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环糊精修正光谱法检测驱油阴离子表面活性剂复配体系

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环糊精修正光谱法检测驱油阴离子表面活性剂复配体系

作者：姜怡长江大学

学位级别：硕士

周边命运共同体视域下中国面向南亚的战略传播研究

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湖北大学学报（哲学社会科学版） 2024年第3期51卷 150-158页

作者：邓惟佳姜怡安上海外国语大学卓越学院上海200083 上海外国语大学新闻传播学院上海200083

南亚地区是我国构建周边命运共同体的重要组成部分,但认同困境与结构性矛盾成为了中国地区战略实施的现实挑战。为此,亟需基于外交政策、国际关系和南亚的政治文化背景,以构建周边命运共同体为研究框架,从传播的对象、主体、内容、场景... 详细信息

南亚地区是我国构建周边命运共同体的重要组成部分,但认同困境与结构性矛盾成为了中国地区战略实施的现实挑战。为此,亟需基于外交政策、国际关系和南亚的政治文化背景,以构建周边命运共同体为研究框架,从传播的对象、主体、内容、场景和话语等方面精准构建面向南亚的战略传播体系,提升中国在南亚地区的国家形象认知,从而推动中国—南亚周边命运共同体的发展。具体来说,在政治经济政策之外,通过面向青年群体、构建多元主体、丰富传播场景、增进话语共情等方面的战略传播可以为凝聚共识、超越分歧、推动周边命运共同体建设在南亚地区的落地提供支撑。

关键词：周边命运共同体战略传播南亚国际传播周边传播

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7075铝合金/DC51D+Z镀锌钢CMT熔钎焊接头的界面显微组织及力学性能研究

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热加工工艺 2024年

作者：李坊平比亚迪汽车工业有限公司哈尔滨工业大学材料科学与工程学院

基于CMT方法对DC51D+Z镀锌钢和7075铝合金进行熔钎焊接试验，借助金相显微镜、扫描电镜、能谱仪（EDS）、拉伸试验机等设备，研究工艺参数对界面化合物生长及接头力学性能的影响，并对钎料在镀锌钢表面的铺展行为及界面冶金反应机理进... 详细信息

基于CMT方法对DC51D+Z镀锌钢和7075铝合金进行熔钎焊接试验，借助金相显微镜、扫描电镜、能谱仪（EDS）、拉伸试验机等设备，研究工艺参数对界面化合物生长及接头力学性能的影响，并对钎料在镀锌钢表面的铺展行为及界面冶金反应机理进行分析与探讨。结果表明：在钎焊界面层形成了厚度5～8μm的Fe2Al5和FeAl3金属间化合物层；钢板表面的镀锌层在电弧加热条件下形成了“瞬时液膜”，从而显著改善了液态钎料的润湿铺展性能。随着送丝速度的增加，接头最大拉伸力呈现出先升高后减小的趋势，当送丝速度为5 m/min时，拉伸力达到峰值2850 N，接头效率为86.9%。

关键词：异种金属 CMT焊接显微组织力学性能界面化合物

7075铝合金/DC51D+Z镀锌钢CMT熔钎焊接头的界面显微组织及力学性能

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热加工工艺 2024年 31-35页

作者：李坊平比亚迪汽车工业有限公司哈尔滨工业大学材料科学与工程学院

关键词：异种金属 CMT焊接显微组织力学性能界面化合物

WTO视角下美国《通胀削减法案》补贴法律问题研究

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WTO视角下美国《通胀削减法案》补贴法律问题研究

作者：王坊上海师范大学

学位级别：硕士

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基于Ni基催化剂的乳酸电氧化研究

基于Ni基催化剂的乳酸电氧化研究

作者：陈胤坊电子科技大学

学位级别：硕士

水下结构体俯仰运动对其水压场影响的数值分析

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船舶力学 2024年第10期28卷 1541-1558页

作者：李学智李松张揽月张姜怡荆晨轩哈尔滨工程大学水声工程学院哈尔滨工程大学水声技术重点实验室海洋信息获取与安全工信部重点实验室(哈尔滨工程大学) 工业和信息化部

为研究水下结构体俯仰与平动耦合运动对其水压场的影响，利用势流理论分析结构体耦合运动的水压场，并借助重叠网格技术分别对结构体在平动、存在攻角的平动、俯仰运动、俯仰平动耦合四种运动状态下的水压场进行分析。以不同轴长比的椭... 详细信息

为研究水下结构体俯仰与平动耦合运动对其水压场的影响，利用势流理论分析结构体耦合运动的水压场，并借助重叠网格技术分别对结构体在平动、存在攻角的平动、俯仰运动、俯仰平动耦合四种运动状态下的水压场进行分析。以不同轴长比的椭圆型结构为研究对象，分析不同振荡角速度下的水压场。结果表明，椭圆型结构的俯仰运动会使水压场曲线的负压峰随时间变化产生偏移，俯仰振荡的角度越大，负压峰偏移的程度也越大。此外，椭圆型结构的轴长比也会影响曲线的偏移程度。椭圆型结构的俯仰振荡引起的水压场的频谱具有一个甚低频谱峰，该谱峰峰值对应的频率与椭圆型结构振荡的频率一致。

关键词：水压场椭圆俯仰运动重叠网格

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高压SiC器件HCT型隔离取能装置的耦合电容特性和抑制方法研究

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电工技术学报 2024年

作者：潘建宇唐海博姜怡付孝杰闫升输变电装备技术全国重点实验室(重庆大学) 国家储能技术产教融合创新平台(重庆大学)

高压碳化硅（SiC）器件驱动电路的隔离电源面临更高的dv/dt冲击，极易引起强共模干扰而导致器件失效。高频电流互感器（HCT）型取能是一种新型高压SiC器件隔离取能方法，但是其耦合电容与结构参量关联特性不清，难以有效提升抗dv/dt性... 详细信息

高压碳化硅（SiC）器件驱动电路的隔离电源面临更高的dv/dt冲击，极易引起强共模干扰而导致器件失效。高频电流互感器（HCT）型取能是一种新型高压SiC器件隔离取能方法，但是其耦合电容与结构参量关联特性不清，难以有效提升抗dv/dt性能和实现小型化。该文首先构建了HCT型隔离取能结构的三维仿真模型，系统性探究了其关键结构参量（隔离距离、偏心位置、绕组绕制方式、匝数等）对耦合电容的影响特性；然后，提出了HCT型取能结构多参量影响下的耦合电容优化方法，同等体积下达到耦合电容最小；最后，通过实验验证了所述方法和所研装置的有效性。结果表明，仅通过调整HCT型隔离取能结构穿心位置可降低约20%的耦合电容，所研取能装置隔离容值仅为0.74 pF，比传统设计和同类商品分别降低了55%和70%，最大无局部放电电压达到15.5 kV。

关键词：高压SiC器件隔离取能装置低耦合电容电流互感器