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Te对Mg_2Si基化合物结构和热电传输性能的影响
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硅酸盐学报 2002年 第5期30卷 550-553页
作者: 姜洪义 张联盟 武汉理工大学材料科学与工程学院 武汉430070 武汉理工大学材料复合新技术国家重点实验室 武汉430070
采用固相反应法在 82 3K温度下分别制备出了掺入 0 .1%和 0 .4%Te(摩尔分数 ,下同 )的Mg2 Si化合物 ,并对掺Te对化合物结构和热电特性的影响进行了研究。结果表明 :通过对Mg2 Si基体的掺杂可以大幅度提高Mg2 Si基热电材料的整体热电性... 详细信息
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高温固相法制备硅酸盐长余辉发光材料
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硅酸盐学报 2006年 第9期34卷 1154-1157页
作者: 姜洪义 徐博 武汉理工大学材料科学与工程学院硅酸盐材料工程教育部重点实验室 武汉430070
使用碳还原法和气体还原法制备硅酸盐长余辉材料,探讨了不同铕、镝含量,不同硼含量,烧成方式和二氧化硅粒径对样品余辉性能的影响。结果表明:硅酸盐长余辉材料中硼含量的提高可有效降低烧成温度,但发光性能也随之下降。不同铕、镝含量... 详细信息
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合成制度对白光LED用硅酸盐Sr_2SiO_4:Eu荧光粉发光性能的影响
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硅酸盐学报 2010年 第3期38卷 446-450页
作者: 姜洪义 胡丹 姬同坤 武汉理工大学材料科学与工程学院 武汉430070
采用高温固相法合成用于白光发光二极管(light-emitting diode,LED)发光的Sr2SiO4:Eu荧光粉,测量Eu2+掺杂0.0035mol时样品的激发与发射光谱,研究荧光粉在不同合成温度、不同保温时间的荧光光谱及在不同激发波长激发的发光性能。用X射线... 详细信息
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MPB超早强混凝土修补材料的研究
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建筑材料学报 2001年 第2期4卷 196-198页
作者: 姜洪义 梁波 张联盟 武汉理工大学材料科学与工程学院 湖北武汉430070
MPB混凝土修补材料是由过烧MgO粉料、NH4H2 PO4粉料及调凝材料配制而成的 ,它具有快硬高强、与旧混凝土粘结牢固等优异性能 .对MPB凝结时间、强度的主要影响因素、MPB与混凝土的粘结性能以及MPB的水化动力学特征进行了探讨 .
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Y_2O_2S:Eu,Mg,Ti,Gd红色长余辉发光材料的热稳定性
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发光学报 2011年 第2期32卷 122-126页
作者: 姬同坤 姜洪义 武汉理工大学材料科学与工程学院 湖北武汉430070
采用高温固相法制备了Y2O2S∶Eu,Mg,Ti,Gd红色长余辉材料,研究了热处理工艺对材料稳定性的影响。用X射线衍射表征该材料的相组成,用激发光谱、发射光谱、余辉亮度对材料的发光性能进行表征。结果表明:热处理温度在600℃以下时,材料的发... 详细信息
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ZnO对硫硒化镉量子点玻璃发光性能的影响
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发光学报 2017年 第9期38卷 1155-1160页
作者: 罗婷 姜洪义 杨禹亭 武汉理工大学材料科学与工程学院 湖北武汉430070
以CdS、Se、Zn粉和玻璃基质为原料,采用高温熔融法制备了CdS_xSe_(1-x)量子点硅酸盐玻璃,研究了ZnO含量对CdS_xSe_(1-x)量子点发光玻璃微观结构及发光性能的影响。结果表明:ZnO对CdS_xSe_(1-x)量子点玻璃的发光性能有显著的影响,紫外-... 详细信息
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外加剂对镁水泥氯离子溶出率的影响
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武汉理工大学学报 2010年 第18期32卷 37-40页
作者: 姜洪义 陈常明 武汉理工大学材料科学与工程学院 武汉430070
测定了掺加不同外加剂并养护至一定龄期的镁水泥试件在浸水24 h后的氯离子溶出率,并在人工气候箱中观察了对应试件的吸潮返卤情况;研究表明,无机化学外加剂和矿物掺合料均在不同程度上抑制氯离子从试件溶出,而且掺量越大,抑制效果越明显... 详细信息
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SPS法制备Bi2Te3基热电合金的热电性能
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功能材料 2009年 第1期40卷 40-42页
作者: 王晓琳 姜洪义 任卫 武汉理工大学材料学院 湖北武汉430070 钢铁研究总院 北京100081
用粉末冶金工艺结合SPS烧结制备了p型(Bi0.2Sb0.8)2Te3和n型Bi2(Te0.975Se0.025)3多晶半导体合金,研究烧结工艺对其热电性能的影响。结果表明,室温下,p型(Bi0.2Sb0.8)2Te3材料的热电优值Z为3.25×10-3K-1,n型Bi2(Te0.975Se0.025)3材料... 详细信息
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Mg-Si基热电材料量子化学计算
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计算物理 2004年 第5期21卷 439-442页
作者: 姜洪义 刘琼珍 张联盟 闵新民 武汉理工大学材料学院 湖北武汉430070
 对于掺杂合适的元素Sb,Te,Ag,Cu使得Mg Si基热电材料的热电性能大幅度提高的实验事实,欲从理论和计算上寻求支持,试图从原子、分子的层次上对此现象作出解释,因此建立了简化的Mg2Si量子化学计算模型,采用密度泛函离散变分Xα量子化学... 详细信息
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Bi_2Te_3基半导体合金的结构与性能
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武汉理工大学学报 2010年 第19期32卷 5-7页
作者: 王晓琳 姜洪义 武汉理工大学材料科学与工程学院 武汉430070
采用粉末热挤压的方式制备出了n型Bi2Te3基块体材料,研究了烧结工艺对其微观结构、力学性能和热电性能的影响。结果表明,与区熔单晶相比热挤压试样的力学性能有了较大提高,挤压温度的提高有利于试样力学性能的改善,挤压温度为400℃时试... 详细信息
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