检索结果-南通市图书馆

咪唑类化合物自组装膜对316不锈钢的缓蚀作用

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

表面技术 2013年第3期42卷 23-27,41页

作者：贾明子张哲阮乐吴凤美桂林理工大学化学与生物工程学院桂林541004 广西建筑新能源与节能重点实验室桂林541004 广西高校应用化学新技术重点实验室桂林541004

通过电化学阻抗谱、极化曲线和量子化学方法,研究了在0.5 mol/L的硫酸溶液中,咪唑、十二烷基咪唑、苄基咪唑、苯并咪唑四种缓蚀剂自组装膜对316不锈钢的缓蚀性能。研究结果表明:四种缓蚀剂均为阴极型缓蚀剂,对不锈钢具有较好的缓蚀作用,... 详细信息

通过电化学阻抗谱、极化曲线和量子化学方法,研究了在0.5 mol/L的硫酸溶液中,咪唑、十二烷基咪唑、苄基咪唑、苯并咪唑四种缓蚀剂自组装膜对316不锈钢的缓蚀性能。研究结果表明:四种缓蚀剂均为阴极型缓蚀剂,对不锈钢具有较好的缓蚀作用,在1×10-3mol/L的浓度下,随着组装时间的延长,自组装膜对不锈钢的缓蚀效率也相应增强,它们的缓蚀能力主要由最高占据轨道能EHOMO的大小决定,缓蚀能力由大到小依次为苯并咪唑>十二烷基咪唑>苄基咪唑>咪唑。

关键词：咪唑类化合物自组装膜不锈钢交流阻抗谱极化曲线

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

脉冲中子辐照在硅中引起缺陷的研究

固体电子学研究与进展 2001年第3期21卷 350-353页

作者：袁晓利吴凤美施毅郑有炓南京大学物理系 210093

研究了脉冲中子辐照的中子嬗变掺杂 (NTD)硅二极管中缺陷的形成及其退火特征 ,并与热中子辐照样品进行了比较。深能级瞬态谱仪 (DL TS)测量表明硅中主要存在五类电活性缺陷 :氧空位 E1(Ec- 0 .19e V) ,不同荷电态的双空位 E2 (Ec- 0 .2 ... 详细信息

研究了脉冲中子辐照的中子嬗变掺杂 (NTD)硅二极管中缺陷的形成及其退火特征 ,并与热中子辐照样品进行了比较。深能级瞬态谱仪 (DL TS)测量表明硅中主要存在五类电活性缺陷 :氧空位 E1(Ec- 0 .19e V) ,不同荷电态的双空位 E2 (Ec- 0 .2 8e V)和 E4 (Ec- 0 .4 0 e V) ,双空位与氧杂质相结合的络合物 E3 (Ec- 0 .31e V) ,以及与样品材料原生缺陷有关的辐照感生缺陷 E5(Ec- 0 .4 8e V)。实验结果表明 ,脉冲中子辐照由于其高的中子能量和辐照剂量率 ,导致复杂络合物的浓度高于简单缺陷浓度。进一步 4 0

关键词：脉冲中子辐射深能级瞬态谱缺陷硅

10MeV电子辐照GaAs Raman谱的研究

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

南京大学学报（自然科学版） 1998年第4期34卷 436-439页

作者：立海峰高敦堂吴凤美南京大学电子科学与工程系南京大学物理系

研究了１０ＭｅＶ电子辐照掺ＳｅＧａＡｓ外延层和半绝缘（ＳＩ）ＧａＡｓ的Ｒａｍａｎ测量．观察了几个相关缺陷的特征，认为２２０ｃｍ－１峰与Ａｓｉ相联系，这至少部份和ＥＬ２及ＥＬ１２缺陷有关．对掺Ｓｅ样品的２０４ｃｍ－１和... 详细信息

研究了１０ＭｅＶ电子辐照掺ＳｅＧａＡｓ外延层和半绝缘（ＳＩ）ＧａＡｓ的Ｒａｍａｎ测量．观察了几个相关缺陷的特征，认为２２０ｃｍ－１峰与Ａｓｉ相联系，这至少部份和ＥＬ２及ＥＬ１２缺陷有关．对掺Ｓｅ样品的２０４ｃｍ－１和２５８ｃｍ－１峰，可能和小砷簇的振动模式有关．而７７ｃｍ－１和１８５ｃｍ－１峰则应是由无序活化Ｒａｍａｎ散射引起的．辐照结果显示，小砷簇和无序态随辐照剂量增加而增加．

关键词：掺杂硒砷化镓外延层 Raman散射电子辐照

Relation between EL2 Groupand EL6 Group in SI-GaAs

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

Rare Metals 1996年第3期15卷 191-195页

作者：吴凤美赵周英南京大学物理系江苏南京电子部南京电子器件所江苏南京 210016

The annealing behavior for EL2 and EL6 groups as dominant deep levels in semi-insulating GaAs was presented using Photo Induced Transient Spectroscopy measurement (PITS). During rapid thermal annealing, a relation was identified between EL2 group at 0.79 and 0.82 eV and EL6 group at 0.24, 0.27 and 0.82 eV below the conduction band. It is found that they may be close in structure, and belong to the EL2 and EL6 groups, respectively. In rapidly annealed samples, the quantity of all defects in the EL2 group increases, while that in the EL6 group decreases. However, by furnace annealing at 950°C for 5 h, some of the defects in the EL2 group break up, and the quantity of all defects in the EL6 group increases. It is suggested that the EL2 group and EL6 group are related in their microscopy structures. The relation between the two groups and origins was also discussed.

关键词： Annealing Crystal defects Electron energy levels Silicon on insulator technology Spectrometry

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

MOS结构的软X射线辐射损伤

Journal of Semiconductors 1982年第1期 55-61页

作者：郑有炓吴凤美南京大学物理系

本文报道了MOS结构受软X射线辐照的辐射损伤的研究结果.指出,软X射线辐照将引起了 SiO;层中正电荷及SiO;-Si界面界面态密度的增加,而且在SiO;体内形成电子陷阱和中性陷阱.文中还报道了辐射损伤的退火结果.

关键词： MOS 正电荷阳电荷界面态陷阱(半导体) 电子陷阱射线辐射

在线全文

同方期刊数据库

学校读者我要写书评

暂无评论

从MOS非稳态Ⅰ-Ⅴ特性测量硅体陷阱参数

南京大学学报(自然科学) 1982年第1期 64-70页

作者：吴凤美郑有炓

本文报导了从MOS结构非稳态Ⅰ-Ⅴ特性求得硅体陷阱参数的实验方法。并讨论了扫描速率、反转电压和温度的影响。

关键词： MOS 陷阱参数准平衡热力学平衡耗尽区非稳态

SI^-、n-GaAs正电子湮没特性的研究

在线全文

同方期刊数据库

学校读者我要写书评

暂无评论

Journal of Semiconductors 1989年第1期10卷 18-23页

作者：吴凤美沈德勋滕敏康陈岭唐杰张德宏南京大学物理系南京电子器件研究所

用正电子湮没技术,研究了半绝缘(SI)和掺Te的n型GaAs的退火行为及外延工艺的影响.结果表明,GaAs的平均寿命τ_M,长寿命τ_2,和基块寿命τ_b依赖于掺杂,同时τ_2的变化与镓空位和多镓空位均有关.外延后,由于退火的效果,I_2的降低和τ_2... 详细信息

用正电子湮没技术,研究了半绝缘(SI)和掺Te的n型GaAs的退火行为及外延工艺的影响.结果表明,GaAs的平均寿命τ_M,长寿命τ_2,和基块寿命τ_b依赖于掺杂,同时τ_2的变化与镓空位和多镓空位均有关.外延后,由于退火的效果,I_2的降低和τ_2的增加是明显的.文中还讨论了电子和中子辐照的影响.

关键词： GaAs 正电子湮没寿命

未掺杂SI-GaAs退火行为的正电子湮没研究

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

南京大学学报（自然科学版） 1990年第1期26卷 39-42页

作者：吴凤美滕敏康沈德熏陈岭南京大学物理系

用正电子湮没技术,研究了未掺杂的SI-GaAs退火行为。结果表明,长寿命分量τ_2的变化不仅与镓空位而且和多镓空位络合物有关。本文还讨论了电子和中子辐照的影响。

关键词：砷化镓正电子湮没退火行为辐照

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

软X射线辐照引入于SiO2中的中性陷阱

固体电子学研究与进展 1982年第4期 18-24页

作者：郑有炓,吴凤美南京大学物理系南京大学物理系

本文用雪崩热电子注入技术与MOS C-V技术,研究了软X射线辐照引入于SiO2中的中性陷阱的性质.给出陷阱俘获截面σ为10-15～10-16cm2,有效陷阱密度为1011～1012cm-2.发现陷阱密度随辐照时间的增加而升高,但很快趋于饱和;陷阱密度并随辐照... 详细信息

本文用雪崩热电子注入技术与MOS C-V技术,研究了软X射线辐照引入于SiO2中的中性陷阱的性质.给出陷阱俘获截面σ为10-15～10-16cm2,有效陷阱密度为1011～1012cm-2.发现陷阱密度随辐照时间的增加而升高,但很快趋于饱和;陷阱密度并随辐照强度的提高而增大.文中研究了室温及77°K下中性陷阱的俘获特性以及陷阱的解陷作用.还给出了陷阱的退火实验结果.

关键词： SiO2 MOS 热电子注入射线辐照加速电压陷阱