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检索条件"作者=吴思诚"
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磁控溅射法制备ZnO/Mo/Si薄膜及特性研究
磁控溅射法制备ZnO/Mo/Si薄膜及特性研究
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作者: 吴思诚 西北大学
学位级别:硕士
第一代半导体材料(硅)和第二代半导体材料(砷化镓GaAs,磷化铟InP)由于禁带宽度较窄,已经不能适应半导体技术发展的要求。氧化锌(ZnO)和氮化镓(GaN)作为典型的宽禁带半导体材料成为当前研究的热点方向。由于GaN材料激子束缚能低,仅为22m... 详细信息
来源: 同方学位论文库 同方学位论文库 评论
RE_(1-x)T_xMnO_3氧化物的结构,电磁特性和巨磁电阻
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物理学进展 1997年 第2期17卷 201-222页
作者: 戴道生 熊光成 吴思诚 北京大学物理系 北京大学物理系介观物理国家重点实验室
REMnO3(RE=La,Pr,Nd,Cd等)具有钙钛矿结构。如用二价碱土金属部分替代稀土元素,可形成掺杂锰氧化物RE1-xTxMnO3(T=Ca,Sr,Ba,Pb)。随掺杂量的增加,样品的结构和电磁性能都有很大变化... 详细信息
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氧和一氧化碳在有序合金表面Pd{001}c(2×2)-Mn上的共吸附:生成二氧化碳的微观机制
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物理学报 1995年 第2期44卷 251-258页
作者: 贾金锋 吴凯 王德峥 吕斯骅 赵汝光 吴思诚 中国科学院高能物理研究所同步辐射实验室 北京100871 北京100039 北京大学物理系 大连116023 中国科学院高能物理研究所同步辐射实验室 北京100039 中国科学院大连化学物理研究所催化基础国家重点实验室 北京大学物理系
用高分辨率电子能量损失谱研究了O和CO在有序合金表面Pd{θ01}c(2×2)-Ma上的共吸附.室温下,当CO的暴露量为1.0L(朗缪尔Langmuir)时,能量损失谱中位于253mcV的峰是由吸附于第一层中Pd原子顶位的CO的C—O伸缩振动引起的.继续暴露θ.1L的... 详细信息
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全面革新,建设具有先进水平的近代物理实验课程──编写《近代物理实验》教材的几点考虑
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大学物理 1994年 第2期13卷 40-41页
作者: 吴思诚 王祖铨 北京大学物理系
全面革新,建设具有先进水平的近代物理实验课程──编写《近代物理实验》教材的几点考虑吴思诚,王祖铨(北京大学物理系,北京100871)近代物理实验是物理类各个专业继“普通物理实验”和“电子学实验”之后,为高年级开设的一... 详细信息
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近代物理实验
近代物理实验
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作者: 吴思诚 王祖铨
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近代物理实验
近代物理实验
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作者: 吴思诚 王祖铨
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一种高透过率,深截止的UVc波段(200~280nm)有机材料的研究(Ⅰ)
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光谱学与光谱分析 2003年 第2期23卷 209-212页
作者: 吕文波 许强 杜为民 吴思诚 叶学敏 赵太平 孟广政 宋增福 北京大学物理学院 北京100871 东北电子技术研究所 辽宁锦州121000 钢铁研究总院 北京100081
本文阐述了一种专用有机材料(粉末)在不同酸性溶液中的光谱特征,研究表明,这种材料在λ=252 nm处,透过率T=56.5%,带宽约为16nm,而在λ=290nm处有一个很强的吸收峰(ε>10L·(mol·cm)^(-1)),吸光度A_(280~298nm)>8,即透过率T_(280~298... 详细信息
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同步辐射在光电子谱方面的应用
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物理 1988年 第1期 9-14页
作者: 吴思诚 北京大学物理系
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CO在表面有序合金Cu{001}c(2×2)-Pd上的吸附
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物理学报 1992年 第3期41卷 459-464页
作者: 吕斯骅 刘国良 姚军 刘凤琴 吴思诚 北京大学物理系 北京100871 烟台大学物理系 烟台264005 中国科学院高能物理研究所 北京100039
用高分辨电子能量损失谱研究CO在有序表面合金Cu{001}c(2×2)-Pd上的吸附位置,在240K,CO仅直立地吸附在Pd原子的顶位;在135K,低覆盖度时,CO仅直立地吸附于Pd原子顶住,覆盖度增加后,CO同时直立地也吸附于Pd和Cu原子的顶位。
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一个好玩的地方
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语文教学与研究 2012年 第21期 39-40页
作者: 吴思诚 湖北通城县第一中学
由于班上的一些制度,使得原本成绩不太好且贪玩的我在迟了几次到后,"光荣"的担当起了"守卫边疆"的重任。所以,以后要找我,请到后排来。
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