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基于CC-NUMA结构的IO系统设计

计算机研究与发展 2005年第6期42卷 913-917页

作者：吴吉庆刘衡竹王海涛国防科学技术大学计算机学院长沙410073 中国空间技术研究院北京100080

在被高性能计算采用较多的CCNUMA结构中,IO资源的常见组织形式是分散在各计算结点下,由各结点分散管理.这种组织形式有一些潜在的问题.首先对这些问题进行了分析,然后利用现有的IO链路技术和存储网络技术,提出了一种新的IO系统结构,并... 详细信息

在被高性能计算采用较多的CCNUMA结构中,IO资源的常见组织形式是分散在各计算结点下,由各结点分散管理.这种组织形式有一些潜在的问题.首先对这些问题进行了分析,然后利用现有的IO链路技术和存储网络技术,提出了一种新的IO系统结构,并介绍了关键模块的设计.经过功能分析表明,新的IO系统结构能取得较高的性能,为全局共享分布并行IO技术的发展提供了参考.

关键词： HyperTransport链路 InfiniBand网络 IO控制器

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视频点播服务器中服务策略的研究

软件学报 1999年第1期10卷 13-18页

作者：刘衡竹陈旭灿陈福接长沙工学院计算机科学系

研讨了同时为多个点播用户服务的轮转服务策略和比例服务策略，并提出了ＶＯＤ（ｖｉｄｅｏ－ｏｎ－ｄｅｍａｎｄ）服务器在不破坏各路点播流实时播放率的前提下，应用这些服务策略的方法．

关键词：服务策略视频点播服务器多媒体

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基于准循环双对角阵的LDPC码编码算法

国防科技大学学报 2014年第2期36卷 156-160页

作者：刘冬培刘衡竹张波涛国防科技大学计算机学院湖南长沙410073

针对校验矩阵形如准循环双对角阵的结构化LDPC码,对比研究了两类高效的编码算法:矩阵分解编码算法和分项累加递归编码算法,证明了两类算法从实现角度是等价的,但分项累加递归编码算法推导更为直观,且便于硬件并行实现。基于分项累加编... 详细信息

针对校验矩阵形如准循环双对角阵的结构化LDPC码,对比研究了两类高效的编码算法:矩阵分解编码算法和分项累加递归编码算法,证明了两类算法从实现角度是等价的,但分项累加递归编码算法推导更为直观,且便于硬件并行实现。基于分项累加编码算法,提出了一种适合准循环双对角LDPC码的部分并行编码结构,设计实现了IEEE 802.11n标准中的LDPC码编码器。FPGA实现结果表明,所设计的LDPC编码器具有硬件开销较小、吞吐率高的优点,在码长为1944bit、码率为5/6时信息比特吞吐率最高可达13Gbps。

关键词： LDPC码准循环双对角矩阵编码算法部分并行编码结构高吞吐率

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一种优化的并行流域分割算法

计算机研究与发展 2005年第4期42卷 640-646页

作者：周海芳杨学军刘衡竹唐宇国防科学技术大学计算机学院长沙410073 国防科学技术大学电子科学与工程学院长沙410073

流域变换(又称分水岭变换)是数字形态学中用于图像分割的一种有效的方法.但是经典的流域算法具有很强的递归性质,直接并行化效率很低.首先,分析比较了已有并行算法的优缺点,然后从基于距离的流域变换定义入手,提出了一种优化的并行流域... 详细信息

流域变换(又称分水岭变换)是数字形态学中用于图像分割的一种有效的方法.但是经典的流域算法具有很强的递归性质,直接并行化效率很低.首先,分析比较了已有并行算法的优缺点,然后从基于距离的流域变换定义入手,提出了一种优化的并行流域分割算法.该算法给出了新的区域关系图的定义,并利用了基于下降距离的方法的局部性;通过引入伪种子点使得各子域之间区域生长和合并的过程相对独立,基本消除了重复泛洪带来的开销;同时可直接生成分水岭.实验表明,提出的算法在执行时间和可扩展性两方面都得到了优化,并拓展了算法的适应性.

关键词：流域变换图像分割区域关系图伪种子点并行

90纳米CMOS双阱工艺下STI深度对电荷共享的影响

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国防科技大学学报 2011年第2期33卷 136-139页

作者：刘衡竹刘凡宇刘必慰梁斌国防科技大学计算机学院湖南长沙410073

基于3维TCAD器件模拟,研究了90nm CMOS双阱工艺下STI对电荷共享的影响。研究结果表明:增大STI深度能有效抑制NMOS电荷共享,且550nm为抑制电荷共享的有效深度,超过这个深度收集的电荷量几乎保持不变;而对于PMOS,STI深度的增加使电荷共享... 详细信息

基于3维TCAD器件模拟,研究了90nm CMOS双阱工艺下STI对电荷共享的影响。研究结果表明:增大STI深度能有效抑制NMOS电荷共享,且550nm为抑制电荷共享的有效深度,超过这个深度收集的电荷量几乎保持不变;而对于PMOS,STI深度的增加使电荷共享线性减小。这对于电荷共享加固具有重要指导意义。

关键词：电荷共享单粒子效应浅沟槽隔离(STI) 双极效应

基于GIS和SLAM的机器人大范围环境自主导航

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仪器仪表学报 2017年第3期38卷 586-592页

作者：孙曼晖杨绍武易晓东刘衡竹国防科技大学计算机学院高性能计算国家重点实验室长沙410001

机器人自主导航技术的基础是其自定位能力,同时同步定位与建图(SLAM)是实现机器人自定位的重要方法。目前由于大规模SLAM技术发展的限制,机器人很难实现在大范围环境下进行建图和导航,并且尚没有结合SLAM和实际地理空间信息指导大范围... 详细信息

机器人自主导航技术的基础是其自定位能力,同时同步定位与建图(SLAM)是实现机器人自定位的重要方法。目前由于大规模SLAM技术发展的限制,机器人很难实现在大范围环境下进行建图和导航,并且尚没有结合SLAM和实际地理空间信息指导大范围机器人导航的完整自主导航系统。提出基于GIS和SLAM的机器人大范围环境自主导航方法,利用真实的城市空间路网信息,以地理信息系统(GIS)空间数据库的存储和计算能力为数据支撑,基于提出的大范围导航算法,实现了一套包含空间数据库、SLAM、导航算法的完整系统,具有良好的可复用性和可扩展性,符合实际生活场景,可以指导机器人进行大范围条件下的导航和建图行为。同时通过对机器人激光建图信息的存储,使得再次经过本区域的机器人可以在户外精确定位,实现在室外GPS缺失或误差条件下自身位置的修正。此外地图信息的存储可以实现多机器人对地图信息的复用,为多机器人的规划提供支撑。同时将人类世界的空间信息与机器人建图信息相结合,细化和丰富了原有的空间信息。

关键词： GIS空间数据 SLAM 大范围导航路径规划重定位

一款0.18μm CMOS辐射加固差分压控振荡器

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国防科技大学学报 2009年第6期31卷 12-17页

作者：赵振宇郭斌张民选刘衡竹国防科技大学计算机学院湖南长沙410073

基于对称负载压控振荡器(VCO)的单粒子瞬变(SET)失效机理,应用设计加固(RHBD)技术分别改进了偏置电路和环形振荡器,设计和实现了一款0.18μm CMOS辐射加固差分VCO。模拟结果表明:加固VCO的SET敏感性大幅降低,同时还降低了抖动对于电源... 详细信息

基于对称负载压控振荡器(VCO)的单粒子瞬变(SET)失效机理,应用设计加固(RHBD)技术分别改进了偏置电路和环形振荡器,设计和实现了一款0.18μm CMOS辐射加固差分VCO。模拟结果表明:加固VCO的SET敏感性大幅降低,同时还降低了抖动对于电源噪声的敏感性。虽然电路结构变化会导致频率下降,但可以通过调整电路尺寸而解决。此外,加固VCO面积开销有所降低,优于其他加固方法。

关键词：单粒子效应单粒子瞬变压控振荡器 RHBD

采用自适应连续时间线性均衡器和判决反馈均衡器算法的一种16 Gbit/s并转串/串转并接口

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电子与信息学报 2023年第11期45卷 3984-3990页

作者：文溢陈建军黄俊姚啸虎刘衡竹国防科技大学计算机科学学院先进微处理器芯片与系统重点实验室长沙410073

该文在体硅CMOS工艺下设计了一种16 Gbit/s并转串/串转并接口(SerDes)芯片,该SerDes由4个通道(lanes)和2个锁相环(PLLs)组成。在接收器模拟前端(AFE)采用负阻抗结构连续时间线性均衡器(CTLE),得到22.9 dB高频增益,利用5-tap判决反馈均衡... 详细信息

该文在体硅CMOS工艺下设计了一种16 Gbit/s并转串/串转并接口(SerDes)芯片,该SerDes由4个通道(lanes)和2个锁相环(PLLs)组成。在接收器模拟前端(AFE)采用负阻抗结构连续时间线性均衡器(CTLE),得到22.9 dB高频增益,利用5-tap判决反馈均衡器(DFE)进一步对信号码间干扰(ISI)做补偿,其中tap1做展开预计算处理,得到充足的时序约束条件。采用最小均方根(LMS)算法自适应控制CTLE和DFE的补偿系数来对抗工艺、电源和温度波动带来的影响。测试结果表明,芯片工作在16 Gbit/s时,总功耗为615 mW。发射器输出信号眼高为143 mV,眼宽43.8 ps(0.7UI),接收器抖动容忍指标在各频点均满足PCIe4.0协议要求,工作温度覆盖–55℃~125℃,电源电压覆盖0.9 V±10%,误码率小于1E-12。

关键词：串转并/并转串接口连续时间线性均衡器判决反馈均衡器最小均方根算法

90nm CMOS工艺下p^+深阱掺杂浓度对电荷共享的影响

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物理学报 2011年第4期60卷 461-468页

作者：刘凡宇刘衡竹刘必慰梁斌陈建军国防科技大学计算机学院微电子与微处理器研究所长沙410073

基于3维TCAD器件模拟,研究了90nmCMOS双阱工艺下p+深阱掺杂对电荷共享的影响.研究结果表明:改变p+深阱的掺杂浓度对PMOS管之间的电荷共享的影响要远大于NMOS管;通过增加p+深阱的掺杂浓度可以有效抑制PMOS管之间的电荷共享.这一结论可用... 详细信息

基于3维TCAD器件模拟,研究了90nmCMOS双阱工艺下p+深阱掺杂对电荷共享的影响.研究结果表明:改变p+深阱的掺杂浓度对PMOS管之间的电荷共享的影响要远大于NMOS管;通过增加p+深阱的掺杂浓度可以有效抑制PMOS管之间的电荷共享.这一结论可用于指导电荷共享的加固.

关键词：电荷共享单粒子效应 p+深阱掺杂双极晶体管效应