检索结果-南通市图书馆

典型FLASH存储器^(60)Coγ电离辐射效应测试与分析

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核技术 2015年第1期38卷 12-16页

作者：宋卫曲狄吾勤之上海航天电子技术研究所上海201109 上海航天技术基础研究所上海201109

通过测量卫星用FLASH存储器的内部存储数据逻辑状态出错(WW≠0)、电源电流、输出高低电平电压、输入漏电流以及交流参数随辐照剂量的变化情况,对FLASH存储器的电离辐射效应损伤规律、敏感参数进行了研究。研究结果表明,FLASH存储器的电... 详细信息

通过测量卫星用FLASH存储器的内部存储数据逻辑状态出错(WW≠0)、电源电流、输出高低电平电压、输入漏电流以及交流参数随辐照剂量的变化情况,对FLASH存储器的电离辐射效应损伤规律、敏感参数进行了研究。研究结果表明,FLASH存储器的电离辐射效应损伤规律主要表现为随辐照剂量增加,存储数据逻辑状态出现错误,数据读取、数据擦除以及维持模式下的电源电流逐渐增大,这些参数可以作为辐照敏感参数;动态辐照偏置下存储数据逻辑状态出错时的剂量阈值比静态辐照偏置和不加电辐照偏置条件下大一个数量级以上。

关键词： FLASH存储器电离辐射效应辐照敏感参数辐照偏置条件

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一个质子阻止本领通用计算公式的修正

核技术 1995年第6期18卷 358-363页

作者：何承发巴维真吾勤之王倩中国科学院新疆物理研究所新疆大学

对非相对论重离子在固体中的电子阻止本领的一个通用计算公式进行了修正，计算了质子在不同原子序数靶材料中的电子阻止本领，并与ＴＲＩＭ程序的计算结果进行了比较，两者符合较好。

关键词：质子电子阻止本领相互作用计算公式

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剂量增强效应的半经验理论计算

核技术 1997年第2期20卷 95-99页

作者：何承发巴维真吾勤之王倩中国科学院新疆物理研究所新疆大学

采用一种半经验电子输运模型，改进了部分参数计算方法，编制了能够快速计算光子剂量增强效应的计算程序。计算了６０Ｃｏγ射线辐照Ａｕ／Ａｌ界面时Ａｌ中的剂量分布，与实验结果进行了比较，并分析了各种组分的次级电子对剂量增强因... 详细信息

采用一种半经验电子输运模型，改进了部分参数计算方法，编制了能够快速计算光子剂量增强效应的计算程序。计算了６０Ｃｏγ射线辐照Ａｕ／Ａｌ界面时Ａｌ中的剂量分布，与实验结果进行了比较，并分析了各种组分的次级电子对剂量增强因子的贡献。

关键词： γ射线剂量增强因子钴60

电离辐照Si-SiO_2的电子能谱深度剖析

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核技术 1990年第10期13卷 589-593页

作者：刘昶时吾勤之张玲珊中国科学院新疆物理研究所

应用灵敏的电子能谱分析技术,对经电离辐射辐照的Si-SiO_2结构进行深度剖析。实验结果表明:存在于Si-SiO_2中的界面区,在电离辐射的作用下向SiO_2表面方向展宽,界面中心向SiO_2表面方向移动。展宽与偏移的程度与辐照条件紧密相关。文中... 详细信息

应用灵敏的电子能谱分析技术,对经电离辐射辐照的Si-SiO_2结构进行深度剖析。实验结果表明:存在于Si-SiO_2中的界面区,在电离辐射的作用下向SiO_2表面方向展宽,界面中心向SiO_2表面方向移动。展宽与偏移的程度与辐照条件紧密相关。文中对实验结果以弱应力键断裂模型进行了分析。

关键词： Si-SiO2 XPS AES 电离辐照

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典型光电器件^60Coγ射线辐照试验研究

核技术 2010年第8期33卷 584-587页

作者：刘伟鑫徐导进吾勤之上海航天技术研究院第八O八研究所上海201109

用60Coγ射线对GaAlAs异质结红外发光二极管OP224和NPN型Si光电三极管OP604进行了电离辐照试验,分析了试验器件在60Coγ射线辐照下氧化物陷阱电荷和界面态陷阱电荷的积累效应。结果表明,随着辐照累积剂量的增加,OP224正向电流的最大值... 详细信息

用60Coγ射线对GaAlAs异质结红外发光二极管OP224和NPN型Si光电三极管OP604进行了电离辐照试验,分析了试验器件在60Coγ射线辐照下氧化物陷阱电荷和界面态陷阱电荷的积累效应。结果表明,随着辐照累积剂量的增加,OP224正向电流的最大值逐渐下降,红外光强度逐渐衰减;OP604的暗电流逐渐增大,光电流逐渐下降。

关键词：光电器件电离辐照效应氧化物陷阱电荷界面态陷阱电荷