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检索条件"作者=吴秀龙"
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一种优化低电压SRAM灵敏放大器时序的4T双复制位线延迟技术
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微电子学与计算机 2015年 第3期32卷 28-30,35页
作者: 叶亚东 吴秀龙 蔺智挺 安徽大学 安徽合肥230601
提出一种减少SRAM存取时间的4T双复制位线延迟技术.该技术主要降低灵敏放大器使能信号的时序变化.该设计通过增加另外一根复制位线并提出一种新的4T复制单元,以优化低电压SRAM灵敏放大器的时序.TSMC 65nm工艺仿真结果表明,在0.6V电源电... 详细信息
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《梦游之地》中的魔幻化战争书写——兼论米亚·科托的魔幻现实主义
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复旦外国语言文学论丛 2020年 第1期 134-140页
作者: 吴秀龙 华东师范大学
莫桑比克著名作家米亚·科托的首部长篇小说《梦游之地》以魔幻化手法描述了莫桑比克内战的残酷现实和深远影响,曾被誉为20世纪最伟大的非洲小说之一。小说采用图像化叙事想象、描绘莫桑比克内战中的生命形态和现实状况;透过多维度异化... 详细信息
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国外戏剧活动资讯
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戏剧文学 2011年 第2期 103-104页
作者: 邵雪萍 李玥 吴秀龙 清华大学外国语言文学系
英国 扣人心弦的鬼故事《黑装女人》英国幸运剧院今年9月继续上演罗宾·赫福德执导的悬疑剧《黑装女人》。这部由斯蒂芬·梅拉特拉特根据苏珊·希尔的小说改编的剧作主要讲述了一个扣人心弦的鬼故事:在耸立于九命堤盐沼另一头的鳗鲡沼... 详细信息
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全耗尽SOI LDMOS阈值电压的解析模型
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微电子学与计算机 2007年 第11期24卷 17-20页
作者: 吴秀龙 陈军宁 柯导明 安徽大学电子科学与技术学院 安徽合肥230039
通过准二维的方法,求出了全耗尽SOILDMOS晶体管沟道耗尽区电势分布的表达式,并建立了相应的阈值电压模型。将计算结果与二维半导体器件模拟软件MEDICI的模拟结果相比较,两者误差较小,证明了本模型的正确性。从模型中可以容易地分析阈值... 详细信息
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高压LDMOS反相器功耗的计算
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中国科学技术大学学报 2007年 第11期37卷 1403-1405,1426页
作者: 吴秀龙 陈军宁 柯导明 安徽大学电子科学与技术学院 安徽合肥230039
根据以前所建立的高压LDMOS宏模型,分析了用阱作为高阻漂移区的LDMOS组成的反相器,提出了计算其功耗的公式,从而解决了在高压LDMOS组成的功率集成电路设计中功耗无法估算的难题.通过半导体数值模拟软件Medici的仿真,可以得到计算结果与... 详细信息
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舞台音响效果在戏曲舞台中的作用
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艺苑 2012年 第6期 57-59页
作者: 吴秀龙 福建省闽剧院
在传统的戏剧、戏曲、歌舞、音乐等艺术表演中,音响效果这门学科在近二十多年才得到发展和应用。音响作为一门专业性学科,其服务宗旨包含社会各个门类,尤其是戏曲艺术。
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基于RRAM PUF的轻量级RFID认证协议
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计算机工程与应用 2021年 第1期57卷 141-149页
作者: 陈飞鸿 张锋 陈军宁 吴秀龙 安徽大学电子信息工程学院 合肥230601 中国科学院微电子研究所微电子器件与集成技术重点实验室 北京100029
针对当前轻量级的射频识别(RFID)加密方案信息防护手段有限的问题,结合由阻变存储器(RRAM)构成的物理不可克隆函数(PUF),提出了一种新型的轻量级RFID双向认证协议。利用多级响应加密机制实现阅读器与标签之间的安全认证处理。结合RRAM ... 详细信息
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浅谈小学生作文的批改标准
浅谈小学生作文的批改标准
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作者: 吴秀龙 贵州省瓮安县塘中心完全小学
小学作文是作文的入门阶段,作文构思较为简单,语句粗糙、层次混乱、主题不够突出是他们的共性。但就是批改这样的作文对我们小学老师却提出了较高的要求,我们批改学生的作文就是感受学生的心灵和培养学生写作的兴趣,对学生的健康成长有...
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低抖动的鉴频鉴相器设计
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电脑知识与技术(过刊) 2007年 第20期14卷 476-478页
作者: 吴昊 吴秀龙 安徽大学 电子科学与技术学院安徽合肥230039 安徽大学电子科学与技术学院安徽合肥230039
提出一种SCL结构差分型鉴频鉴相器(PFD),这种鉴频鉴相器能大幅度降低鉴相死区,而且具有噪声低、速度快等优点.这种差分型PFD在高速、低抖动、低噪声PLL中有着广泛的应用.该电路基于chartered 0.35μm CMOS工艺,并用MENTOR eldo进行仿真... 详细信息
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一种降低高性能SRAM过大位线漏电流的方法
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微电子学 2013年 第4期43卷 494-498页
作者: 刘其 丁夏夏 李瑞兴 吴秀龙 谭守标 安徽大学电子信息工程学院 合肥230601
随着半导体工艺的进步,器件特征尺寸不断缩小,晶体管漏电流呈现出增长趋势。高速SRAM位线上,过大的漏电流会引起SRAM的性能出现严重下降,甚至导致SRAM读失效的发生。特别是当位线上积累的漏电流已经超过SRAM的工作电流时,传统方法将趋... 详细信息
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