检索结果-南通市图书馆

退火温度对草酸/硫酸混合液中制备的AAO薄膜光致发光的影响

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功能材料与器件学报 2011年第6期17卷 600-605页

作者：李守义南雅公韩久宁河西学院物理与机电工程学院甘肃张掖734000

采用电化学阳极氧化法,在不同浓度比的草酸/硫酸混合电解液中制备了系列AAO薄膜样品,考察了用250nm波长激发时,从0℃到600℃温度范围内AAO薄膜退火后的光致发光(PL)特性。结果表明,AAO薄膜在300-500nm范围内有一个较强的PL带,在0℃时随... 详细信息

采用电化学阳极氧化法,在不同浓度比的草酸/硫酸混合电解液中制备了系列AAO薄膜样品,考察了用250nm波长激发时,从0℃到600℃温度范围内AAO薄膜退火后的光致发光(PL)特性。结果表明,AAO薄膜在300-500nm范围内有一个较强的PL带,在0℃时随硫酸浓度的增加,AAO薄膜的PL强度逐渐增强,发光峰位逐渐蓝移;退火温度对AAO薄膜的PL强度和峰位有很大的影响。实验表明AAO薄膜的PL与薄膜内不同存在或分布形式的草酸杂质形成的250和296nm发光中心密切相关。

关键词：多孔阳极氧化铝光致发光蓝移退火

4H-SiC双层浮结肖特基势垒二极管温度特性研究

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微电子学 2011年第1期41卷 146-149页

作者：南雅公张志荣周佐河西学院甘肃张掖734000

为了增强器件高温条件下的适应性,对4H-SiC双层浮结肖特基势垒功率二极管的温度特性进行了研究。结果表明,当温度变化时,器件的阻断电压、通态电阻、反向漏电流及开关时间等电学性质均要发生一定的变化。作为一种基于浮结技术的SiC新器... 详细信息

为了增强器件高温条件下的适应性,对4H-SiC双层浮结肖特基势垒功率二极管的温度特性进行了研究。结果表明,当温度变化时,器件的阻断电压、通态电阻、反向漏电流及开关时间等电学性质均要发生一定的变化。作为一种基于浮结技术的SiC新器件,通过数值模拟方法对其特征参数进行优化,可使其承载电流能力、阻断特性和开关速度等得到进一步的改善。

关键词： 4H-SiC 双层浮结肖特基势垒二极管

An optically controlled SiC lateral power transistor based on SiC/SiCGe superjunction structure

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Journal of Semiconductors 2010年第4期31卷 17-19页

作者：蒲红斌曹琳任杰陈治明南雅公 Xi'an University of Technology

An optically controlled SiC/SiCGe lateral power transistor based on superjunction structure has been proposed, in which n-SiCGe/p-SiC superjunction structure is employed to improve device figure of merit. Performance of the novel optically controlled power transistor was simulated using Silvaco Atlas tools, which has shown that the device has a very good response to the visible light and the near infrared light. The optoelectronic responsivities of the device at 0.5 μm and 0.7 μm are 330 mA/W and 76.2 mA/W at 2 V based voltage, respectively.

关键词： SiC/SiCGe superjunction optically controlled transistor

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菲涅尔数字全息的脉冲响应

原子与分子物理学报 2006年第3期23卷 583-586页

作者：向根祥陈志雄刘子江南雅公河西学院物理系张掖734000 兰州大学第一医院信息中心兰州730000 兰州城市学院物理系兰州730070

数字全息是用CCD记录全息图并用计算机数值重建全息像的一种全息新方法.在数字全息中,通过对不同记录参数下记录的全息图的数值处理,可以消除零级光和共轭光,从而将数字全息系统看作是一个线性系统.本文依据全息理论和付里叶频谱分析,... 详细信息

数字全息是用CCD记录全息图并用计算机数值重建全息像的一种全息新方法.在数字全息中,通过对不同记录参数下记录的全息图的数值处理,可以消除零级光和共轭光,从而将数字全息系统看作是一个线性系统.本文依据全息理论和付里叶频谱分析,对菲涅尔数字全息系统的脉冲响应和分辨本领进行了理论分析.结果表明,在矩形等间隔抽样的情形下,菲涅尔数字全息的脉冲响应是由CCD有限大小的孔径衍射斑调制的矩形函数;菲涅尔数字全息的分辨率由CCD的孔径尺寸决定;由于CCD像素具有一定的大小,使得点光源的像发生弥散.

关键词：数字全息线性系统脉冲响应分辨本领

Study and optimal simulation of 4H-SiC floating junction Schottky barrier diodes' structures and electric properties

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Chinese Physics B 2010年第10期19卷 505-509页

作者：南雅公蒲红斌曹琳任杰 Department of Electric Engineering Faculty of Automation and Information Engineering Xi'an University of Technology Department of Physics and Electronics Hexi University

This paper stuides the structures of 4H SiC floating junction Schottky barrier diodes. Some structure parameters of devices are optimized with commercial simulator based on forward and reverse electrical characteristics. Compared with conventional power Schottky barrier diodes, the devices are featured by highly doped drift region and embedded floating junction layers, which can ensure high breakdown voltage while keeping lower specific on-state resistance, and solve the contradiction between forward voltage drop and breakdown voltage. The simulation results show that with optimized structure parameter, the breakdown voltage can reach 4.36 kV and the specific on-resistance is 5.8 mΩ.cm2 when the Baliga figure of merit value of 13.1 GW/cm2 is achieved.

关键词： 4H SiC floating junction Schottky barrier diode optimization

菲涅尔近似下基元干涉光强分布的理论分析和计算机模拟

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甘肃科技纵横 2006年第3期35卷 205-206页

作者：向根祥刘子江南雅公河西学院物理系甘肃张掖734000 兰州师范高等专科学校物理系甘肃兰州730070

利用球面波的菲涅尔近似对基元干涉的光波场的分布进行了理论分析,得到了菲涅耳近似下基元干涉光强分布的表达式并用matlab进行了计算机模拟。

关键词：干涉菲涅尔近似计算机模拟

Modeling of 4H-SiC multi-floating-junction Schottky barrier diode

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Chinese Physics B 2010年第10期19卷 408-413页

作者：蒲红斌曹琳陈治明仁杰南雅公 Department of Electronic Engineering Xi'an University of Technology

This paper develops a new and easy to implement analytical model for the specific on-resistance and electric field distribution along the critical path for 4H-SiC multi-floating junction Schottky barrier diode. Considering the charge compensation effects by the multilayer of buried opposite doped regions, it improves the breakdown voltage a lot in comparison with conventional one with the same on-resistance. The forward resistance of the floating junction Schottky barrier diode consists of several components and the electric field can be understood with superposition concept, both are consistent with MEDICI simulation results. Moreover, device parameters are optimized and the analyses show that in comparison with one layer floating junction, multilayer of floating junction layer is an effective way to increase the device performance when specific resistance and the breakdown voltage are traded off. The results show that the specific resistance increases 3.2 mΩ.cm2 and breakdown voltage increases 422 V with an additional floating junction for the given structure.

关键词： silicon carbide multi floating junction Schottky barrier diode

最低单态和三态硝基甲烷的分子结构与红外光谱的理论研究

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河西学院学报 2009年第2期25卷 24-27页

作者：董光兴孙桂华南雅公河西学院物理系甘肃张掖734000

文章运用密度泛函方法B3LYP/6-311++G(2d,2P)研究了最低单态和三态硝基甲烷单分子的电子结构和红外频率,绘制了分子在这两种电子态下的红外振动光谱,对它们的红外振动频率进行了理论归属,分析并比较了两种电子态下分子结构和红外振动情... 详细信息

文章运用密度泛函方法B3LYP/6-311++G(2d,2P)研究了最低单态和三态硝基甲烷单分子的电子结构和红外频率,绘制了分子在这两种电子态下的红外振动光谱,对它们的红外振动频率进行了理论归属,分析并比较了两种电子态下分子结构和红外振动情况的变化,结果发现三态的硝基甲烷分子的结构要比基态分子结构稍显松散,稳定性下降,分子振动模式中NO2的相关振动有所加强,红外光谱线左移.因此,最低三态分子沿C-N键分裂而致分子分解的可能性较大.

关键词：硝基甲烷红外光谱基态三重态密度泛幽理论

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考虑擦机尾动态限制角的起飞抬轮过程优化

北京航空航天大学学报 2024年

作者：庄南剑杨雪雅谷润平中国民航大学空中交通管理学院

为了防止擦机尾的发生，同时优化起飞抬轮过程，将抬轮过程中擦机尾角的变化考虑在内，建立计算飞机俯仰角、机尾离地高度等性能参数的抬轮阶段动力学模型。以波音737-800为例，探究抬轮速率变化对抬轮段距离的影响，对比擦机尾动态限... 详细信息

为了防止擦机尾的发生，同时优化起飞抬轮过程，将抬轮过程中擦机尾角的变化考虑在内，建立计算飞机俯仰角、机尾离地高度等性能参数的抬轮阶段动力学模型。以波音737-800为例，探究抬轮速率变化对抬轮段距离的影响，对比擦机尾动态限制角和擦机尾固定限制角这两种抬轮方式的差异，分析动态限制角的优势。结果表明，大多数情况下，该机型最优抬轮速率范围为2.5～3.0°/s。总体而言，相比于固定限制角，使用动态限制角的抬轮段距离减小约10%，从抬轮到离地的时间缩短约10%。最后，有关后机身长度和起落架高度的飞机设计提出建议，即后机身长度(m)的选取与起落架高度(cm)应是相匹配的，选取比值约为5.0，若采用擦机尾动态限制角抬轮方式，比值应略微增大。该研究可为飞行员提供抬轮操作参考，改善飞机的起飞性能，在防止擦机尾的同时，提高飞机载重。

关键词：航空运输起飞性能擦机尾抬轮速率动态限制角