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锂云母微晶玻璃热膨胀性能的研究

硅酸盐学报 2002年第1期30卷 73-76页

作者：方平安吴召平中国科学院上海硅酸盐研究所高性能陶瓷与超微结构国家重点实验室上海200050

以MgO -Al2 O3-SiO2 -Li2 O -R2 O -F(R =Na,K)为基础玻璃组成 ,研究了晶化工艺条件对锂云母微晶玻璃热膨胀性能的影响 .结果表明 :10 5 0℃以上 ,在相同保温时间下 ,热膨胀系数随着晶化温度的升高而下降 ,其值在 30 .6× 10 - 7～ 5 7.... 详细信息

以MgO -Al2 O3-SiO2 -Li2 O -R2 O -F(R =Na,K)为基础玻璃组成 ,研究了晶化工艺条件对锂云母微晶玻璃热膨胀性能的影响 .结果表明 :10 5 0℃以上 ,在相同保温时间下 ,热膨胀系数随着晶化温度的升高而下降 ,其值在 30 .6× 10 - 7～ 5 7.9× 10 - 7℃ - 1 ( 2 0～ 5 0 0℃ )间变化 ,较好满足低膨胀材料 ( 30× 10 - 7～ 6 0× 10 - 7℃ - 1 )的封接要求 .热膨胀系数随晶化温度的升高而下降 ,其原因是 β锂辉石低膨胀相少量增加和微孔及微裂纹的增加引起宏观膨胀量减少共同作用的结果 .在晶化温度不变的情况下 ,增加保温时间具有和提高晶化温度相同的效果 .根据实际应用要求 ,材料性能可以在热膨胀系数。

关键词：微晶玻璃锂云母热膨胀系数性能晶化工艺

二氧化钒薄膜在α-Al_2O_3衬底上的外延生长及其金属-半导体相变特性研究

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无机材料学报 1999年第5期14卷 823-827页

作者：吴召平方平安中国科学院上海硅酸盐研究所上海200050

利用ＸＲＤ及ＸＲＤ极图技术表征了用激光剥离技术生长的ＶＯ２薄膜．结果表明：在衬底温度为５００，氧气偏压６．６７Ｐａ的条件下，在Ａｌ２Ｏ３（１１２０）衬底上能实现ＶＯ２的二维外延生长．薄膜的结构除了与沉积工艺有关外，还... 详细信息

利用ＸＲＤ及ＸＲＤ极图技术表征了用激光剥离技术生长的ＶＯ２薄膜．结果表明：在衬底温度为５００，氧气偏压６．６７Ｐａ的条件下，在Ａｌ２Ｏ３（１１２０）衬底上能实现ＶＯ２的二维外延生长．薄膜的结构除了与沉积工艺有关外，还和衬底的取向密切相关．在Ａｌ２Ｏ３（１１２０）衬底上，定向生长的（１００）ＶＯ２在Ｍｉｌｌａｒ指数＜５时，除了［０１０］以外，不存在其他晶格矢量与衬底相匹配，从而不可能实现三维单晶薄膜的外延生长．电学特性的测试结果显示，在温度为６５左右，ＶＯ２薄膜出现相交，薄膜的电阻率变化达４个数量级．

关键词：二氧化钒相变极图外延生长薄膜半导体衬底

SrAl_2O_4∶Eu,Dy发光材料的制备及其特性研究

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发光学报 2002年第3期23卷 247-252页

作者：耿杰吴召平中国科学院上海硅酸盐研究所上海200050

采用高温固相合成法制得了SrAl2 O4∶Eu2 + ,Dy3 + 发光材料。该磷光体的合成温度在 130 0～ 15 0 0℃范围。X 射线衍射分析 (XRD)结果表明该磷光体为SrAl2 O4晶体结构 ,属单斜晶系。其晶格常数为 :a =8 4 4 2 4 ,b =8 82 2 ,c =5 16... 详细信息

采用高温固相合成法制得了SrAl2 O4∶Eu2 + ,Dy3 + 发光材料。该磷光体的合成温度在 130 0～ 15 0 0℃范围。X 射线衍射分析 (XRD)结果表明该磷光体为SrAl2 O4晶体结构 ,属单斜晶系。其晶格常数为 :a =8 4 4 2 4 ,b =8 82 2 ,c =5 16 0 7 ,β =93 4 15°。SrAl2 O4∶Eu2 + ,Dy3 + 发光材料的激发光谱和发射光谱均为宽带谱 ,激发谱峰位在 30 0～ 4 5 0nm范围内 ,发射波长在 5 2 0nm附近。这一结果表明该材料的发光是由Eu2 +的 5d→ 4f宽带跃迁产生的。不同的制备条件 ,如烧成温度。

关键词： SrAl2O4 Eu Dy 发光材料制备磷光体铝酸锶光谱晶体结构高温固相合成铕掺杂镝掺杂

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溶胶-凝胶涂层增强锂云母微晶玻璃

无机材料学报 2001年第1期16卷 153-158页

作者：方平安吴召平中国科学院上海硅酸盐研究所上海200050

对溶胶－凝胶涂层增强锂云母微晶玻璃进行了研究．结果表明：浸涂溶胶－凝胶涂层的锂云母微晶玻璃较未浸涂前，其抗弯强度增加８％～４８％借助扫描电子显微镜（ＳＥＭ）对涂膜前后锂云母微晶玻璃的表面显微结构进行了研究，发现锂云母... 详细信息

对溶胶－凝胶涂层增强锂云母微晶玻璃进行了研究．结果表明：浸涂溶胶－凝胶涂层的锂云母微晶玻璃较未浸涂前，其抗弯强度增加８％～４８％借助扫描电子显微镜（ＳＥＭ）对涂膜前后锂云母微晶玻璃的表面显微结构进行了研究，发现锂云母微晶玻璃强度增加是由于溶胶粒子进入锂云母微晶玻璃内部，填充晶相与玻璃相之间的微孔，弥合内部微裂纹．

关键词：锂云母微晶玻璃溶胶-凝胶涂层增强

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基于物联网安全认证技术的研究与实现

基于物联网安全认证技术的研究与实现

作者：吴召平电子科技大学

学位级别：硕士

物联网是以互联网为基础,延伸到物与物之间的通信,使设备之间的通信不需要通过人而直接交换信息的技术。物联网的发展和广泛应用,使人们越来越深刻体会到物联网所带来的便利,但这种不需要人参与的技术也引入了新的安全隐患。在物联网环... 详细信息

物联网是以互联网为基础,延伸到物与物之间的通信,使设备之间的通信不需要通过人而直接交换信息的技术。物联网的发展和广泛应用,使人们越来越深刻体会到物联网所带来的便利,但这种不需要人参与的技术也引入了新的安全隐患。在物联网环境中,不断增长的终端设备给无线通信网络带来压力和考验。当大量设备同时或在相当短的时间内接入网络时,如果仍采用一对一的认证机制,那么不仅会导致网络繁忙,而且会占用大量网络资源,从而给网络承载能力带来严峻考验。本文在对物联网安全体系架构、特点的研究基础上,实现了一个组认证系统,主要是解决了大量物联网终端设备同时接入网络所带来的网络资源消耗和拥塞,以及实现物联网环境中更安全更高效地进行认证。本文基于现有3GPP网络中的AKA认证方式,设计并实现对具有组特性的物联网终端设备在接入网络前的安全认证。整个系统设计了服务端子系统和客户端子系统等2个子系统,分别独立运行并完成各自的主要职责。系统首先是实现物联网网关与认证服务器之间的双向认证,除了首个组内终端通过物联网网关与认证服务器之间进行双向认证,其他组内的终端只需要和物联网网关之间进行双向认证即可。通过Eriksson-Penker业务扩展模型方法进行需求分析,对基础框架和各个子系统进行业务分析。通过Enterprise Architect工具进行概要设计,设计了组认证系统总体结构图,以及各个子系统模块的系统包图和系统类图。本系统的软件开发环境选择Visual Studio 2010 SP1,通过Socket通信建立通信连接,使用C++.NET实现Auth库文件(***)的调用访问和认证接口的封装。通过编写模拟测试程序,构建简易的测试环境对Socket通讯、客户端子系统和服务端子系统进行测试验证。本文在深入了解物联网系统架构、物联网安全特征及安全体系架构等背景知识的基础上,全面分析和总结了现有安全认证技术所存在的问题,提出组认证解决方案,并加以设计实现。本系统基本上实现了大量具有组特性的物联网终端设备同时接入网络的安全认证,相信在今后物联网的安全认证技术的研究和应用中也会发挥作用。

关键词：物联网 AKA认证协议组认证、信令拥塞

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异相型AgX光色玻璃的聚类分析研究

无机材料学报 1999年第5期14卷 789-794页

作者：刘彤沈菊云陈学贤吴召平中国科学院上海硅酸盐研究所上海200050

本文运用聚类分析方法，用Ｆｏｘｐｒｏ２．６编制光功能玻璃数据库及处理程序，对异相型ＡｇＸ光色玻璃进行了聚合分类，并讨论了组成和温度对Ｔｏ、Ｔｄ和忧的影响．结果表明：根据不同样本的Ｔｏ２５、Ｔｄ２５、Ｔｆ２５的相似程度... 详细信息

本文运用聚类分析方法，用Ｆｏｘｐｒｏ２．６编制光功能玻璃数据库及处理程序，对异相型ＡｇＸ光色玻璃进行了聚合分类，并讨论了组成和温度对Ｔｏ、Ｔｄ和忧的影响．结果表明：根据不同样本的Ｔｏ２５、Ｔｄ２５、Ｔｆ２５的相似程度，将异相型ＡｇＸ光色玻璃分成七个相互独立的类别．经过对七类光色玻璃分析认为；Ａｇ、Ｃｕ等元素对光色性质产生较大的影响，而Ｍｎ、Ｎｉ等发色元素则大大降低了玻璃的透过率．分析结果还表明：与在２５下相比较，在４０时的Ｔｏ几乎没有变化，而Ｔｄ、Ｔｆ显著增加．

关键词：聚类分析 AgX光色玻璃数据库透过率玻璃

Eu^(2+)激活的碱土金属铝酸盐磷光体的研究进展

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材料导报 2002年第5期16卷 45-48页

作者：耿杰吴召平中国科学院上海硅酸盐研究所上海200050

主要概述了Eu^(2+)激活的碱土金属铝酸盐磷光体的光谱特性,总结了近年来在铝酸盐基质研究以及长余辉机理研究等方面所取得的进展,同时对今后的研究提出了展望。

关键词：磷光体碱土金属铝酸盐长余辉陷阱晶体结构铕(Ⅱ) 发光材料

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双元素掺杂的a-Si∶H光电特性研究

无机材料学报 1992年第4期7卷 460-465页

作者：吴召平曹立辉张干城中国科学院上海硅酸盐研究所

本文研究由氮(N)、硼(B)以及卤素(X)元素掺杂的 a-Si∶H 膜在静电场下的光电特性.实验结果表明,(B+N)、(B+X)双元素掺杂比单元素更明显地提高 a-Si∶H 膜的表面电位 V_(?),降低残余电位V_R,并在 X/Si=10^(-2),B_2H_6/SiH_4=0.3×10^(-4)... 详细信息

本文研究由氮(N)、硼(B)以及卤素(X)元素掺杂的 a-Si∶H 膜在静电场下的光电特性.实验结果表明,(B+N)、(B+X)双元素掺杂比单元素更明显地提高 a-Si∶H 膜的表面电位 V_(?),降低残余电位V_R,并在 X/Si=10^(-2),B_2H_6/SiH_4=0.3×10^(-4)时,得到了 V_(?)=60V/μm,σ_D=10^(-4)((?)cm)^(-1)的静电复印用a-Si∶H 材料.

关键词：非晶硅掺杂剂静电复印残余电压

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非晶态碳膜a—C：H的结构研究

上海建材学院学报 1995年第4期8卷 374-378页

作者：吴召平张干城

利用ＩＲ、ＥＰＲ，ＸＰＳ，Ｈ释放谱以及电导等测试手段研究了非晶态碳膜的结构特性与沉积参数之间的关系，结果表明ａ－Ｃ：Ｈ由两相组成，一相是石墨结构，另一相是金刚石结构。

关键词：非晶态碳膜沉积参数掺杂