检索结果-南通市图书馆

用刻蚀坑方法抑制平面型InGaAs/InP盖革模式APD的边缘击穿

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光子学报 2018年第5期47卷 78-85页

作者：侯丽丽韩勤李彬王帅叶焓中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室北京100083 中国科学院大学电子电气与通信工程学院北京100049 中国电子科技集团公司第四十四研究所化合物半导体光电子事业部重庆400060

通过测量平面型InGaAs/InP雪崩光电二极管闭管扩散器件帽层InP中Zn杂质的分布,拟合出掺杂浓度随扩散深度的变化函数,并且利用离化积分研究不同倍增层厚度下的最佳刻蚀坑深度和最佳刻蚀方法.结果表明在帽层深度不变的情况下,最佳刻蚀坑... 详细信息

通过测量平面型InGaAs/InP雪崩光电二极管闭管扩散器件帽层InP中Zn杂质的分布,拟合出掺杂浓度随扩散深度的变化函数,并且利用离化积分研究不同倍增层厚度下的最佳刻蚀坑深度和最佳刻蚀方法.结果表明在帽层深度不变的情况下,最佳刻蚀坑深度会随着倍增层厚度而变化,当倍增层厚度为1μm左右时刻蚀坑深度在0.1~0.3μm之间.采取反应离子刻蚀可以获得良好的刻蚀坑形貌,有利于边缘击穿的抑制.

关键词：雪崩光电二极管光探测器离化积分电场击穿刻蚀反应离子刻蚀盖革计数

InGaAs/InP盖革模式雪崩光电二极管阵列性能一致性研究

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半导体光电 2018年第3期39卷 326-331,353页

作者：侯丽丽韩勤王帅叶焓中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室北京100083 中国科学院大学电子电气与通信工程学院北京100049

InGaAs/InP盖革模式雪崩光电二极管(APD)阵列的性能与阵列片内均匀性密切相关。阵列面元的主要结构参数有倍增区厚度、电荷层厚度和掺杂浓度、吸收区的厚度以及器件工作的过偏压。它们的不一致性不仅会造成器件本身性能的差异,还为后续... 详细信息

InGaAs/InP盖革模式雪崩光电二极管(APD)阵列的性能与阵列片内均匀性密切相关。阵列面元的主要结构参数有倍增区厚度、电荷层厚度和掺杂浓度、吸收区的厚度以及器件工作的过偏压。它们的不一致性不仅会造成器件本身性能的差异,还为后续的读出电路带来了巨大的挑战。通过研究APD结构参数变化对其击穿电压(V_(break))、暗计数率(DCR)和单光子探测效率(PDE)的影响,将APD阵列面元间击穿电压波动控制在±1V以内,使暗计数率和光探测效率的波动小于10%,从而得到不同温度下各个结构参数的最大允许波动值,确定了每个温度下制约器件性能的主要因素,为大规模、高性能盖革模式雪崩光电二极管阵列的材料生长和工艺制备提供了理论依据。

关键词：盖革模式 InGaAs/InP 雪崩光电二极管阵列均匀性

用于1550nm光子检测的InGaAs/InP单光子雪崩二极管的温度相关性

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红外与激光工程 2021年第11期50卷 70-76页

作者：王帅韩勤叶焓耿立妍陆子晴肖峰肖帆中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室北京100083 中国科学院大学材料科学与光电技术学院北京100049 中国科学院大学电子电器与通信工程学院北京100049

在越来越多的光子计数应用中,用于近红外光波长领域的单光子探测器受到广泛关注。例如在量子信息处理、量子通信、3D激光测距(LiDAR)、时间分辨光谱等光子计数应用领域。文中设计并展示了用于探测1 550 nm波长光子的InGaAs/InP单光子雪... 详细信息

在越来越多的光子计数应用中,用于近红外光波长领域的单光子探测器受到广泛关注。例如在量子信息处理、量子通信、3D激光测距(LiDAR)、时间分辨光谱等光子计数应用领域。文中设计并展示了用于探测1 550 nm波长光子的InGaAs/InP单光子雪崩二极管(SPAD)。这种SPAD采用分离吸收、过渡、电荷和倍增区域结构(SAGCM),在盖革模下工作时具有单光子灵敏度。SPAD的特性包括随温度范围223~293 K变化的击穿电压、暗计数率、单光子检测效率和后脉冲概率。25μm直径的SPAD显示出一定的温度相关性,击穿电压随温度的变化率约为100 mV/K。当SPAD在盖革模式下温度为223 K工作时,在暗计数率为4.1 kHz,后脉冲概率为3.29%的基础上,对1 550 nm光子实现了21%的单光子探测效率。文中还分析和讨论了SPAD温度相关性的单光子探测效率、暗计数率和后脉冲概率的来源和物理机制。这些机制分析、讨论和计算可以为SPAD的设计和制备提供更多的理论支持和依据。

关键词：单光子探测器温度相关性光子探测效率暗计数率后脉冲概率

Fabrication and photo-response of monolithic 90°hybrid-photodetector array chip for QPSK detection

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Chinese Optics Letters 2023年第1期21卷 69-74页

作者：叶焓韩勤王帅肖峰肖帆褚艺渺耿立妍 State Key Laboratory of Integrated Optoelectronics Institute of SemiconductorsChinese Academy of SciencesBeijing 100083China Center of Materials Science and Optoelectronics Engineering University of Chinese Academy of SciencesBeijing 100049China School of Electronic Electrical and Communication EngineeringUniversity of Chinese Academy of SciencesBeijing 100049China College of Materials Science and Optoelectronic Technology University of Chinese Academy of SciencesBeijing 100049China

A quadrature phase-shift keying(QPSK)coherent photodetector chip consisting of a 4×4 multimode interference 90°optical hybrid and a four-channel evanescent photodetector array is designed and fabricated with its photo-response in the L-band *** metal organic chemical vapor deposition regrowth method is adopted to realize active–passive monolithic *** chip exhibits a low dark current below 100 nA for each photodetector in the array,a low excess loss of 0.85 dB,a common mode ratio rejection better than 13.6 dB,and a phase deviation within±10°over the 40 nm wavelength span.

关键词： hybrid photodetectors monolithic integration photo-response

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成果导向教育理论的发展溯源

品位·经典 2024年第14期 134-137页

作者：唐叶焓西安翻译学院

成果导向教育近年来已成为中国高等教育改革的核心议题之一。通过在中国知网(CNKI)以“成果导向教育”或其缩写“OBE”作为关键词进行文献检索,可以发现,绝大多数已发表的论文集中于探讨基于成果导向理论的课程改革。然而,关于成果导向... 详细信息

成果导向教育近年来已成为中国高等教育改革的核心议题之一。通过在中国知网(CNKI)以“成果导向教育”或其缩写“OBE”作为关键词进行文献检索,可以发现,绝大多数已发表的论文集中于探讨基于成果导向理论的课程改革。然而,关于成果导向教育理论的起源背景及其理论基础的深入论述相对匮乏。鉴于此,本文分为两个部分探讨:第一部分介绍成果导向教育理论提出的社会与教育背景;第二部分系统梳理成果导向教育的理论渊源和学术脉络。本研究的目的是通过对成果导向教育理论背景及理论基础的深入分析,为国内教育领域中成果导向教育理论的进一步发展与实践提供坚实的理论支撑和启发性指导。

关键词：成果导向教育中国高等教育改革理论渊源

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OBE教育理念述论

商洛学院学报 2024年第5期38卷 77-83页

作者：唐叶焓西安翻译学院教育学院陕西西安710105

OBE是以“成果”为“导向”的教育理念。该理论最早可溯源至19世纪中叶Herbert Spencer提出的教育目标理论,其后又融合了功利主义和实证主义的哲学观念,又经Competency-Based Education(即CBE,素质本位)和“精熟学习”理论的发展,至20世... 详细信息

OBE是以“成果”为“导向”的教育理念。该理论最早可溯源至19世纪中叶Herbert Spencer提出的教育目标理论,其后又融合了功利主义和实证主义的哲学观念,又经Competency-Based Education(即CBE,素质本位)和“精熟学习”理论的发展,至20世纪80年代则由Spady率先提出。在四十余年的发展中,该理论对于“成果(outcome)”是以成绩还是以能力为标准,始终是存在争议的,包括其与goal、objective等近义词的相互关系。该理念得到我国学者的普遍关注约是在2016年。就现有研究看,OBE教育理念在我国的研究似乎更注重“导向”而轻“成果”,尤其是对于“成果”多样性的鉴定,尚未有可视性和量化性的标准。这是OBE教育理念践行过程中面临的最为现实的挑战。

关键词：成果导向教育学习成果实践探索

基于选区外延技术的单片集成阵列波导光栅与单载流子探测器的端对接设计

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物理学报 2017年第15期66卷 291-301页

作者：叶焓韩勤吕倩倩潘盼安俊明王玉冰刘荣瑞侯丽丽中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室北京100083 中国科学院大学电子电气与通信工程学院北京100049 中国科学院大学材料科学与光电技术学院北京100049

选区外延技术是实现有源与无源光器件单片集成的一种有效的工艺手段,但同时对两种器件在异质生长界面处的对接结构提出了更高的设计要求.本文通过选区外延技术实现了InP基O波段4通道阵列波导光栅与单载流子探测器的单片集成.通过光学仿... 详细信息

选区外延技术是实现有源与无源光器件单片集成的一种有效的工艺手段,但同时对两种器件在异质生长界面处的对接结构提出了更高的设计要求.本文通过选区外延技术实现了InP基O波段4通道阵列波导光栅与单载流子探测器的单片集成.通过光学仿真重点研究了选区外延后界面处形貌对无源波导结构与有源光探测器间光耦合效率的影响,包括伸长的光学匹配层、二次外延生长边界位置、波导刻蚀边界位置等因素.研究结果表明,在保证二次外延生长边界对准异质对接界面时,将光学匹配层伸出探测器前端10μm并与外延边界无缝对接既可以保证高效的光传输效率(或探测器量子效率),又可以避免外延界面处的异常生长对器件制备工艺的影响,保证生长工艺与器件制备工艺的兼容性.成功制备的单片集成芯片具有高达76%的探测器量子效率,证明了对接方案的有效性.同时,集成芯片的低串扰(<-22 dB)与解复用特性展示出其作为解复用光接收芯片具有巨大潜力.

关键词：单片集成阵列波导光栅单载流子探测器选区外延

太赫兹时域光谱技术研究S掺杂GaSe晶体的电导率特性

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物理学报 2023年第4期72卷 272-282页

作者：李高芳殷文黄敬国崔昊杨叶焓静高艳卿黄志明褚君浩上海电力大学电子与信息工程学院上海200090 中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室上海200083

本文采用透射式太赫兹时域光谱技术研究0.3—2.5 THz范围内本征GaSe,S掺杂质量分数为2.5%GaSe(GaSe:S(2.5%))和S掺杂质量分数为7%GaSe(GaSe:S(7%))晶体的电导率特性,并利用Drude-SmithLorentz模型对复电导率进行拟合.研究发现GaSe晶体... 详细信息

本文采用透射式太赫兹时域光谱技术研究0.3—2.5 THz范围内本征GaSe,S掺杂质量分数为2.5%GaSe(GaSe:S(2.5%))和S掺杂质量分数为7%GaSe(GaSe:S(7%))晶体的电导率特性,并利用Drude-SmithLorentz模型对复电导率进行拟合.研究发现GaSe晶体的电导率实部随S掺杂浓度的增大而减小,主要是由于S掺杂使GaSe晶体的费米能级逐渐向电荷中性能级转移,载流子浓度下降引起的.本征GaSe和GaSe:S(2.5%)在约0.56 THz处有明显的晶格振动峰,而GaSe:S(7%)在0.56 THz附近无晶格振动峰,这主要是由于S掺杂提高了晶体的结构硬度,减弱了晶体的层间刚性振动.且3个样品均在约1.81 THz处存在明显的窄晶格振动峰,强度随S掺杂浓度的增大先减小再增大,主要是由于S掺杂降低了GaSe的局部结构缺陷,减弱了窄晶格振动峰强度,而过量的S掺杂生成β型GaS晶体,进而增加晶体的局部结构缺陷,窄晶格振动峰强度随之增强.GaSe晶体约在1.07 THz和2.28 THz处的宽晶格振动峰强度随S掺杂浓度的增大而减弱甚至消失,主要是由于S掺杂产生替位杂质(S取代Se)和GaS间隙杂质,降低了基频声子振动强度,从而减弱了晶体二阶声子差模引起的晶格振动.结果表明,S掺杂可以有效抑制GaSe晶体的晶格振动,降低电导率,减少在THz波段的功率损耗.此研究为低损耗THz器件的设计和制作提供重要的数据支撑和理论依据.

关键词：太赫兹时域光谱 S掺杂硒化镓电导率 Drude-Smith-Lorentz模型

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An Array Consisting of 10 High-Speed Side-Illuminated Evanescently Coupled Waveguide Photodetectors Each with a Bandwidth of 20 GHz

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Chinese Physics Letters 2015年第12期32卷 171-173页

作者：吕倩倩叶焓尹冬冬杨晓红韩勤 State Key Laboratory of Integrated Optoelectronics Institute of SemiconductorsChinese Academy of Sciences

We design and fabricate a parallel system with 10 high speed side-illuminated evanescently coupled waveguide photodetectors （ECPDs）. The 10 ECPDs exhibit a uniform 3dB bandwidth of 20 GHz and low dark current of about i nA at 2 V reverse bias. The 10 ECPDs also exhibit uniform photo-responsivity of about 0.23A/W with an active region of 5 × 25μmS. The photodetector array has a total bandwidth of more than 200 GHz and can be integrated with other optoelectronic devices.

关键词： PD An Array Consisting of 10 High-Speed Side-Illuminated Evanescently Coupled Waveguide Photodetectors Each with a Bandwidth of 20 GHz length