纳米粒子的形成;当退火温度达到1100℃时N_2与SiN_x薄膜产生化学反应导致薄膜内N和Si原子含量比值R增加.这些结果有助于控制高温下SiN_x薄膜可能产生的化学反应和优化SiN_x薄膜内的Si纳米粒子制备参数.

关键词： SiN_x薄膜 Fourier变换红外吸收光谱 X射线光电子能谱键合结构

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硅/锗量子点空间分布的有序性及其制备技术

硅酸盐通报 2015年第7期34卷 1871-1877,1890页

作者：姜礼华谭新玉肖婷向鹏三峡大学材料与化工学院宜昌443002

随着纳米技术的进步,量子点纳米材料在理论和实验研究方面受到越来越多的关注。由于量子点阵列优异的物理性能与其空间分布的有序性十分相关,空间分布有序量子点阵列的大面积重复性制备已成为高性能纳米光电子器件商业化应用的关键。近... 详细信息

随着纳米技术的进步,量子点纳米材料在理论和实验研究方面受到越来越多的关注。由于量子点阵列优异的物理性能与其空间分布的有序性十分相关,空间分布有序量子点阵列的大面积重复性制备已成为高性能纳米光电子器件商业化应用的关键。近几十年来,在量子点空间排列分布有序性的提高、缺陷态的减少、成核位置可控以及大面积重复制备方面人们已做了大量研究。本文主要讨论和综述当前在制备空间分布有序硅/锗(Si/Ge)量子点方面的技术工艺和成果,并展望其未来技术发展思路和方向,希望为今后进一步探索研究大面积空间分布有序Si/Ge量子点阵列的制备提供信息参考。

关键词： Si/Ge量子点空间分布有序多层膜结构图案化衬底

AP1000核电站压力变送器毛细管压力试验及清洁探索

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内燃机与配件 2018年第15期 220-222页

作者：姜礼华中国核工业第五建设有限公司三门核电工程施工总承包部上海201500

三门核电一期工程采用AP1000核电技术,仪表是控制和检测机组运行的重要设备之一,其中核级仪表——带毛细管压力变送器用于检测反应堆厂房屏蔽墙内外气压,安装要求较高,需要对毛细管进行现场焊接,安装完成后通过压力试验、氦检漏试验来... 详细信息

三门核电一期工程采用AP1000核电技术,仪表是控制和检测机组运行的重要设备之一,其中核级仪表——带毛细管压力变送器用于检测反应堆厂房屏蔽墙内外气压,安装要求较高,需要对毛细管进行现场焊接,安装完成后通过压力试验、氦检漏试验来检测毛细管密封性,且氦气泄漏率小于等于10-8cc/sec,这是整个仪表安装过程中的难点。本文主要阐述仪表毛细管压力试验、氦检漏试验、毛细管内部清洁的过程和方法。

关键词：毛细管压力试验氦检漏试验

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a-SiCx:H薄膜内碳量子点的探索制备

a-SiCx:H薄膜内碳量子点的探索制备

2021全国太阳能电池材料器件与技术大会

作者：姜礼华三峡大学

碳量子点(CQDs)是一种新型碳基纳米材料,由于强烈的量子限制效应,碳量子点已展现出优异的光学特性和能隙可调性。此外,同传统半导体量子点(如金属氧化物或金属硫化物等纳米晶)和有机染料相比,它还具有低毒性、高稳定性、优异的水溶性、...

碳量子点(CQDs)是一种新型碳基纳米材料,由于强烈的量子限制效应,碳量子点已展现出优异的光学特性和能隙可调性。此外,同传统半导体量子点(如金属氧化物或金属硫化物等纳米晶)和有机染料相比,它还具有低毒性、高稳定性、优异的水溶性、生物相容性、发光稳定性以及较高的电导等良好理化特性。因此碳量子点可作为一种优秀的纳米光学和纳米电子材料,在燃料电池、光伏器件、柔性光电子器件、催化、生物影像、污染检测以及发光二极管等领域有较好的应用。

关键词：

来源： cnki会议评论

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浅析热力学统计物理中近独立粒子的三种分布

浅析热力学统计物理中近独立粒子的三种分布