检索结果-南通市图书馆

应变绝缘层上硅锗p型金属氧化物场效应晶体管的阈值电压解析模型

维普期刊数据库评论

在线全文

维普期刊数据库

学校读者我要写书评

暂无评论

物理学报 2010年第12期59卷 8877-8882页

作者：刘红侠尹湘坤刘冰洁郝跃西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室西安710071

分析研究了应变绝缘层上硅锗p型金属氧化物场效应晶体管(SGOI pMOSFET)的阈值电压模型,修正了应变作用下SGOI pMOSFET的能带模型,并提取了主要的物理参量.这些典型的参量包括禁带宽度、电子亲和能、内建势等.给出了应变硅SGOI pMOSFET... 详细信息

分析研究了应变绝缘层上硅锗p型金属氧化物场效应晶体管(SGOI pMOSFET)的阈值电压模型,修正了应变作用下SGOI pMOSFET的能带模型,并提取了主要的物理参量.这些典型的参量包括禁带宽度、电子亲和能、内建势等.给出了应变硅SGOI pMOSFET内部电势分布的二维泊松方程,通过边界条件求解方程,得出了准确的阈值电压模型,并且验证了该模型的正确性.

关键词：应变硅绝缘层上硅锗 p型金属氧化物场效应晶体管阈值电压解析模型

应变Si/Si1-xGex n型金属氧化物半导体场效应晶体管反型层中的电子迁移率模型

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

物理学报 2011年第1期60卷 565-569页

作者：李斌刘红侠袁博李劲卢凤铭西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室西安710071

为了描述生长在弛豫Si1-xGex层上应变Sin型金属氧化物半导体场效应晶体管(nMOSFETs)反型层中电子迁移率的增强机理,提出了一种新型的、基于物理的电子迁移率模型.该模型不仅能够反映声学声子散射迁移率、表面粗糙度散射迁移率与垂直于... 详细信息

为了描述生长在弛豫Si1-xGex层上应变Sin型金属氧化物半导体场效应晶体管(nMOSFETs)反型层中电子迁移率的增强机理,提出了一种新型的、基于物理的电子迁移率模型.该模型不仅能够反映声学声子散射迁移率、表面粗糙度散射迁移率与垂直于半导体-绝缘体界面的电场强度之间的依赖关系,而且也能解释不同的锗组分对两种散射机理的抑制情况从而引起电子迁移率增强的机理.该模型数学表达式简单,可以模拟任意锗组分下的迁移率.通过数值分析验证得出,该模型与已报道的实验数据结果相符合.同时该模型能够被嵌入到ISE模拟器中,获得与原模拟器内置模型相一致的结果.

关键词：应变Si/SiGe 电子迁移率反型层模型

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

闪速存储器中的热载流子可靠性研究

西安电子科技大学学报 2004年第6期31卷 821-824页

作者：郑雪峰郝跃刘红侠李培咸刘道广韩晓亮西安电子科技大学微电子研究所陕西西安710071

提出了一种测量闪速存储器存储单元浮栅电压耦合率的方法.研究了采用负栅源边擦除的存储单元出现的退化现象,认为在擦除过程中源极附近的空穴注入产生界面态和氧化层陷阱,由该界面态和氧化层陷阱形成的应力导致漏电流是引起这种器件退... 详细信息

提出了一种测量闪速存储器存储单元浮栅电压耦合率的方法.研究了采用负栅源边擦除的存储单元出现的退化现象,认为在擦除过程中源极附近的空穴注入产生界面态和氧化层陷阱,由该界面态和氧化层陷阱形成的应力导致漏电流是引起这种器件退化的最主要的原因.在此基础上描述了应力导致的漏电流退化的3种可能的导电机制,并且分别测量出应力导致的漏电流中瞬态和稳态电流的大小.研究表明,在读操作应力下,可靠性问题主要是由电子通过氧化层隧穿引起的.

关键词：闪速存储器耦合率应力导致的漏电流

深亚微米p^+栅pMOSFET中NBTI效应及氮在其中的作用

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

Journal of Semiconductors 2005年第1期26卷 84-87页

作者：韩晓亮郝跃刘红侠西安电子科技大学微电子研究所西安710071

研究了p+ 栅pMOSFET中的NBTI效应 .通过实验分析了NBTI应力后器件特性及典型参数的退化 ,研究了氮化栅氧中氮对NBTI效应的作用 ,并给出了栅氧中的氮对NBTI效应影响的可能机制 ,即栅氧中氮形成的Si—N键不易被分解 ,但栅氧中的氮提供了H+... 详细信息

研究了p+ 栅pMOSFET中的NBTI效应 .通过实验分析了NBTI应力后器件特性及典型参数的退化 ,研究了氮化栅氧中氮对NBTI效应的作用 ,并给出了栅氧中的氮对NBTI效应影响的可能机制 ,即栅氧中氮形成的Si—N键不易被分解 ,但栅氧中的氮提供了H+ 的陷阱中心 ,导致NBTI效应中氧化层正固定电荷的增加。

关键词： NBTI效应氮化栅氧界面态氧化层正固定电荷

极化效应对AlGaN/GaN异质结p-i-n光探测器的影响

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

物理学报 2012年第5期61卷 452-458页

作者：刘红侠高博卓青青王勇淮西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室西安710071

基于等效薄层电荷近似模拟表征极化电荷的作用,通过自洽求解Poisson-Schrodinger方程以及求解载流子连续性方程,计算并且讨论了p-AlGaN层掺杂浓度和界面极化电荷对AlGaN/GaN异质结p-i-n紫外探测器能带结构和电场分布以及光电响应的影响... 详细信息

基于等效薄层电荷近似模拟表征极化电荷的作用,通过自洽求解Poisson-Schrodinger方程以及求解载流子连续性方程,计算并且讨论了p-AlGaN层掺杂浓度和界面极化电荷对AlGaN/GaN异质结p-i-n紫外探测器能带结构和电场分布以及光电响应的影响.结果表明,极化效应与p-AlGaN层掺杂浓度相互作用对探测器性能有较大影响.其中,在完全极化条件下,p-AlGaN层掺杂浓度越大,p-AlGaN层的耗尽区越窄,i-GaN层越容易被耗尽,器件光电流越小.在一定掺杂浓度条件下,极化效应越强,p-AlGaN层的耗尽区越宽,器件的光电流越大.最后还分析了该结构在不同温度下的探测性能,证明了该结构可以在高温下正常工作.

关键词： AlGaN/GaN异质结光探测器 p-i-n结构极化效应

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

高校内部控制环境探析

财会通讯（中） 2016年第1期 122-123页

作者：刘红侠南阳师范学院

随着高校数量快速增加和规模不断扩大,高校内部控制并未实现同步发展,一直处于被忽视的阶段。近年来,众多高校出现了严重的贪污受贿事件,高校面临巨大的财务危机和经营风险。因此,采取有效措施改善高校的内部控制环境对促进高校发展具... 详细信息

随着高校数量快速增加和规模不断扩大,高校内部控制并未实现同步发展,一直处于被忽视的阶段。近年来,众多高校出现了严重的贪污受贿事件,高校面临巨大的财务危机和经营风险。因此,采取有效措施改善高校的内部控制环境对促进高校发展具有重要的现实意义。本文主要分析我国高校在内部控制实践过程中存在的问题,深入剖析我国高校在内部控制环境方面存在的缺陷,并提供有效解决对策。

关键词：内部控制内部控制环境风险

低剂量率^(60)Co γ射线辐照下SOI MOS器件的退化机理

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

物理学报 2012年第24期61卷 403-409页

作者：商怀超刘红侠卓青青西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室西安710071

本文通过实验分析了0.8μm工艺H形栅SOI MOS器件在低剂量率下的γ射线总剂量效应.实验结果表明,总剂量相同时,低剂量率的辐照效应更严重,关态偏置条件下的阈值电压漂移大于开态,辐照引起NMOS器件发生kink效应时的漏极电压VD升高.研究结... 详细信息

本文通过实验分析了0.8μm工艺H形栅SOI MOS器件在低剂量率下的γ射线总剂量效应.实验结果表明,总剂量相同时,低剂量率的辐照效应更严重,关态偏置条件下的阈值电压漂移大于开态,辐照引起NMOS器件发生kink效应时的漏极电压VD升高.研究结果表明:界面态对PMOS器件亚阈值斜率和跨导退化的影响作用不同,主要原因是栅极偏置不同使起作用的界面态数量不同.

关键词：低剂量率总剂量效应 kink效应跨导

90nm CMOS工艺SRAM的优化及应用(英文)

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

Journal of Semiconductors 2008年第5期29卷 883-888页

作者：周清军刘红侠西安电子科技大学宽禁带半导体材料与器件国家重点实验室西安710071

提出了一种优化的SRAM,它的功耗较低而且能够自我修复.为了提高每个晶圆上的SRAM成品率,给SRAM增加冗余逻辑和E-FUSE box从而构成SR SRAM.为了降低功耗,将电源开启/关闭状态及隔离逻辑引入SR SRAM从而构成LPSR SRAM.将优化的LPSR SRAM64... 详细信息

提出了一种优化的SRAM,它的功耗较低而且能够自我修复.为了提高每个晶圆上的SRAM成品率,给SRAM增加冗余逻辑和E-FUSE box从而构成SR SRAM.为了降低功耗,将电源开启/关闭状态及隔离逻辑引入SR SRAM从而构成LPSR SRAM.将优化的LPSR SRAM64K×32应用到SoC中,并对LPSR SRAM64K×32的测试方法进行了讨论.该SoC经90nm CMOS工艺成功流片,芯片面积为5.6mm×5.6 mm,功耗为1997mW.测试结果表明:LPSR SRAM64K×32功耗降低了17.301 %,每个晶圆上的LPSRSRAM64K×32成品率提高了13.255 %.

关键词：优化低功耗自我修复SRAM 冗余逻辑电源开启/关闭状态

静电放电应力下深亚微米栅接地NMOSFET源端热击穿机理

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

西安电子科技大学学报 2006年第6期33卷 911-916页

作者：朱志炜郝跃方建平刘红侠西安电子科技大学宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室陕西西安710071

基于静电放电应力下对深亚微米硅化物工艺栅接地NMOSFET的研究,考虑了源/漏寄生串连电阻的影响,建立了源/漏接触区的电流集中模型.由模型分析表明,不同的温度和掺杂条件下,源/漏寄生串连电阻会引起器件源/漏接触前端边缘附近产生不同程... 详细信息

基于静电放电应力下对深亚微米硅化物工艺栅接地NMOSFET的研究,考虑了源/漏寄生串连电阻的影响,建立了源/漏接触区的电流集中模型.由模型分析表明,不同的温度和掺杂条件下,源/漏寄生串连电阻会引起器件源/漏接触前端边缘附近产生不同程度的电流集中,在器件源端产生新的热点,影响了源/漏端的击穿特性,很好地解释了栅接地NMOSFET的源端热击穿机理.

关键词：静电放电热击穿接触电阻