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固体电子学研究与进展 1992年第2期12卷 152-156页

作者：陈诺夫张若愚华庆恒河北工学院电气工程系天津300130 天津电子材料研究所 300220

叙述了一种采用MOS结构研究半导体深能级陷阱的深能级瞬态谱(DLTS)测试与分析方法。该方法简便易行,适用范围广。通过对n-Al_(0.2)Ga_(0.8)As中深能级的研究表明,MOS结构和p^+-n结构的DLTS结果相同。

关键词：深能级 MOS结构肖特基势垒瞬态谱

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用水平法制备高纯砷化镓单晶的几个问题

微电子学 1973年第1期 19-24页

作者：华庆恒

近来,砷化镓微波功率源器件多半采用外延材料作有源区。在国内,期望能作限累器件的体单晶工作仍在开展。努力的重点集中于进一步提高材料的纯度、温度性能、以及均匀性等几个方面,以期达到能与外延材料有相似或更高的水准。遵循毛主席... 详细信息

近来,砷化镓微波功率源器件多半采用外延材料作有源区。在国内,期望能作限累器件的体单晶工作仍在开展。努力的重点集中于进一步提高材料的纯度、温度性能、以及均匀性等几个方面,以期达到能与外延材料有相似或更高的水准。遵循毛主席“三线建设要抓紧”的伟大方针,几年来在党组织领导下,在兄弟单位的大力支持下,我们小组在这方面做了一些试验。这里对近来所经历到的某些实验现象作

关键词：低温迁移率质谱分析有机分析高阻晶体温度系数氧沾污电学参数电阻系数电阻率外延材料

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局部加全局视角遮挡人脸表情识别方法

计算机工程与应用 2024年第13期60卷 180-189页

作者：南亚会华庆一西北大学信息科学与技术学院西安710127 吕梁学院计算机科学与技术系山西吕梁033001

实际场景中各种遮挡增加了表情识别难度。为此,提出一种滑块局部加权卷积注意力和全局注意力池化的视觉Transformer结合的方法来解决遮挡问题。利用主干网络提取表情特征图,将表情特征图裁剪成多个区域块,利用局部Patch注意力单元通过... 详细信息

实际场景中各种遮挡增加了表情识别难度。为此,提出一种滑块局部加权卷积注意力和全局注意力池化的视觉Transformer结合的方法来解决遮挡问题。利用主干网络提取表情特征图,将表情特征图裁剪成多个区域块,利用局部Patch注意力单元通过自适应计算局部特征的注意力权重来感知被遮挡的区域,提取表情局部特征。同时,表情特征图转换成Patch块,通过Patch级和Token级注意力池化的视觉Transformer,从全局角度捕获Patch块之间的相互作用和相关性。引导模型强调最具区别性的特征,而忽略遮挡减少不相关特征的影响。在三个表情数据集及其遮挡子集和一个遮挡数据集上进行实验,结果表明所提模型在遮挡表情识别上优于现有方法。

关键词：遮挡人脸表情识别滑块局部卷积注意力 Patch注意力池化 Token注意力池化 vision Transformer

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不均匀半导体中的高表观迁移率

微电子学 1972年第5期 19-24页

作者：华庆恒

半导体中各种不均匀性对迁移率的影响在理论上已有不同深度的认识。尤里斯克处理过导体中不导电腔的影响,克劳福特讨论过半导体中由快中子辐照引进的畸变区的作用;白梯查明了电导率梯度及不连续性的影响;魏斯贝格研究过局部不均匀区周... 详细信息

半导体中各种不均匀性对迁移率的影响在理论上已有不同深度的认识。尤里斯克处理过导体中不导电腔的影响,克劳福特讨论过半导体中由快中子辐照引进的畸变区的作用;白梯查明了电导率梯度及不连续性的影响;魏斯贝格研究过局部不均匀区周围的空间电荷区对载流子的散射。

关键词：迁移率表观不均匀性

LEC GaAs中杂质和本征点缺陷分布对EL_2分布的影响

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半导体技术 1990年第3期6卷 55-58页

作者：杨瑞霞李光平华庆恒河北工学院电气工程系天津电子材料研究所

用红外吸收、熔体KOH腐蚀和霍尔效应测量等方法测量了硅掺杂和未掺杂LEC GaAs中EL_2浓度([EL_2])分布、位错密度分布、碳分布及硅分布发现掺硅和未掺杂样品中[EL_2]分布和位借密度分布的对应关系不同。[EL_2]分布与杂质和本征点缺陷分... 详细信息

用红外吸收、熔体KOH腐蚀和霍尔效应测量等方法测量了硅掺杂和未掺杂LEC GaAs中EL_2浓度([EL_2])分布、位错密度分布、碳分布及硅分布发现掺硅和未掺杂样品中[EL_2]分布和位借密度分布的对应关系不同。[EL_2]分布与杂质和本征点缺陷分布有关。在实验结果的基础上讨沦了[EL_2]分布不均匀性的机理。

关键词： LEC GaAs 杂质缺陷分布 EL分布

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电子能谱技术的进展及应用

电子能谱技术的进展及应用

第四届理化分析经验交流会

作者：华庆恒机电部第四十六研究所

一、引言电子能谱是近年来飞速发展的表面分析技术,光电子能谱(XPS)和俄歇电子能谱(SES)是二种互相补充的手段,在微电子、材料科学、化学化工、失效机理分析等领域均有重要应用。二、原理(一)光电子能谱以光子轰击样品,使原子芯能级电...

一、引言电子能谱是近年来飞速发展的表面分析技术,光电子能谱(XPS)和俄歇电子能谱(SES)是二种互相补充的手段,在微电子、材料科学、化学化工、失效机理分析等领域均有重要应用。二、原理(一)光电子能谱以光子轰击样品,使原子芯能级电子激发出来,即称为光电子,

关键词：

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集成电路生产中的分析测试技术

集成电路生产中的分析测试技术

中国电子学会生产技术分会理化专委会第五届年会

作者：华庆恒天津电子工业部第46研究所

微电子技术是本世纪60年代以来对现代社会各个领域影响最大的一项工业技术,自1959年第一块集成电路问世以来,由于它能够比分离器件提供更优越的功能,发展十分迅猛,器件尺寸每年以20%速率递减,目前特征线宽已可做到0.5μm以下,集成电路... 详细信息

微电子技术是本世纪60年代以来对现代社会各个领域影响最大的一项工业技术,自1959年第一块集成电路问世以来,由于它能够比分离器件提供更优越的功能,发展十分迅猛,器件尺寸每年以20%速率递减,目前特征线宽已可做到0.5μm以下,集成电路之所以能够取得今天这样辉煌的成就与分析测试工作是密不可分的。本文全面地介绍了集成电路从研制到生产所需的分析测量技术,其中穿插了大量的实例,列举了工艺中可能出现的问题,以及如何进行解决。最后还介绍了国内外分析测试技术的最新进展。全文分以下几个部分

关键词：集成电路在线控制测试技术

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电子能谱技术的进展及应用

电子能谱技术的进展及应用

中国电子学会生产技术学会理化分析四届年会

作者：华庆恒机电部第四十六研究所

一、引言电子能谱是近年来飞速发展的表面分析技术,光电子能谱(XPS)和俄歇电子能谱(SES)是二种互相补充的手段,在微电子、材料科学、化学化工、失效机理分析等领域均有重要应用。二、原理(一)光电子能谱以光子轰击样品,使原子芯能级电子激发出来,即称为光电子,记录光电子数目按其动能(或结合能)的分布即为光电子能谱。同时,原

关键词：

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LEC—InP晶体中退火生成的PIn缺陷

电子材料快报 1999年第5期 12-13页

作者：华庆恒

考虑尾气排放的交叉口信号配时多目标优化研究

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系统仿真学报 2024年

作者：丁新桓王华庆党旭辽宁工程技术大学土木工程学院

为缓解城市道路拥堵，提高交叉口交通效益与环境效益，本文建立了一种以交叉口总延误时间、总停车次数、通行能力和尾气排放总量为优化目标的多目标配时优化模型。该模型将尾气排放量纳入到数学优化模型中，通过构建一种基于比功率的尾... 详细信息

为缓解城市道路拥堵，提高交叉口交通效益与环境效益，本文建立了一种以交叉口总延误时间、总停车次数、通行能力和尾气排放总量为优化目标的多目标配时优化模型。该模型将尾气排放量纳入到数学优化模型中，通过构建一种基于比功率的尾气排放总量测算算法对交通效益指标与尾气排放量的数学关系进行量化，根据交叉口延误时间和停车次数可实现尾气排放总量测算，并分别利用VISSIM和MOVES软件对测算算法精度进行检验。在模型求解时，同时引入NDX交叉算子和SDE策略（Shift-Based Density Estimation，SDE）对传统NSGA-II算法进行改进设计，通过MATLAB软件对配时优化模型和改进NSGA-II算法进行编码，实现多目标配时优化模型求解。选取沈阳市云峰北街与北二东路交叉口为研究对象，利用VISSIM软件的COM端口集成MATLAB算法程序，对9种交通场景下的配时优化方案进行仿真模拟和评价指标分析。结果表明：尾气排放总量测算模型结果误差小于10%，与传统NSGA-II算法相比，改进的NSGA-II算法收敛速度提升了约54%，因此该多目标信号配时优化模型对交通效益与环境效益指标提升效果显著。

关键词：信号交叉口多目标优化模型尾气排放测算改进NSGA-II SDE策略环境效益