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硬驱动——串联GTO的根本改进

大功率变流技术 1998年第Z1期 26-29页

作者： K.Bergman 吴煜东瑞典

本文介绍了一种叫作硬驱动的新型串联技术。就脉冲宽度调制和单个器件的功率控制能力而言,该技术将数MVA交流器的性能提高到一个新的水平。硬驱动适用于脉宽调制,在几百赫兹的开关频率下功耗较低。由于采用了比普通门极脉冲di/dt高的... 详细信息

本文介绍了一种叫作硬驱动的新型串联技术。就脉冲宽度调制和单个器件的功率控制能力而言,该技术将数MVA交流器的性能提高到一个新的水平。硬驱动适用于脉宽调制,在几百赫兹的开关频率下功耗较低。由于采用了比普通门极脉冲di/dt高的门极脉冲,GTO串联变得十分方便,串联存在的主要问题,即存储时间在单个器件之间的差异及其随温度、电流等参数的变化从根本上以得到解决。

关键词：硬驱动 GTO 串联性能

牵引级3300 V/1500 A功率IGBT模块开通失效研究

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电力电子技术 2020年第4期54卷 128-131页

作者：张泉蒋华平王彦刚吴煜东新型功率半导体器件国家重点实验室湖南株洲412001 株洲中车时代电气股份有限公司湖南株洲412001

牵引级3300 V/1500 A功率绝缘栅双极型晶体管(IGBT)模块在斩波试验中存在快恢复二极管(FRD)损毁的失效现象,失效波形显示FRD经过反向电流的峰值之后发生损毁失效。从IGBT和FRD的斩波试验工作原理入手,探讨了FRD损毁失效的原因及失效机理... 详细信息

牵引级3300 V/1500 A功率绝缘栅双极型晶体管(IGBT)模块在斩波试验中存在快恢复二极管(FRD)损毁的失效现象,失效波形显示FRD经过反向电流的峰值之后发生损毁失效。从IGBT和FRD的斩波试验工作原理入手,探讨了FRD损毁失效的原因及失效机理,通过系列试验重点研究了IGBT栅极开通电阻和增益对IGBT开通过程及FRD反向恢复特性的影响。试验发现IGBT栅极开通电阻和增益对开通电流上升率有显著的影响,减小IGBT栅极开通电阻或者增大增益可以降低IGBT的开通损耗,但会增大IGBT的开通电流上升率,进而增大FRD反向恢复峰值电流和峰值功率,导致FRD承受更高的电应力。增益随IGBT器件结构改变而变化,因此当改变IGBT的器件结构导致增益发生变化时,必须谨慎选择IGBT栅极开通电阻,如果IGBT开通电流上升率过大,容易造成FRD的反向恢复工作曲线超出其反向偏置安全工作区(RBSOA)而引发动态雪崩,最终导致FRD产生热击穿而损毁失效。

关键词：绝缘栅双极型晶体管快恢复二极管失效

基于SiC基底的Y_2O_3/Al_2O_3堆栈MOS电容的特性研究

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电子器件 2019年第1期42卷 9-13页

作者：李诚瞻赵艳黎吴煜东陈喜明贾仁需新型功率半导体器件国家重点实验室江西株洲412001 株洲中车时代电气股份有限公司江西株洲412001 西安电子科技大学西安710072

通过在n型碳化硅(SiC)晶圆上用物理气相沉积法(PVD)和原子层沉积法(ALD)分别沉积Y_2O_3介质和Al_2O_3,形成金属/Al_2O_3/Y_2O_3/SiC高k介质堆栈结构MOS电容。X射线光电子能谱(XPS)分析研究Al_2O_3/Y_2O_3堆栈结构氧化层介质之间以及氧... 详细信息

通过在n型碳化硅(SiC)晶圆上用物理气相沉积法(PVD)和原子层沉积法(ALD)分别沉积Y_2O_3介质和Al_2O_3,形成金属/Al_2O_3/Y_2O_3/SiC高k介质堆栈结构MOS电容。X射线光电子能谱(XPS)分析研究Al_2O_3/Y_2O_3堆栈结构氧化层介质之间以及氧化层与SiC晶圆之间的相互扩散和反应关系;研究不同金属电极MOS电容的C-V特性,Ni电极MOS电容具有良好的稳定性,对介质层的相对介电常数影响最小,Mg电极MOS电容的理想平带电压最小,同时氧化层陷阱密度最小;随着C-V测试频率的降低,氧化层电容Cox逐渐增加,Al_2O_3/Y_2O_3介质层的相对介电常数逐渐增大,等效氧化层厚度(EOT)减小,平带电容电压减小。

关键词：碳化硅 MOS电容高k介质 Y2O3/Al2O3堆栈 C-V特性

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母婴感染引起的乙型肝炎携带小儿的自然过程

国际儿科学杂志 1991年第5期 275-275页

作者：吴煜东

关于母婴感染的小儿乙型肝炎病毒(HBV)携带者的自然过程现在还不十分清楚,特别是HBe抗体的出现时期的报道很少。作者对这种小儿的HBe抗体阳转的年龄和并发肝功能障碍进行了探讨。对象和方法由HBs抗原阳性、HBs抗体阴性且HBe抗原阳性、HB... 详细信息

关于母婴感染的小儿乙型肝炎病毒(HBV)携带者的自然过程现在还不十分清楚,特别是HBe抗体的出现时期的报道很少。作者对这种小儿的HBe抗体阳转的年龄和并发肝功能障碍进行了探讨。对象和方法由HBs抗原阳性、HBs抗体阴性且HBe抗原阳性、HBe抗体阴性的母亲所生的HBs抗原阳性、HBs抗体阴性的小儿77例为对象,每3～6个月检查HBs抗原、HBs抗体、HBe抗原、HBe抗体和GOT,GPT及γ—GTP。追踪开始年龄0～11岁,追踪期间为1～7年。HBe抗体有暂时性阳

关键词：抗原小儿抗体阳性母婴感染 HBV 肝功损害抗体阴性携带者

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高压IGBT模块AlN覆铜衬板特性研究

大功率变流技术 2012年第5期 1-4,16页

作者：吴煜东万正芬彭勇殿株洲南车时代电气股份有限公司湖南株洲412001

根据高压IGBT模块的应用需求,开展了对氮化铝(AlN)覆铜衬板特性的研究。主要验证了AlN覆铜衬板的正面可焊性、背面可焊性、正面可键合性、衬板级绝缘性和模块级绝缘性,并对测试结果进行了分析讨论。

关键词： IGBT模块 AlN覆铜衬板可焊性可键合性绝缘性

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单极型SiC功率器件的最优漂移区解析模型

大功率变流技术 2015年第6期 38-40页

作者：蒋华平李诚瞻吴煜东株洲南车时代电气股份有限公司湖南株洲412001 丹尼克斯半导体有限公司

基于目前碳化硅（SiC）外延掺杂浓度误差较大以及成本和缺陷密度对外延厚度敏感的情况,以比导通电阻为目标优化指标,建立了适用于单极型SiC功率器件的最优漂移区解析模型,得到了最优控制线,并采用Synopsys/Sentaurus软件进行了仿真验证... 详细信息

基于目前碳化硅（SiC）外延掺杂浓度误差较大以及成本和缺陷密度对外延厚度敏感的情况,以比导通电阻为目标优化指标,建立了适用于单极型SiC功率器件的最优漂移区解析模型,得到了最优控制线,并采用Synopsys/Sentaurus软件进行了仿真验证。在此基础上进一步考虑了外延层厚度和掺杂浓度的影响,并针对常用电压等级的单极型SiC功率器件计算了典型误差值下的最优漂移区参数。计算结果表明,对于不同耐压等级,最优漂移区大致以电压等级每增加100 V厚度则增加1-1.2μm的速度变化。

关键词： SiC 单极型功率器件比导通电阻解析模型漂移区

Annealing temperature influence on the degree of inhomogeneity of the Schottky barrier in Ti/4H–SiC contacts

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Chinese Physics B 2014年第12期23卷 418-422页

作者：韩林超申华军刘可安王弋宇汤益丹白云许恒宇吴煜东刘新宇 Microwave Device and IC Department Institute of Microelectronics Chinese Academy of Sciences Zhuzhou CSR Times Electric Co. Ltd Zhuzhou CSR Times Electric Co. Ltd

Tung＇s model was used to analyze anomalies observed in Ti/Si C Schottky contacts. The degree of the inhomogeneous Schottky barrier after annealing at different temperatures is characterized by the ‘T0anomaly＇ and the difference（△Φ）between the uniformly high barrier height（Φ0B） and the effective barrier height（Φeff B）. Those two parameters of Ti Schottky contacts on 4H–Si C were deduced from I–V measurements in the temperature range of 298 K–503 K. The increase in Schottky barrier（SB） height（ΦB） and decrease in the ideality factor（n） with an increase measurement temperature indicate the presence of an inhomogeneous SB. The degree of inhomogeneity of the Schottky barrier depends on the annealing temperature, and it is at its lowest for 500-°C thermal treatment. The degree of inhomogeneity of the SB could reveal effects of thermal treatments on Schottky contacts in other aspects.

关键词： Schottky contact Si C inhomogeneity barrier

Improved adhesion and interface ohmic contact on n-type 4H-SiC substrate by using Ni/Ti/Ni

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Journal of Semiconductors 2014年第7期35卷 15-18页

作者：韩林超申华军刘可安王弋宇汤益丹白云许恒宇吴煜东刘新宇 Microwave Device and IC Department Institute of MicroelectronicsChinese Academy of Sciences Zhuzhou CSR Times Electric Co. Ltd

The Ni/Ti/Ni multilayer ohmic contact properties on a 4H-SiC substrate and improved adhesion with the Ti/Au overlayer have been investigated. The best specific contact resistivity of 3.16 × 10^-5 Ω.cm^2 was obtained at 1050 ℃. Compared with Ni/SiC ohmic contact, the adhesion between Ni/Ti/Ni/SiC and the Ti/Au overlayer was greatly improved and the physical mechanism under this behavior was analyzed by using Raman spectroscopy and X-ray energy dispersive spectroscopy （EDS） measurement. It is shown that a Ti-carbide and Ni-silicide compound exist at the surface and there is no graphitic carbon at the surface of the Ni/Ti/Ni structure by Raman spectroscopy, while a large amount of graphitic carbon appears at the surface of the Ni/SiC structure, which results in its bad adhesion. Moreover, the interface of the Ni/Ti/Ni/SiC is improved compared to the interface of Ni/SiC.

关键词： ohmic contact SiC Ni/Ti/Ni Ni2Si

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集成门极换流晶闸管器件特性研究

大功率变流技术 2012年第6期 1-4页

作者：吴煜东陈芳林雷云蒋谊株洲南车时代电气股份有限公司湖南株洲412001

简要介绍了集成门极换流晶闸管(IGCT)器件的结构,描述了IGCT的阻断状态、开通过程、导通状态及关断过程4个阶段的特点,并针对该4个阶段介绍了器件的重要参数及应用注意事项。

关键词： IGCT 阻断状态开通过程通态特性关断过程