检索结果-南通市图书馆

射频溅射沉积 TaO_x 薄膜离子导体性能

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太阳能学报 1998年第2期19卷 140-146页

作者：孙雷史月艳清华大学电子工程系

利用射频反应溅射沉积方法在不同氧含量下以ＷＯ３／ＩＴＯ／Ｇｌａｓｓ为基体，制备了一系列厚度大于２００ｎｍ的ＴａＯｘ薄膜，并用Ａｒｎｏｌｄｕｓｓｅｎ方法检测离子导电性能。结果表明，当溅射功率为１５０Ｗ、氧含量１０～８０... 详细信息

利用射频反应溅射沉积方法在不同氧含量下以ＷＯ３／ＩＴＯ／Ｇｌａｓｓ为基体，制备了一系列厚度大于２００ｎｍ的ＴａＯｘ薄膜，并用Ａｒｎｏｌｄｕｓｓｅｎ方法检测离子导电性能。结果表明，当溅射功率为１５０Ｗ、氧含量１０～８０％条件下制备的ＴａＯｘ薄膜均为离子导体。其中氧含量２０—４０％时离子导电性能最佳。用ＴａＯｘ薄膜作为离子导体制备的Ａｌ／ＮｉＯｘ／ＴａＯｘ／ＷＯｘ／ＩＴＯ／Ｇｌａｓｓ电致变色器件，其着色态在可见光谱范围（０．３８—０．７８μｍ）的平均反射比为１１．２％，漂白态时对应的平均反射比可达８３．２％。本文还讨论了ＴａＯｘ离子导体的离子导电机理。

关键词：射频反应溅射离子导体电致变色钽氧化物

PMMA+LiClO_4有机薄膜的离子导电性能

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太阳能学报 2000年第2期21卷 181-185页

作者：李严松史月艳杨晓继清华大学电子工程系北京100084

用 PMMA预聚合单体与 Li Cl O4粉末以不同比例直接混合均匀 ,固化成 3mm厚的板 ,以它为靶 ,在纯氩气气氛及 rf -溅射沉积条件下制备各种薄膜 ,用双电层电容常数法研究它们的离子导电性能。在室温下测试 ,外加信号 1 2 0 m V,频率 40 0 H... 详细信息

用 PMMA预聚合单体与 Li Cl O4粉末以不同比例直接混合均匀 ,固化成 3mm厚的板 ,以它为靶 ,在纯氩气气氛及 rf -溅射沉积条件下制备各种薄膜 ,用双电层电容常数法研究它们的离子导电性能。在室温下测试 ,外加信号 1 2 0 m V,频率 40 0 Hz。实验结果表明 ,当氩气压强 (PA r)为4.7— 7.2 Pa,靶掺杂质量比为 1 0 % ,射频功率密度为 3.9— 4.2 W/ cm2 时得到的薄膜为离子导体。当氩气压强为 6.0 Pa,射频功率密度为 4.2 4 W/ cm2 时 ,膜的双电层电容常数为 7.0× 1 0 -2 μf/ cm2 ,离子导电性能最好 ,其电阻率 >1 0 1 1Ω .cm。利用该离子导体薄膜制备的可变反射电致变色镜 ,Al(40 nm) /α- WO3(1 0 0 nm) / PMMA +Li Cl O4(1 60 nm) / Ni O(80 nm) / ITO/ glass,着色态和漂白态可见光平均反射比分别为 0 .2 3和 0 .69。利用红外光谱 (1 90 0— 50 0 cm-1 )对纯 PMMA和 PMMA +Li Cl O4离子导体进行分析 ,发现离子导体膜“- C- O- CH3”侧链的吸收峰在 1 1 85.7cm-1 ,非离子导体膜的吸收峰在 969.2 cm-1处 ,前者侧链具有较强的极性。

关键词：预聚合单体有机薄膜 PMMA 离子导电性能

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太阳光谱选择性吸收表面光学性能计算

太阳能学报 1995年第2期16卷 185-190页

作者：黄岩彬殷志强史月艳清华大学电子工程系

发展了多层结构吸收表面的反射率优化设计计算方法。ＳｉＯ２／Ｍｏ－Ｎ－Ｏ／Ｍｏ选择性吸收表面的计算结果与实测结果基本一致，其太阳吸收率和发射率分别为０．９４、０．１９和０．９２、０．２１（６００℃，真空中９０ｍｉｎ退火）。

关键词：选择性吸收表面多层膜结构模型太阳光谱

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铝复合选择性吸收表面

中国科学（A辑） 1991年第5期22卷 531-537页

作者：殷志强史月艳清华大学电机工程系北京100084

本文在直流磁控溅射系统中制备了Al-N-F与Al-O-F介质薄膜,确定了它们的光学常数。研制成了以Al-N-F减反射膜的多层渐变Al-N与Al底层的太阳选择性表面,其反射率与吸收率的理论计算与实验测量的结果相符。在单个铝阴极的圆柱磁控溅射系统... 详细信息

本文在直流磁控溅射系统中制备了Al-N-F与Al-O-F介质薄膜,确定了它们的光学常数。研制成了以Al-N-F减反射膜的多层渐变Al-N与Al底层的太阳选择性表面,其反射率与吸收率的理论计算与实验测量的结果相符。在单个铝阴极的圆柱磁控溅射系统中往一批玻璃管上沉积了Al-N-F/渐变Al-N/Al选择性吸收表面,其性能优异,制备成本低,具有实用前景。

关键词：选择性吸收表面溅射铝 Al-N-F

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新型太阳光谱选择性吸收涂层的热稳定性

太阳能学报 2002年第5期23卷 571-574页

作者：申越史月艳王凤春清华大学电子工程系北京100084

利用铝合金靶 (LY13) 在氩气和空气气氛中进行直流反应溅射 ,可以得到渐变型或干涉型太阳光谱选择性吸收涂层。当氩气与空气之比大于 0 14～ 0 16时得到由AlxOy 和AlNx 组成的纯介质膜 (AlxOy AlNx)其折射率 (n)和消光系数 (k)分别为... 详细信息

利用铝合金靶 (LY13) 在氩气和空气气氛中进行直流反应溅射 ,可以得到渐变型或干涉型太阳光谱选择性吸收涂层。当氩气与空气之比大于 0 14～ 0 16时得到由AlxOy 和AlNx 组成的纯介质膜 (AlxOy AlNx)其折射率 (n)和消光系数 (k)分别为 1 6 5～ 1 88和 0 0 0 2～ 0 .0 0 5。将AlxOy AlNx 膜和纯AlN膜作为减反射膜分别沉积在具有相同吸收层的样品上 ,在真空压强 4 5× 10 3 Pa,4 0 0℃下烘烤 30min ,AlxOy AlNx 比AlN更稳定。在高硼硅玻璃和抛光不锈钢上 ,沉积了厚度约为 2 5 0nm的吸收涂层 (AlxOy AlNx Al)和 6 0nm厚的减反射层 (AlxOy AlNx)构成太阳光谱选择性表面。真空中 4 0 0℃、5 0 0℃、6 0 0℃ ,烘烤 30min后 ,其α/ε反而由 11 4升高至 14 4 6 ;5 5 0℃烘烤4 0h与 4 5 0℃烘烤 10h相比仅仅发射率稍微有点升高 ,其吸收比不变。试样在空气中 35 0℃烘烤 10h与真空中4 5 0℃烘烤 10h的结果相当接近 ,它们的α/ε分别是 13 0和 13 2 9。

关键词：太阳光谱选择性吸收涂层热稳定性减反射层

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具有镜面反射和漫反射的CPC光学分析

太阳能学报 2003年第1期24卷 58-63页

作者：李臻史月艳王毓琰吕雁葭清华大学电子工程系北京100084

对由镜面反射为主但是存在一定漫反射的复合抛物面聚光器 (CPC)反射面构成的集热器 ,在存在太阳散射情况下进行了光吸收性能的分析 ,比前人只考虑集热器镜面反射和太阳光直射更加接近实际情况。方法是在利用光线追踪法对CPC反射面的镜... 详细信息

对由镜面反射为主但是存在一定漫反射的复合抛物面聚光器 (CPC)反射面构成的集热器 ,在存在太阳散射情况下进行了光吸收性能的分析 ,比前人只考虑集热器镜面反射和太阳光直射更加接近实际情况。方法是在利用光线追踪法对CPC反射面的镜面反射进行分析的基础上 ,结合辐射度算法定量计算了CPC反射面的漫反射和太阳光的散射分量对集热器的光学性能的直接影响。并通过CPC集热器瞬时效率测试验证了理论的正确性。通过该理论 ,可以在更接近实际的情况下对CPC集热器进行光学设计和计算。

关键词：复合抛物面聚光器(CPC) 辐射度算法光线追踪法

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NiO_xH_y 薄膜电致变色性能的研究

太阳能学报 1998年第3期19卷 243-247页

作者：周志扬史月艳清华大学电子工程系

利用直流磁控溅射法，在Ｏ２＋Ｈ２的气氛下制备了ＮｉＯｘＨｙ薄膜，研究了不同氢气含量对薄膜的初始沉积态、漂白态和着色态透光性能的影响，含氢量为８０％时，薄膜的初始沉积态的平均可见光透射比最高。含氢量为６０％时，薄膜的电... 详细信息

利用直流磁控溅射法，在Ｏ２＋Ｈ２的气氛下制备了ＮｉＯｘＨｙ薄膜，研究了不同氢气含量对薄膜的初始沉积态、漂白态和着色态透光性能的影响，含氢量为８０％时，薄膜的初始沉积态的平均可见光透射比最高。含氢量为６０％时，薄膜的电致变色能力最佳。用获得的ＮｉＯｘＨｙ薄膜制备的反射型全固态电致变色器件的控光范围可达７７％。对ＮｉＯｘＨｙ薄膜三种状态的红外吸收光谱分析表明，ＮｉＯｘＨｙ薄膜的变色机理可用：Ｎｉ（ＯＨ）２（漂白态）＝ＮｉＯＯＨ（着色态）＋Ｈ＋＋ｅ－表示。

关键词： NiOxHy 薄膜红外吸收光谱羟基电致变色

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光谱选择性吸收涂层中的衬底金属

太阳能学报 1987年第4期8卷 341-346页

作者：史月艳侯苏平殷志强清华大学

采用平面磁控溅射技术在玻璃上制备的金属铝膜,随氩气压强的升高及膜层的加厚而铝膜表面变得粗糙、反射率下降。以渐变不锈钢-碳为吸收层,分别以铝膜、不锈钢膜及玻璃为衬底构成的选择性吸收涂层,太阳吸收率可达95％(AM2),热发射率则分... 详细信息

采用平面磁控溅射技术在玻璃上制备的金属铝膜,随氩气压强的升高及膜层的加厚而铝膜表面变得粗糙、反射率下降。以渐变不锈钢-碳为吸收层,分别以铝膜、不锈钢膜及玻璃为衬底构成的选择性吸收涂层,太阳吸收率可达95％(AM2),热发射率则分别为0.05、0.18及0.63。光谱选择性吸收涂层的热发射率主要取决于衬底材料的红外反射率。

关键词：衬底基片选择性吸收涂层热发射率反射率反射比率溅射源溅射沉积真空沉积金属金属材料

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同方期刊数据库

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磁控溅射电致变色非晶态氧化钨薄膜

太阳能学报 1996年第4期17卷 358-364页

作者：史月艳陈士元杨晓继殷志强清华大学电子工程系

利用平面磁控反应溅射在具有透明导电膜的玻璃基片上沉积氧化钨膜层。Ｘ射线衍射分析结果表明，基片在室温状态下得到的膜呈非晶态。以０．２Ｎ浓度的ＨＣｌ为电解液，用电化学方法研究了Ｈ＋注入及抽出后氧化钨膜光学性能的变化及这种... 详细信息

利用平面磁控反应溅射在具有透明导电膜的玻璃基片上沉积氧化钨膜层。Ｘ射线衍射分析结果表明，基片在室温状态下得到的膜呈非晶态。以０．２Ｎ浓度的ＨＣｌ为电解液，用电化学方法研究了Ｈ＋注入及抽出后氧化钨膜光学性能的变化及这种变化与膜的制备参数之间的关系。获得了沉积氧化钨膜近于最佳的工艺条件。在纯氧气氛下，溅射功率密度１．２Ｗ／ｃｍ２，溅射气体压强１．３Ｐａ时，制备的非晶态氧化钨膜，在５０次电化学循环后，漂白态与着色态的可见光透射率之差约为０．５７，其电化学循环的变色寿命也长。光电子能谱（ＸＰＳ）分析表明，Ｈ＋注入后着色态膜内出现了Ｗ５＋、Ｗ４＋。对电致变色机理也作了讨论。

关键词：电致变色磁控溅射氧化钨薄膜