检索结果-南通市图书馆

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

SIMOX材料薄膜厚度的测量和分析

北京师范大学学报（自然科学版） 2003年第1期39卷 54-57页

作者：李艳卢殿通北京师范大学低能核物理研究所北京100875

讨论了由国产 LC- 1 4型强流氧离子注入机制备的 SIMOX(separation by implantedoxygen)材料薄膜厚度的测量和分析 .采用红外吸收光谱测量 SIMOX绝缘埋层的厚度 ,这是一种快速非破坏性测量方法 .根据离子注入原理估算表面硅层的厚度 ,... 详细信息

讨论了由国产 LC- 1 4型强流氧离子注入机制备的 SIMOX(separation by implantedoxygen)材料薄膜厚度的测量和分析 .采用红外吸收光谱测量 SIMOX绝缘埋层的厚度 ,这是一种快速非破坏性测量方法 .根据离子注入原理估算表面硅层的厚度 ,并分析了影响估算精度的各种因素 .

关键词： SIMOX材料红外吸收光谱厚度测量和分析

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

离子注入SOI材料的制备、性能及应用

离子注入SOI材料的制备、性能及应用

PECVD氮化硅薄膜的沉积和退火特性(英文)

CCAST“超精细相互作用与核固体物理”研讨会

作者：卢殿通北京师范大学低能核物理研究所

＜正＞SOI（Silicon On Insulator）材料是为了满足卫星、导弹、飞船航天电子控制系统的需要而发展起来的一种新型硅材料.采用这种材料制作的SOI—CMOS（Complementary Metal-Oxside-Semiconduator）电路,实现了完全介质隔离,具有无锁...

＜正＞SOI（Silicon On Insulator）材料是为了满足卫星、导弹、飞船航天电子控制系统的需要而发展起来的一种新型硅材料.采用这种材料制作的SOI—CMOS（Complementary Metal-Oxside-Semiconduator）电路,实现了完全介质隔离,具有无锁定、高速度、低功耗和强的抗福射能力等重要优点.因而受到世界各发达国家的高度重视.离子注入SOI材料,是把氧或氮注入硅单晶中形成绝缘埋层二氧化硅或氮化硅:即形成SIMOX（Separation by IMplamted OXygen）或 SIMNI（Separation byImplamted Nitrogen）材料,顶层硅仍保持单晶硅的性能.这种材料不但比SOS(Silicon

关键词：

来源： cnki会议评论

在线全文

cnki会议

学校读者我要写书评

暂无评论

中山大学学报（自然科学版） 2003年第A19期42卷 75-77页

作者：李艳励旭东许颖王文静顾亚华赵玉文卢殿通北京师范大学低能核物理研究所北京100875 北京市太阳能研究所北京l00083

利用等离子增强化学气相沉积(PECVD)方法沉积了氮化硅薄膜,反应气体为氨气和硅烷。这些薄膜在不同条件(温度、时间和气氛)下进行了炉温或快速退火。对太阳电池而言,氮化硅薄膜不仅是有效的减反射层而且也有表面钝化和体钝化作用。利用... 详细信息

利用等离子增强化学气相沉积(PECVD)方法沉积了氮化硅薄膜,反应气体为氨气和硅烷。这些薄膜在不同条件(温度、时间和气氛)下进行了炉温或快速退火。对太阳电池而言,氮化硅薄膜不仅是有效的减反射层而且也有表面钝化和体钝化作用。利用椭圆偏振光谱、反射谱、红外吸收谱和准稳态光电导(QSSPC)分析了氮化硅薄膜的特性。实验发现随着退火温度的增加,氮化硅薄膜的厚度下降而折射率增加,可以归因于在退火过程中,薄膜愈加致密。红外吸收谱的研究发现,氮化硅中氢的含量在退火过程中有明显的下降,而QSSPC测量的样品寿命有同样的变化。这些结果显示氮化硅的钝化作用与其中的氢含量有关。

关键词：氮化硅 PECVD 退火

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

SIMOX薄膜材料的电学性能

半导体杂志 2000年第1期25卷 6-9页

作者：卢殿通 P.L.F.Hemment 北京师范大学低能核物理研究所北京市辐射中心北京100875 DepartmentofElectronicandElectricalEngineering

本文主要研究高剂量氧离子 (1 4～ 2 5× 10 1 8/cm2 )注入Si (10 0 )中 ,形成SOI SIMOX材料的表面Si单晶薄层的电学性能。用扩展电阻和霍耳测量 ,研究了不同的注入条件和退火条件对表面Si单晶层的载流子度和迁移率的影响。

关键词：离子注入 SIMOX 薄膜材料电学性能

高剂量As注入单晶Si低温加热和高温电子束两步退火性能研究

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

Journal of Semiconductors 1987年第2期 218-221+225-226页

作者：卢殿通张通和苏颖高愈尊北京师范大学低能核物理研究所北京有色金属研究总院

本文研究高剂量As注入P-Si单晶,经过低温热退火和高温电子束扫描两步退火方式后的性能。用高压电子显微镜观察样品注入层的剩余缺陷,结果表明:只经过一步高温热退火或电子束退火的样品,剩余缺陷密度为10;/cm;以上,线缺陷长度为2-4μm,... 详细信息

本文研究高剂量As注入P-Si单晶,经过低温热退火和高温电子束扫描两步退火方式后的性能。用高压电子显微镜观察样品注入层的剩余缺陷,结果表明:只经过一步高温热退火或电子束退火的样品,剩余缺陷密度为10;/cm;以上,线缺陷长度为2-4μm,有位错环和位错网存在.两步退火后,样品注入层的缺陷密度降到10;/cm;量级,线缺陷长度小于0.5μm.位错网消失。

关键词：电子束退火热退火位错环缺陷密度位错网单晶晶形 As 低温加热性能研究 Si 高剂量

在线全文

同方期刊数据库

学校读者我要写书评

暂无评论

氧离子注入硅SOI结构的椭偏谱研究

Journal of Semiconductors 1989年第2期10卷 132-140页

作者：梁中宁莫党卢殿通中山大学物理系北京师范大学低能核物理研究所

本文利用椭偏光谱法测量了能量为200keV、剂量为2×10^(18)cm^(-2)的^(16)O^+注入Si以及退火样品.应用多层介质膜模型和有效介质近似,分析了这些样品的SIMOX结构的各层厚度以及各层中的主要组份.提出了从椭偏谱粗略估算表层Si及埋层SiO_... 详细信息

本文利用椭偏光谱法测量了能量为200keV、剂量为2×10^(18)cm^(-2)的^(16)O^+注入Si以及退火样品.应用多层介质膜模型和有效介质近似,分析了这些样品的SIMOX结构的各层厚度以及各层中的主要组份.提出了从椭偏谱粗略估算表层Si及埋层SiO_2厚度的简单方法.研究结果表明,这种条件下的O^+注入Si可以形成SIMOX结构,经高温退火后,表层Si是较完整的单晶层,埋层SiO_2基本没有Si聚积物.椭偏谱的结果与背散射、扩展电阻测量和红外吸收光谱等结果作了比较.

关键词：椭偏光法离子注入 SOI结构硅

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

MeV高能B离子注入Si的退火

北京师范大学学报（自然科学版） 1988年第3期24卷 22-26页

作者：卢武星钱亚宏卢殿通王忠烈北京师范大学低能核物理研究所山东大学物理系北京师范大学低能所

报导了在国内实现MeV级能量离子注入的实验研究结果.在n-型Si(100)衬底上使用MeV能量的B离子注入产生p^+-型层和快速形成n-p-n结构.结果表明,经合适退火的样品内部,形成了深掩埋的注入激活层和良好的表面单晶层.采用双重注入的增强退火... 详细信息

报导了在国内实现MeV级能量离子注入的实验研究结果.在n-型Si(100)衬底上使用MeV能量的B离子注入产生p^+-型层和快速形成n-p-n结构.结果表明,经合适退火的样品内部,形成了深掩埋的注入激活层和良好的表面单晶层.采用双重注入的增强退火效应,能更为有效地对高能B离子注入样品实现退火,这对高能离子注入的实际应用有重要意义.

关键词：高能注入双重注入增强退火快速白光退火 MOS结构

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

辉光放电电子束瞬态退火研究

微细加工技术 1993年第2期 37-40页

作者：李秀琼卢殿通陈维德杨军中科院微电子中心研究部北京100010 北京师范大学低能所中国科学院半导体所

辉光放电电子束已成功用于半导体浅结掺杂和离子注入后的退火处理。本文介绍了用自制的辉光放电电子束机分别对硅中注硼、注砷的损伤进行退火的研究,并与热退火和白光退火结果进行了比较。

关键词：半导体掺杂离子注入退火辉光放电

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

艺术写生基地的标准化建设策略研究

艺术工作 2024年第2期 140-144页

作者：魏殿林卢若楷中国计量大学

作为艺术教育与创作的重要平台,写生基地在文旅融合背景下对于拉动地方产业投资、促进艺术乡建与教育事业进步等方面的作用日益显著。全国各地写生基地如雨后春笋般不断涌现,其投资与建设大大加速了艺术产业的发展乃至艺术文化型乡村实... 详细信息

作为艺术教育与创作的重要平台,写生基地在文旅融合背景下对于拉动地方产业投资、促进艺术乡建与教育事业进步等方面的作用日益显著。全国各地写生基地如雨后春笋般不断涌现,其投资与建设大大加速了艺术产业的发展乃至艺术文化型乡村实施振兴战略的成效。但目前该领域仍处于粗放式发展阶段,缺少规范有序的建设与管理指导,导致软硬件投入偏差、管理不善、投资低效等问题。本文通过对写生基地的发展现状调研,结合国内艺术写生教学、研究与创作需求,系统梳理了艺术写生基地开展标准化建设的基本原则与评价模型,提出了面向高校为主的艺术写生活动规划、基地运营与服务保障等标准化的建设与发展对策,以期发挥标准引领作用,加速推动以艺术教育与创作服务为内容的文旅相关产业高质量发展。

关键词：艺术写生基地标准化策略研究