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As在Co/Ti/Si三元固相反应中的分凝效应

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物理学报 1993年第11期42卷 1800-1805页

作者：刘平周祖尧林成鲁邹世昌李炳宗孙臻中国科学院上海冶金研究所离子束开放研究实验室上海200050 复旦大学电子工程系上海200433

在注入As的Si表面上,采用离子束溅射淀积Co/Ti双层金属膜。在氮气氛下对 Co/Ti/Si进行多步热处理,研究As原子在Co/Ti/Si三元固相反应过程中的行为。实验采用背散射技术测量As原子在反应各阶段中的分布。结果表明,随着反应形成TiN(O)/Co-... 详细信息

在注入As的Si表面上,采用离子束溅射淀积Co/Ti双层金属膜。在氮气氛下对 Co/Ti/Si进行多步热处理,研究As原子在Co/Ti/Si三元固相反应过程中的行为。实验采用背散射技术测量As原子在反应各阶段中的分布。结果表明,随着反应形成TiN(O)/Co-Ti-Si/CoSi_2/Si多层薄膜结构,一部分Si衬底中的As原子被分凝出来,向表面运动,并聚集在Co-Ti-Si三元硅化物中。对As原子的这一再分布行为进行了讨论。

关键词：固相反应砷分凝硅化物

低能Si+离子注入GaAs材料的沟道效应和射程分布

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Journal of Semiconductors 1993年第4期 217-223页

作者：江炳尧,沈鸿烈,周祖尧,夏冠群中国科学院上海冶金所离子束开放实验室中国科学院上海冶金所离子束开放实验室中国科学院上海冶金所离子束开放实验室中国科学院上海冶金所第四研究室上海 200050 上海 200050 上海 200050 上海 200050

本文采用蒙特卡洛方法模拟低能Si+离子注入GaAs单晶的力学运动,以此考察了低指数轴沟道,高指数轴沟道和平面沟道的沟道效应对射程分布的影响。模拟计算和实验结果都表明,当入射角为传统的7°时确实存在着沟道效应。使射程分布偏离高斯分... 详细信息

本文采用蒙特卡洛方法模拟低能Si+离子注入GaAs单晶的力学运动,以此考察了低指数轴沟道,高指数轴沟道和平面沟道的沟道效应对射程分布的影响。模拟计算和实验结果都表明,当入射角为传统的7°时确实存在着沟道效应。使射程分布偏离高斯分布,即所谓的分布拖尾。当入射角大于三倍的沟道临界角同时避开沟道效应较强的高指数轴沟道和平面沟道,射程分布相当接近于入射无定形GaAs的射程分布,本文的研究结果为采用低能Si+离子（E≤30keV）注入GaAs制备浅结的工艺提供了理论依据。

关键词：轴沟低指数沟道效应离子对模拟计算临界角平面沟道 GaAs 离子注入离子掺杂 Si

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离子束增强沉积氮化硅薄膜生长及其性能研究

Journal of Semiconductors 1989年第6期10卷 457-462页

作者：柳襄怀薛滨郑志宏周祖尧邹世昌中国科学院上海冶金研究所离子束开放实验室

用离子束增强沉积技术合成了氮化硅薄膜并研究了薄膜的组分、性能和结构.结果表明,离子束增强沉积生长的氮化硅薄膜的组分比,可借助于调节氮离子和硅原子到达率之比加以控制.在合适条件下生长的氮化硅薄膜,其红外吸收特征峰在波数为840c... 详细信息

用离子束增强沉积技术合成了氮化硅薄膜并研究了薄膜的组分、性能和结构.结果表明,离子束增强沉积生长的氮化硅薄膜的组分比,可借助于调节氮离子和硅原子到达率之比加以控制.在合适条件下生长的氮化硅薄膜,其红外吸收特征峰在波数为840cm^(-1)附近,光折射率在2.2到2.6之间,其组分为Si_3N_4用RBS、AES、TEM、SEM、ED及扩展电阻,测量和观察生成的氮化硅薄膜的组分深度分布及结构.发现,离子束增强沉积制备的氮化硅薄膜,存在着表面富硅层、氮化硅沉积层及混合过渡层这样的多层结构.薄膜呈球状或方块状堆积.基本上是无定形相,但局部可观察到单晶相的存在.离子束增强沉积制备的氮化硅薄膜中的含氧量比不用离子束辅助沉积的显著减少.

关键词：离子束增强沉积氮化硅薄膜生长

半绝缘GaAs中Mg^++P^+双注入研究

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固体电子学研究与进展 1991年第2期11卷 121-125页

作者：沈鸿烈周祖尧夏冠群邹世昌中国科学院上海冶金研究所离子束开放实验室 200050

本文对Mg^+和P^+双离子注入半绝缘GaAs的行为进行了研究.发现不论是常规热退火还是快速热退火,共P^+注入都能有效地提高注入Mg杂质的电激活率,其效果优于共As^+注入,共P^+注入的最佳条件是其剂量与Mg^+离子剂量相同,电化学C—V测量表明... 详细信息

本文对Mg^+和P^+双离子注入半绝缘GaAs的行为进行了研究.发现不论是常规热退火还是快速热退火,共P^+注入都能有效地提高注入Mg杂质的电激活率,其效果优于共As^+注入,共P^+注入的最佳条件是其剂量与Mg^+离子剂量相同,电化学C—V测量表明,双注入样品中空穴分布与理论计算值接近,而单注入样品中则发生严重偏离,快速热退火较常规热退火更有利于消除注入损伤.

关键词： GaAs 离子注入电子器件

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磷化铟中离子注入硅的双性行为研究

物理学报 1991年第3期40卷 476-482页

作者：沈鸿烈杨根庆周祖尧邹世昌中国科学院上海冶金研究所离子束开放研究实验室上海200050

本文研究了热靶条件下注Si^+的磷化铟材料的电学特性和低温光致荧光特性,发现Si^+单注入样品的薄层载流子浓度随注入剂量的增加而趋于饱和,共P^+注入后薄层载流子浓度大大增加,低温光致荧光谱研究表明,注Si^+的磷化铟中存在Si_p-V_p络... 详细信息

本文研究了热靶条件下注Si^+的磷化铟材料的电学特性和低温光致荧光特性,发现Si^+单注入样品的薄层载流子浓度随注入剂量的增加而趋于饱和,共P^+注入后薄层载流子浓度大大增加,低温光致荧光谱研究表明,注Si^+的磷化铟中存在Si_p-V_p络合物缺陷,共P^+注入能抑制其形成,表明Si^+注入磷化铟中呈双性行为,还对Si^++P^+双注入提高注入杂质的电激活率的物理机制进行了探讨。

关键词：磷化铟离子注入硅双性行为

硅中低能大倾斜角砷注入的损伤行为及其退火特性

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Journal of Semiconductors 1995年第7期16卷 546-551页

作者：何治平周祖尧徐宏来林成鲁中国科学院上海冶金研究所离子束开放实验室中国科学院上海冶金研究所信息功能材料国家重点实验室

超大规模集成电路与真空微电子器件的发展，要求制备超浅Ｐ－Ｎ结，低能量和大倾斜角离子注入成为一种有吸引力的新技术．本文借助于背散射沟道分析以及剥层霍尔测试，研究了能量为１０ｋｅＶ，入射束与样品法线的夹角分别为７°，１５... 详细信息

超大规模集成电路与真空微电子器件的发展，要求制备超浅Ｐ－Ｎ结，低能量和大倾斜角离子注入成为一种有吸引力的新技术．本文借助于背散射沟道分析以及剥层霍尔测试，研究了能量为１０ｋｅＶ，入射束与样品法线的夹角分别为７°，１５°，３０°和６０°的Ａｓ＋离子注入到硅中造成的辐射损伤及其退火特性．

关键词：硅砷注入损伤退火超线结离子注入

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C^+注入SiO_2薄膜的蓝光发射

科学通报 1997年第23期42卷 2575-2576页

作者：赵俊杨根庆林梓鑫江炳尧周祖尧柳襄怀中国科学院上海冶金研究所离子束开放实验室上海200050

自从发现多孔硅室温发射可见光现象以来,硅基纳米结构第Ⅳ族半导体发光研究引起了广泛关注。这不仅可以使传统的、成熟的硅平面工艺直接应用于光电器件中去,而且为介观系统新现象、新规律研究提供了一个理想的研究体系。

关键词：二氧化硅薄膜蓝光发射离子注入半导体

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镓即将恢复发展

轻金属 1983年第6期 64-65页

作者：周祖尧

据国外贸易商和制造商调查,在资本主义经济衰退中,镓生产虽然也稍受影响,但不如其它金属严重。事实上,镓生产的恢复似乎很快即将到来。例如日本芝浦公司最近声称已研制出工业上可行的新砷化镓片。然而,这要经过3～4年的时间才能大量生... 详细信息

据国外贸易商和制造商调查,在资本主义经济衰退中,镓生产虽然也稍受影响,但不如其它金属严重。事实上,镓生产的恢复似乎很快即将到来。例如日本芝浦公司最近声称已研制出工业上可行的新砷化镓片。然而,这要经过3～4年的时间才能大量生产。但在某些电子应用方面能取代硅,因其传递速度为硅的5倍,而耗电量仅为其十分之一。目前,99.9999％(6N),镓的出厂价格为400～600

关键词：日本金属金属材料投资财政管理

半绝缘InP中Si^++P^+双注入的电学特性

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Journal of Semiconductors 1990年第8期11卷 623-626页

作者：沈鸿烈杨根庆周祖尧邹世昌中国科学院上海冶金研究所离子束开放实验室

研究了在200℃热靶条件下经Si^+单注入和S^++P^+双注入的半绝缘InP常规热退火和快速热退火后的电学特性。热退火后,双注入样品中的电学性能优于单注入样品。采用快速热退火后,双注入的效果更加显著。Si^+150keV,5×10^(14)cm^(-2)+P^+16... 详细信息

研究了在200℃热靶条件下经Si^+单注入和S^++P^+双注入的半绝缘InP常规热退火和快速热退火后的电学特性。热退火后,双注入样品中的电学性能优于单注入样品。采用快速热退火后,双注入的效果更加显著。Si^+150keV,5×10^(14)cm^(-2)+P^+160keV,5×10^(14)cm^(-2)双注入样品经850℃、5秒快速效退火后,最高载流子浓度达2.6×10^(19)cm^(-3),平均迁移率为890cm^2/V·s。

关键词：磷化铟离子注入 Si+P 热退火