检索结果-南通市图书馆

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

微型梁杨氏模量与内应力的固有频率法测量

西安交通大学学报 2000年第5期34卷 55-58页

作者：蒋庄德卢德江王小斌陈伟西安交通大学西安710049

为实现对硅微机械与光纤组合式阵列传感器的核心敏感元件———微型硅梁的杨氏模量和内应力进行测试 ,提出了利用光纤耦合机理来测量微型硅梁的横向固有振动频率 ,进而推导梁构件杨氏模量和内应力的方法 ,原理简洁 ,具体实现也较为可行 ... 详细信息

为实现对硅微机械与光纤组合式阵列传感器的核心敏感元件———微型硅梁的杨氏模量和内应力进行测试 ,提出了利用光纤耦合机理来测量微型硅梁的横向固有振动频率 ,进而推导梁构件杨氏模量和内应力的方法 ,原理简洁 ,具体实现也较为可行 ,从而为机械构件的机械性能测试分析提供了方法 ,具有实用意义 .

关键词：杨氏模量内应力微型硅梁 MEMS 固有频率法

表面硅微器件中掩膜和工艺流程的自动生成方法

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

西安交通大学学报 2007年第9期41卷 1031-1035页

作者：张长富任泰安卢德江蒋庄德西安交通大学机械制造系统工程国家重点实验室

为消除目前手工设计掩膜和工艺流程的繁琐过程,提出了一种从表面硅微器件的三维结构模型自动生成掩膜和工艺流程的方法.该方法将三维器件模型作为输入,根据其组成特征的几何信息和材料信息识别出基底层、结构层、牺牲层和金属层等所有... 详细信息

为消除目前手工设计掩膜和工艺流程的繁琐过程,提出了一种从表面硅微器件的三维结构模型自动生成掩膜和工艺流程的方法.该方法将三维器件模型作为输入,根据其组成特征的几何信息和材料信息识别出基底层、结构层、牺牲层和金属层等所有工艺层,再根据工艺层的结构特点和材料信息自动生成掩膜和工艺流程,并利用SolidWorks软件用户接口开发的应用程序验证了方法的可行性.应用实例表明,该方法不仅可以使设计者专注于器件结构本身的设计,而且易于实现掩膜和工艺流程的自动化生成,比传统的手工设计方法更加直观、高效,为相应的设计工具开发提供了理论分析和实验验证.

关键词：表面硅微器件掩膜工艺流程生成方法

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

等离子体低温刻蚀单晶硅高深宽比结构

真空科学与技术学报 2007年第1期27卷 25-30页

作者：卢德江蒋庄德西安交通大学精密工程研究所

等离子体低温刻蚀是一种针对高深宽比结构的干法刻蚀技术。本文在低温刻蚀单晶硅样品时得到典型的刻蚀结果为:各向异性值>0.99,硅刻蚀速率>1.5μm/min,对SiO2刻蚀选择比>75,说明该刻蚀方法很具竞争力。通过对载片台温度、反应气体配比... 详细信息

等离子体低温刻蚀是一种针对高深宽比结构的干法刻蚀技术。本文在低温刻蚀单晶硅样品时得到典型的刻蚀结果为:各向异性值>0.99,硅刻蚀速率>1.5μm/min,对SiO2刻蚀选择比>75,说明该刻蚀方法很具竞争力。通过对载片台温度、反应气体配比、腔体气压和ICP线圈功率等工艺参数的系列实验分析,证明低温刻蚀高深宽比硅微结构必需一定的低温和氧,同时揭示出低温刻蚀过程的主要控制因素是离子轰击而非刻蚀表面的化学反应。本文还对刻蚀过程中刻蚀滞后和凹蚀现象的产生机理进行了分析讨论,指出介电质掩蔽层的充放电效应导致了凹蚀,而刻蚀滞后的诱因则与通常的刻蚀情况不同,主要是台阶对离子轰击的覆盖效应。

关键词：低温刻蚀微机电系统深宽比刻蚀滞后

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

基于三维特征的微机电系统器件结构设计方法

西安交通大学学报 2007年第5期41卷 571-575页

作者：张长富蒋庄德卢德江任泰安王久洪西安交通大学机械制造系统工程国家重点实验室

提出了一种表面硅微器件结构设计方法,解决了目前微机电系统(MEMS)结构设计中直观性差、工艺难度大等问题．该方法将三维特征建模的设计思想运用到MEMS设计中,在建立三维特征库的基础上实现了器件结构的快速直观设计．通过三维设计软件S... 详细信息

提出了一种表面硅微器件结构设计方法,解决了目前微机电系统(MEMS)结构设计中直观性差、工艺难度大等问题．该方法将三维特征建模的设计思想运用到MEMS设计中,在建立三维特征库的基础上实现了器件结构的快速直观设计．通过三维设计软件SolidWorks的用户接口开发的应用程序不仅实现了从器件结构中自动提取掩膜版和工艺流程,而且消除了人工设计掩膜版和工艺流程的繁琐过程．应用实例表明,与传统的通过掩膜版设计MEMS器件结构的方法相比,该方法简洁、高效,更符合设计者所看即所得的思维方式．同时,SolidWorks软件作为开发MEMS辅助设计工具的基础平台,可以省去开发几何造型模块的任务,从而为新一代MEMS辅助设计工具的开发提供了新的思路．

关键词：三维特征微机电系统 SolidWorks

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

微小空间点火装置的设计(英文)

纳米技术与精密工程 2012年第1期10卷 10-13页

作者：王琛英卢德江杨树明林启敬蒋庄德精密测试技术及仪器国家重点实验室(清华大学) 北京100084 机械制造系统工程国家重点实验室西安710049

针对微内燃机燃烧室的尺寸特征和点火形式,对微小空间点火实验装置进行了研究,设计并制作了微小空间内的放电点火装置.设计的硅微燃烧室的尺寸为1 mm×1 mm×1 mm、3 mm×3 mm×1 mm和9 mm×9 mm×1 mm;点火电极位于燃烧室腔体中央,电... 详细信息

针对微内燃机燃烧室的尺寸特征和点火形式,对微小空间点火实验装置进行了研究,设计并制作了微小空间内的放电点火装置.设计的硅微燃烧室的尺寸为1 mm×1 mm×1 mm、3 mm×3 mm×1 mm和9 mm×9 mm×1 mm;点火电极位于燃烧室腔体中央,电极间隙在10～100μm;电极材料为金.本文为微小空间放电点火特性实验研究提供了一种通用装置,也为以微型内燃机为代表的便携式微型高能电源组的微型化和实用化提供了技术支持.

关键词：点火放电间隙微内燃机

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

PES的故障处理

黑龙江气象 2000年第4期17卷 37-38页

作者：李晓堂卢德江张巍绥化市气象局黑龙江绥化152054

介绍了卫星数据地面站 (PES)出现故障的为数极少的个例。提出了判断故障的途径。解决故障的办法是查阅PES5 0 0 0的相关资料 ,遵循先简后繁、由表及里。

关键词：故障卫星数据地面站 PES5000型机器接收机

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

平行平板微型槽间气体的滑移流动

微纳电子技术 2005年第3期42卷 129-132页

作者：韦学勇卢德江蒋庄德西安交通大学精密工程研究所机械制造系统工程国家重点实验室西安710049

对平行平板微型槽中气体滑移流动的压强分布特性进行了研究。将压强和气体平均分子自由程的关系引入到一阶速度滑移边界条件中,求解Navier-Stokes方程,得到了显式的压强分布表达式。模拟计算结果表明,平行平板间滑移流动的气体压强分布... 详细信息

对平行平板微型槽中气体滑移流动的压强分布特性进行了研究。将压强和气体平均分子自由程的关系引入到一阶速度滑移边界条件中,求解Navier-Stokes方程,得到了显式的压强分布表达式。模拟计算结果表明,平行平板间滑移流动的气体压强分布曲线是上凸的下降抛物曲线。在边界滑移条件下,分析了平行平板微型槽在应用中由于微型槽中压力分布变化形成的气体阻尼问题,分析结果表明无滑移边界条件在微尺度流动分析中不再适用。

关键词：滑移流动平均自由程压强分布气体阻尼

基于自解耦三明治结构的横向运动栅场效应晶体管MEMS微力传感器

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

Engineering 2023年第2期21卷 61-74,M0004页

作者：高文迪乔智霞韩香广王小章 Adnan Shakoor 刘存朗卢德江杨萍赵立波王永录王久洪蒋庄德孙东 State Key Laboratory for Manufacturing Systems Engineering International Joint Laboratory for Micro/Nano Manufacturing and Measurement TechnologiesOverseas Expertise Introduction Center for Micro/Nano Manufacturing and Nano Measurement Technologies Discipline InnovationXi’an Jiaotong University(Yantai)Research Institute for Intelligent Sensing Technology and SystemSchool of Mechanical EngineeringXi’an Jiaotong UniversityXi’an 710049China Shandong Laboratory of Yantai Advanced Materials and Green Manufacturing Yantai 265503China Beijing Advanced Innovation Center for Intelligent Robots and Systems Beijing Institute of TechnologyBeijing 100081China State Key Laboratory of Robotics and Systems Harbin Institute of TechnologyHarbin 150006China Eleventh Research Institute Sixth Academy of China Aerospace Science and Technology Co.Xi’an 710100China Department of Control and Instrumentation Engineering King Fahd University of Petroleum and MineralsDhahran 31261Saudi Arabia Department of Biomedical Engineering City University of Hong KongHong Kong 999077China

本文介绍了一种基于横向可移动栅极场效应晶体管(LMGFET)的新型微型力传感器的开发。提出了一种精确的电气模型,用于小型LMGFET器件的性能评估,与以前的模型相比,其精度有所提高。采用了一种新型三明治结构,该结构由一个金交叉解耦栅阵... 详细信息

本文介绍了一种基于横向可移动栅极场效应晶体管(LMGFET)的新型微型力传感器的开发。提出了一种精确的电气模型,用于小型LMGFET器件的性能评估,与以前的模型相比,其精度有所提高。采用了一种新型三明治结构,该结构由一个金交叉解耦栅阵列层和两个软光阻层SU-8组成。通过所提出的双差分传感结构,LMGFET横向工作在垂直干扰下的输出电流被大大消除,所提出传感器的相对输出误差从4.53%(传统差分结构)降低到0.01%。提出了一种实用的传感器制造工艺,并对其进行了模拟。基于LMGFET的力传感器的灵敏度为4.65μA·nN^(-1),可与垂直可移动栅极场效应晶体管(VMGFET)器件相媲美,但非线性度提高了0.78%,测量范围扩大了±5.10μN。这些分析为LMGFET器件的电气和结构参数提供了全面的设计优化,并证明了所提出的传感器在生物医学显微操作应用中具有良好的力传感潜力。

关键词：力传感器场效应晶体管横向运动三明治结构电气模型显微操作非线性度双差分

基于自解耦三明治结构的横向运动栅场效应晶体管MEMS微力传感器（英文）

维普期刊数据库评论

在线全文

维普期刊数据库

学校读者我要写书评

暂无评论

Engineering 2023年第2期 61-74页

作者：高文迪乔智霞韩香广王小章 Adnan Shakoor 刘存朗卢德江杨萍赵立波王永录王久洪蒋庄德孙东 State Key Laboratory for Manufacturing Systems Engineering International Joint Laboratory for Micro/Nano Manufacturing and Measurement Technologies Overseas Expertise Introduction Center for Micro/Nano Manufacturing and Nano Measurement Technologies Discipline Innovation Xi'an Jiaotong University (Yantai) Research Institute for Intelligent Sensing Technology and System School of Mechanical Engineering Xi'an Jiaotong University Shandong Laboratory of Yantai Advanced Materials and Green Manufacturing Beijing Advanced Innovation Center for Intelligent Robots and Systems Beijing Institute of Technology State Key Laboratory of Robotics and Systems Harbin Institute of Technology Eleventh Research Institute Sixth Academy of China Aerospace Science and Technology Co. Department of Control and Instrumentation Engineering King Fahd University of Petroleum and Minerals Department of Biomedical Engineering City University of Hong Kong

本文介绍了一种基于横向可移动栅极场效应晶体管(LMGFET)的新型微型力传感器的开发。提出了一种精确的电气模型，用于小型LMGFET器件的性能评估，与以前的模型相比，其精度有所提高。采用了一种新型三明治结构，该结构由一个金交叉解耦...

本文介绍了一种基于横向可移动栅极场效应晶体管(LMGFET)的新型微型力传感器的开发。提出了一种精确的电气模型，用于小型LMGFET器件的性能评估，与以前的模型相比，其精度有所提高。采用了一种新型三明治结构，该结构由一个金交叉解耦栅阵列层和两个软光阻层SU-8组成。通过所提出的双差分传感结构，LMGFET横向工作在垂直干扰下的输出电流被大大消除，所提出传感器的相对输出误差从4.53%(传统差分结构)降低到0.01%。提出了一种实用的传感器制造工艺，并对其进行了模拟。基于LMGFET的力传感器的灵敏度为4.65μA·nN-1，可与垂直可移动栅极场效应晶体管(VMGFET)器件相媲美，但非线性度提高了0.78%，测量范围扩大了±5.10μN。这些分析为LMGFET器件的电气和结构参数提供了全面的设计优化，并证明了所提出的传感器在生物医学显微操作应用中具有良好的力传感潜力。

关键词：