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金属氧化物半导体场效应管热载流子退化的1/f~γ噪声相关性研究
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物理学报 2008年 第4期57卷 2468-2475页
作者： 刘宇安 杜磊 包军林 井冈山学院数理学院 吉安343009 西安电子科技大学技术物理学院 西安710071 西安电子科技大学微电子学院 宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室西安710071
研究了金属氧化物半导体(MOS)器件在高、中、低三种栅压应力下的热载流子退化效应及其1/fγ噪声特性.基于Si/SiO2界面缺陷氧化层陷阱和界面陷阱的形成理论,结合MOS器件1/f噪声产生机制,并用双声子发射模型模拟了栅氧化层缺陷波函数与器... 详细信息
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MOSFET辐照诱生界面陷阱形成过程的1/f噪声研究
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物理学报 2007年 第6期56卷 3400-3406页
作者： 李瑞珉 杜磊 庄奕琪 包军林 西安电子科技大学技术物理学院 西安710071
基于界面陷阱形成的氢离子运动两步模型和反应过程的热力学平衡假设,推导了金属-氧化物-半导体-场效应晶体管(MOSFET)经历电离辐照后氧化层空穴俘获与界面陷阱形成间关系的表达式.利用初始1/f噪声功率谱幅值与氧化层空穴俘获之间的联系... 详细信息
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宽范围偏置电流下的GaAlAs红外发光二极管1/f噪声特性(英文)
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光子学报 2005年 第8期34卷 1149-1152页
作者： 包军林 庄奕琪 杜磊 胡瑾 宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室
在宽范围偏置条件下,测量了GaAlAs红外发光二极管(IRLED)的低频噪声,发现1/f噪声幅值与偏置电流的γ次方成正比,在小电流区,γ≈1,在大电流区γ≈2.基于载流子数涨落和迁移率涨落机制建立了一个GaAlAsIRLED1/f噪声模型,该模型的分析表明... 详细信息
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发光二极管可靠性的噪声表征
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物理学报 2006年 第3期55卷 1384-1389页
作者： 胡瑾 杜磊 庄奕琪 包军林 周江 西安电子科技大学技术物理学院 西安710071 西安电子科技大学微电子学院 西安710071
通过对发光二极管内部结构的研究,发现Nt(界面态陷阱密度)和扩散电流比率是影响发光二极管性能的重要因素,并与器件可靠性有密切关系.器件内部存在的多种噪声中,低频1/f噪声可表征Nt和扩散电流比率.在深入研究发光二极管工作原理及1/f... 详细信息
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基于1/f噪声的NPN晶体管辐照感生电荷的定量分离
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物理学报 2015年 第13期64卷 301-307页
作者： 赵启凤 庄奕琪 包军林 胡为 西安电子科技大学微电子学院 西安710071 西安电子科技大学机电工程学院 西安710071
本文针对NPN双极性晶体管,在研究辐照感生的氧化层电荷及界面态对晶体管基极电流和1/f噪声的影响的基础上,建立辐照感生氧化层电荷及界面态与基极电流和1/f噪声的定量物理模型.根据所建立的模型,提出一种新的分离方法,利用1/f噪声和表... 详细信息
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n型金属氧化物半导体场效应晶体管噪声非高斯性研究
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物理学报 2009年 第10期58卷 7183-7188页
作者： 李伟华 庄奕琪 杜磊 包军林 西安电子科技大学微电子学院 宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室西安710071 西安电子科技大学技术物理学院 西安710071
基于n型金属氧化物半导体场效应晶体管(nMOSFET)噪声的数涨落模型,采用高阶统计量双相干系数平方和研究了nMOSFET噪声的非高斯性.通过对nMOSFET实际测试噪声的分析,发现nMOSFET器件噪声存在非高斯性;小尺寸器件噪声的非高斯性强于大尺... 详细信息
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再流焊工艺中表面组装片式元件热应力模拟
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西安电子科技大学学报 1995年 第3期22卷 307-316页
作者： 杜磊 孙承永 包军林 西安电子科技大学技术物理系
文中根据无耦合拟静态热弹性力学理论，采用有限元分析技术，结合ＳＭＴ再流焊工艺，分析了典型表面组装结构的热传输特性与热应力。以清晰、直观的等值线图描绘了再流焊各阶段温度的分布及应力场分布，使人们可定量地了解表面组装件在... 详细信息
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MOSFET辐照损伤1/f噪声产生机制的定量鉴别方法
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西安电子科技大学学报 2011年 第4期38卷 6-10,48页
作者： 李伟华 杜磊 包军林 马中发 西安电子科技大学宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室 陕西西安710071 西安电子科技大学技术物理学院 陕西西安710071
用小波极大模统计参量研究了MOSFET器件辐照损伤低频噪声的时间序列.将辐照前后实验测量的低频噪声信号与数值模型产生的噪声信号统计特性相比较,发现nMOSFET和pMOSFET的低频噪声小波极大模统计结果均与随机电报噪声叠加模型数值信号的... 详细信息
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表面组装无引线陶瓷芯片载体的热分析
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半导体技术 1995年 第3期11卷 31-35页
作者： 杜磊 孙承永 包军林 西安电子科技大学
应用有限元热分析技术，对表面组装无引线陶瓷芯片载体组装到印制电路板的结构进行了热分析，得到了芯片不同粘合方式与不同冷却条件下该结构的温度场分布，从中提取出无引线陶瓷芯片载体的热阻网络及热阻值，并将计算结果与国外实验结... 详细信息
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非对称HALO掺杂栅交叠轻掺杂漏围栅MOSFET的解析模型
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物理学报 2012年 第7期61卷 536-543页
作者： 李聪 庄奕琪 韩茹 张丽 包军林 西安电子科技大学微电子学院 宽禁带半导体材料与器件重点实验室西安710071 西北工业大学航空微电子中心 西安710072
为抑制短沟道效应和热载流子效应,提出了一种非对称HALO掺杂栅交叠轻掺杂漏围栅MOSFET新结构.通过在圆柱坐标系中精确求解三段连续的泊松方程,推导出新结构的沟道静电势、阈值电压以及亚阈值电流的解析模型.结果表明,新结构可有效抑制... 详细信息
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