检索结果-南通市图书馆

栅长对PD SOI NMOS器件总剂量辐照效应影响的实验研究

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物理学报 2012年第24期61卷 125-130页

作者：彭里卓青青刘红侠蔡惠民西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室西安710071

本文对PD SOI NMOS器件进行了60Coγ射线总剂量辐照的实验测试,分析了不同的栅长对器件辐射效应的影响及其物理机理.研究结果表明,短沟道器件辐照后感生的界面态密度更大,使器件跨导出现退化.PD SOI器件的局部浮体效应是造成不同栅长器... 详细信息

本文对PD SOI NMOS器件进行了60Coγ射线总剂量辐照的实验测试,分析了不同的栅长对器件辐射效应的影响及其物理机理.研究结果表明,短沟道器件辐照后感生的界面态密度更大,使器件跨导出现退化.PD SOI器件的局部浮体效应是造成不同栅长器件辐照后输出特性变化不一致的主要原因.短沟道器件输出特性的击穿电压更低.在关态偏置条件下,由于背栅晶体管更严重的辐射效应,短沟道SOI器件的电离辐射效应比同样偏置条件下长沟道器件严重.

关键词： PD SOI NMOS 总剂量辐照效应栅长偏置状态

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高级俄语“课程思政”的实施路径

中国俄语教学 2020年第2期39卷 87-92页

作者：李锦霞刘红侠河北师范大学外国语学院 050012

高级俄语课程素材反映当代俄罗斯社会现状、俄罗斯人的思维和价值观,蕴含丰富的思想政治教育资源,为开展课程思想政治教育提供了可能。授课过程中应整合教育内容、教师、教学方式三个方面的情感认同,最终实现课程与思想政治理论课的同... 详细信息

高级俄语课程素材反映当代俄罗斯社会现状、俄罗斯人的思维和价值观,蕴含丰富的思想政治教育资源,为开展课程思想政治教育提供了可能。授课过程中应整合教育内容、教师、教学方式三个方面的情感认同,最终实现课程与思想政治理论课的同向同行,形成协同效应。

关键词：思想政治教育隐性教育资源可行性实现路径

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异步时钟亚稳态及FIFO标志位的产生

电子技术应用 2006年第11期32卷 99-102页

作者：徐世伟刘严严刘红侠西安电子科技大学微电子学院陕西西安710071

在实际工作中常常遇到由异步时钟产生亚稳态的问题。针对这个问题阐述了几种解决方案,其中异步FIFO应用更广泛。在FIFO中关键的问题是标志位的产生,提出了一种新的异步比较产生空满标志位,然后再利用锁存器实现标志位与时钟的同步,同时... 详细信息

在实际工作中常常遇到由异步时钟产生亚稳态的问题。针对这个问题阐述了几种解决方案,其中异步FIFO应用更广泛。在FIFO中关键的问题是标志位的产生,提出了一种新的异步比较产生空满标志位,然后再利用锁存器实现标志位与时钟的同步,同时在Cadence的EDA平台上实现了逻辑仿真和时序仿真。

关键词：异步 FIFO 亚稳态格雷码绳解法

The study on two-dimensional analytical model for gate stack fully depleted strained Si on silicon-germanium-on-insulator MOSFETs

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Chinese Physics B 2010年第10期19卷 485-491页

作者：李劲刘红侠李斌曹磊袁博 Key Laboratory of Ministry of Education for Wide Bandgap Semiconductor Devices School of Microelectronics Xidian University

Based on the exact resultant solution of two-dimensional Poisson＇s equation in strained Si and Si1-xCex layer, a simple and accurate two-dimensional.analytical model including surface channel potential, surface channel electric field, threshold voltage and subthreshold swing for fully depleted gate stack strained Si on silicon-germanium-on-insulator （SGOI） MOSFETs has been developed. The results show that this novel structure can suppress the short channel effects （SCE）, the drain-induced barrier-lowering （DIBL） and improve the subthreshold performance in nanoelectronics application. The model is verified by numerical simulation. The model provides the basic designing guidance of gate stack strained Si on SGOI MOSFETs.

关键词： silicon-germanium-on-insulator MOSFETs strained Si short channel effects the draininduced barrier-lowering

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老年人公寓居住者抑郁症状及其影响因素

中国临床康复 2006年第14期10卷 32-35页

作者：苏展王丽敏张亮刘红侠哈尔滨医科大学公共卫生学院健康教育学教研室黑龙江省哈尔滨市150086

目的:调查老年人公寓居住者抑郁症状的发生率及其影响因素。方法:于2004-09/2005-01以哈尔滨市大型、设有医疗卫生系统的老年人公寓作为调查单位。选择市属和省属老年人公寓各1所,以在此生活的年龄≥60岁者为观察对象。入组241人。采用... 详细信息

目的:调查老年人公寓居住者抑郁症状的发生率及其影响因素。方法:于2004-09/2005-01以哈尔滨市大型、设有医疗卫生系统的老年人公寓作为调查单位。选择市属和省属老年人公寓各1所,以在此生活的年龄≥60岁者为观察对象。入组241人。采用老年抑郁量表筛查老年抑郁症状;采用团体用心理社会应激调查表中的生活事件、积极应对方式、消极应对方式3个应激因素作为调查因素;采用WHO生存质量测定量表简表中的G4健康状况满意度、F1.4疼痛的影响、F11.4医疗的依赖性、F18.1自我感觉的经济能力、F9.1行动能力、F10.3日常生活能力满意度、F11.3居住条件满意度项目作为调查因素;主观社会支持由WHO生存质量测定量表中有关社会支持的满意度方面项目测得;采用酒精依赖疾患识别测验筛查该人群的饮酒问题。自编问卷调查个人情况:包括性别、年龄、宗教信仰、婚姻状况、有无子女、收入多少、文化程度、入住时间、机构养老意愿、吸烟饮酒状况、疾病状况等因素。统一调查方法和指导语,以老年人公寓楼层为单位采取入户方式进行普查。能笔答者自行填写笔答问卷,统一发放,统一回收;无法笔答者则由调查员根据口答问卷逐项询问回答。调查问卷回收后复核,如有遗漏问题及时补调。评估标准:老年抑郁量表1～10分为无抑郁,11～20分为轻度抑郁,21～30分为中重度抑郁。结果:发放问卷241份,回收241份,剔除无效问卷20份,有效问卷为221份,有效率91.7%。①老年人公寓居住者抑郁症状发生率24.9%(55人),其中轻度抑郁为17.2%(38人),中重度抑郁为7.7%(17人)。②单因素Logistic回归显示抑郁症状发生的影响因素有:健康因素(是否患病、疾病严重性、患病感受、疼痛的影响、健康状况满意度、医疗的依赖性、行动能力、日常生活能力满意度);心理社会因素(有无子女、收入、生活事件、积极应对、消极应对、自我感觉的经济能力、主观社会支持);老年人公寓相关因素(养老意愿、服务评价、居住条件满意度)。多因素Logistic逐步回归筛选出影响抑郁症状发生的因素是机构养老意愿、消极应对、健康状况满意度、自我感觉的经济能力。③单因素Logistic回归显示抑郁症状加重的影响因素有:日常生活能力满意度、消极应对、服务评价、医疗的依赖性。多因素Logistic逐步回归筛选出影响抑郁症状加重的因素是服务评价、日常生活能力满意度。结论:老年人公寓居住者抑郁症状的发生率与社区老年人群相近,低于国外一些国家的老年护理院人群,健康因素、心理社会因素及公寓相关因素对抑郁症状的发生和加重有明显影响,应针对这些影响因素实施预防、康复干预。

关键词：抑郁症老年人公寓因素分析,统计学

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可双向导通的凹栅隧穿晶体管

西安电子科技大学学报 2017年第6期44卷 70-74,168页

作者：陈树鹏王树龙刘红侠李伟汪星王倩琼西安电子科技大学宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室陕西西安710071

传统的隧穿晶体管由于自身结构的不对称性使其只有单向电流通路,造成了电路设计的诸多不便.以改善这一缺陷为目的,设计了一种新型的具有双向电流通路的高性能凹栅隧穿晶体管,并通过silvaco TCAD软件仿真的方法,对该新型晶体管的性能进... 详细信息

传统的隧穿晶体管由于自身结构的不对称性使其只有单向电流通路,造成了电路设计的诸多不便.以改善这一缺陷为目的,设计了一种新型的具有双向电流通路的高性能凹栅隧穿晶体管,并通过silvaco TCAD软件仿真的方法,对该新型晶体管的性能进行了验证.分析了器件的掺杂、尺寸等工艺参数对其能带及性能的影响机制.结果表明,该器件在0.5V驱动电压下获得了5×106的开关比,最小亚阈值摆幅仅为12mV/dec.总的来说,该器件在低驱动电压下具有较大的开关比以及非常陡峭的亚阈值曲线斜率,适用于超低功耗设计应用.

关键词：带带隧穿隧穿晶体管凹栅双向电流通路

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电荷泵电路功耗优化设计及改进

微电子学 2006年第3期36卷 373-376页

作者：阙金珍刘红侠郝跃宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室西安电子科技大学微电子学院陕西西安710071

通过简单的解析模型,提出了电荷泵电路功耗最小化的设计原则。利用这一原则,可以由输入和输出电压确定升压级数,使转换效率最大化。根据所需的输出电流,确定充电电容的值。通过对传统电荷泵电路的改进,消除了衬偏效应。在华虹NEC 0.35μ... 详细信息

通过简单的解析模型,提出了电荷泵电路功耗最小化的设计原则。利用这一原则,可以由输入和输出电压确定升压级数,使转换效率最大化。根据所需的输出电流,确定充电电容的值。通过对传统电荷泵电路的改进,消除了衬偏效应。在华虹NEC 0.35μm EEPROM CMOS工艺下进行仿真,仿真结果证明了提出的设计原则的正确性。

关键词：电荷泵功耗 EEPROM 优化设计

Electrical characteristics of SiGe-on-insulator nMOSFET and SiGe-silicon-on-aluminum nitride nMOSFET

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Chinese Physics B 2010年第12期19卷 472-477页

作者：刘红侠李斌李劲袁博郝跃 Key Lab of Ministry of Education for Wide Band-Gap Semiconductor Devices School of MicroelectronicsXidian University

This paper investigates the electrical characteristics and temperature distribution of strained Si/SiGe n-type metal oxide semiconductor field effect transistor （nMOSFET） fabricated on silicon-on-aluminum nitride （SOAN） substrate. This novel structure is named SGSOAN nMOSFET. A comparative study of self-heating effect of nMOSFET fabricated on SGOI and SGSOAN is presented. Numerical results show that this novel SGSOAN structure can greatly eliminate excessive self-heating in devices, which gives a more promising application for silicon on insulator to work at high temperatures.

关键词： electrical characteristics self-heating effect SiGe-on insulator SiGe-silicon-on-aluminum nitride

Analysis of Off-State Leakage Current Characteristics and Mechanisms of Nanoscale MOSFETs with a High-k Gate Dielectric

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Chinese Physics Letters 2012年第12期29卷 181-184页

作者：刘红侠马飞 Key Laboratory of Wide Bandgap Semiconductor Materials and Devices of Ministry of Education Xidian UniversityXi'an 710071

The off-state leakage current characteristics of nanoscale channel metal-oxide-semiconductor field-effect transistors with a high-k gate dielectric are thoroughly investigated.The off-state leakage current can be divided into three components:the gate leakage current,the source leakage current,and the substrate leakage current.The influences of the fringing-induced barrier lowering effect and the drain-induced barrier lowering effect on each component are investigated separately.For nanoscale devices with high-k gates,the source leakage current becomes the major component of the off-state leakage current.

关键词： MOSFETs barrier component