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单硅烷(SiH4)作为一种提供硅组分的气体源,可用于制造多种高纯度晶体硅、非晶硅、氮化硅、氧化硅及金属硅化物,因其高纯度和能够实现精细控制而成为至今为止世界唯一大规模生产粒状高纯硅的中间产物。介绍了SiH4的物化性质及毒性。SiH4的工业合成方法包括硅化镁法、氯硅烷或烷氧基硅烷歧化法、氯硅烷还原法等,但它们存在工艺流程复杂、设备成本高、需要对产物进行复杂的精制等问题。详细介绍了几种国外公司开发的电化学合成SiH4的装置及工艺,该类方法具有操作安全和经济、可实现高度一体化、可现场发生、以及产物精制工艺简单等优点。

关键词：单硅烷 SiH4 制备电化学法工艺

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好氧颗粒污泥对页岩气返排水中的典型多环芳烃的去除、解毒作用及机制

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环境工程学报 2024年第8期18卷 2176-2188页

作者：孙靖蕾卢培利丁阿强刘阳佟宇浩李仕康重庆大学煤矿灾害动力学与控制全国重点实验室重庆大学三峡库区生态环境教育部重点实验室重庆大学环境与生态学院环境科学系

页岩气开发是我国重大能源战略的关键组成部分，返排水的处理是该行业面临的主要挑战。目前，在返排水中普遍存在的多环芳烃由于具有高环境风险而备受关注。本研究采用具有页岩气返排水处理能力的好氧颗粒污泥探究其对典型多环芳烃萘和... 详细信息

页岩气开发是我国重大能源战略的关键组成部分，返排水的处理是该行业面临的主要挑战。目前，在返排水中普遍存在的多环芳烃由于具有高环境风险而备受关注。本研究采用具有页岩气返排水处理能力的好氧颗粒污泥探究其对典型多环芳烃萘和菲的处理能力及其行为特征，并通过HPLC和GC-MS分析降解过程中的中间产物探究降解路径，及好氧颗粒污泥对多环芳烃毒性的缓解效应。结果显示，该好氧颗粒污泥对萘和菲的去除率达到93.8%和91.3%，并能保持长期稳定。生物降解是该好氧颗粒污泥系统长期稳定去除典型多环芳烃的主要途径，对萘和菲的去除贡献率分别达到64.1%和72.2%。受限于吸附容量，吸附作用仅在初期发挥短期贡献，且具有不同的吸附机制：萘的吸附过程主要表现为多分子层的化学吸附，而菲的吸附表现为物理吸附和静电力作用下的化学吸附。伴随着萘和菲的去除，含萘和菲的废水经该好氧颗粒污泥处理之后生物毒性显著降低，分别降至1%和16%。萘降解生成的中间体包括2,4-二甲基苯甲醛、2,4-二叔丁基苯酚和2,2'-亚甲基双-(4-甲基-6-叔丁基苯酚)，而菲的降解中间体则包括萘、三(2,4-二叔丁基苯基)亚磷酸酯、2,4-二甲基苯甲醛、2,4-二叔丁基苯酚和2,2'-亚甲基双-(4-甲基-6-叔丁基苯酚)，这些中间体最终转化为水杨酸和邻苯二甲酸，通过三羧酸循环实现矿化并缓解毒性。上述结果暗示处理页岩气返排水的好氧颗粒污泥系统能够对返排水中的多环芳烃进行有效去除进而缓解其毒性效应，为好氧颗粒污泥技术应用于页岩气返排水处理提供了技术支撑。

关键词：页岩气返排水好氧颗粒污泥多环芳烃吸附生物降解生物毒性

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歧化法制备单硅烷的工艺进展

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广东化工 2010年第9期37卷 81-82页

作者：卢培浩马建智河南质量工程职业学院河南平顶山467000

单硅烷(SiH4)作为一种提供硅组分的气体源,可用于制造多种高纯度晶体硅、非晶硅、氮化硅、氧化硅及金属硅化物,因其高纯度和能够实现精细控制而成为至今为止世界唯一大规模生产粒状高纯硅的中间产物。SiH4的工业合成方法包括硅化镁法、... 详细信息

单硅烷(SiH4)作为一种提供硅组分的气体源,可用于制造多种高纯度晶体硅、非晶硅、氮化硅、氧化硅及金属硅化物,因其高纯度和能够实现精细控制而成为至今为止世界唯一大规模生产粒状高纯硅的中间产物。SiH4的工业合成方法包括硅化镁法、氯硅烷或烷氧基硅烷歧化法、氯硅烷还原法等,重点介绍了用歧化法制备SiH4的工艺,原料可用芳基硅烷、烷氧基硅烷以及氯硅烷等。

关键词：单硅烷制备歧化法烷氧基硅烷三氯硅烷二氯硅烷工艺进展

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碲化铋表面化学镀镍工艺

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电镀与涂饰 2011年第12期30卷 26-28页

作者：张林森卢培浩刘赟宋延华董会超郑州轻工业学院材料与化学工程学院河南省表界面重点实验室河南郑州450002 河南省质量工程职业学院河南平顶山467000

采用化学镀镍的方法在半导体Bi2Te3表面实现金属化。镀液配方为:NiSO4·6H2O25～30g/L,NaH2PO2.H2O20～30g/L,CH3COONa5g/L,C6H5Na3O7·2H2O5g/L。讨论了工艺参数对镀层性能的影响,通过骤冷试验检测镍镀层与半导体之间的结合力,运用扫... 详细信息

采用化学镀镍的方法在半导体Bi2Te3表面实现金属化。镀液配方为:NiSO4·6H2O25～30g/L,NaH2PO2.H2O20～30g/L,CH3COONa5g/L,C6H5Na3O7·2H2O5g/L。讨论了工艺参数对镀层性能的影响,通过骤冷试验检测镍镀层与半导体之间的结合力,运用扫描电镜结合X射线能谱仪(SEM-EDXA)及X射线衍射仪(XRD)对镀层的形貌、组成和结构进行了分析。结果表明,在80～85°C下反应10min,所得到的镍镀层均匀致密,与半导体结合良好,其中Ni和P元素的质量分数分别为90.94%和9.06%。

关键词：碲化铋半导体化学镀镍金属化结合力

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