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工业园区废水治理方法分析

广东科技 2011年第22期20卷 71-72页

作者：刘煜竑衡阳市环境科学研究所

通过对电镀工业园区、化学和石化工业园区、纺织印染工业园区和综合工业园区废水水质特性及废水集中治理案例的分析,总结了工业园区废水处理的常用工艺,为类似工业园区废水处理和管理提供参考。

关键词：工业园区废水治理

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生物法处理挥发性有机废气的研究概述

科技资讯 2007年第16期5卷 245-246页

作者：邹桂香刘煜竑衡阳市环境监测站湖南衡阳421001

本文简要概述了挥发性有机废气生物处理方法在国内外的研究应用状况,分析了生物滤池、生物滴滤塔和生物洗涤器法三种主要的处理形式,比较其原理、流程以及三种反应器,并指出了未来仍需解决的几个问题。

关键词：生物法挥发性有机废气研究进展

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高氯低碳工业废水中COD浓度测定方法探讨

能源与节能 2012年第4期 48-49,51页

作者：刘利刘煜竑衡阳市环境保护监测站湖南衡阳421001

COD(化学需氧量)是废水水质监测中的重要指标及必测项目,其测定方法通常采用《水和废水检测分析方法》(第四版)(GB111914-89)中的重铬酸钾法,但对于某些COD浓度较低而氯离子浓度较高的工业废水,在氯离子影响下上述方法测定误差较大。本... 详细信息

COD(化学需氧量)是废水水质监测中的重要指标及必测项目,其测定方法通常采用《水和废水检测分析方法》(第四版)(GB111914-89)中的重铬酸钾法,但对于某些COD浓度较低而氯离子浓度较高的工业废水,在氯离子影响下上述方法测定误差较大。本文采用三种测定方法进行了实验研究、对比及分析,结果表明采用过量硫酸汞(硫酸汞:氯离子=10:1)作为掩蔽剂消除氯离子影响具有测定误差小、方便易操作等优点,完全可用于高氯低碳条件下工业废水中COD浓度的测定。

关键词： COD测定高氯离子浓度低COD浓度工业废水

提速、扩容与权力让渡——试论大语言模型的时间性及其风险

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编辑之友 2024年第3期 66-71页

作者：刘煜南京邮电大学传媒与艺术学院江苏南京210023

大语言模型凭借提速和扩容的速度属性打造出与之匹配的时间节律,并以占有和瓦解连续性工作时间的方式对个体施加潜在影响。这同时也说明,大语言模型以时间的方式影响社会生产生活的过程,实质上就是大语言模型基础设施化的过程。如何防... 详细信息

大语言模型凭借提速和扩容的速度属性打造出与之匹配的时间节律,并以占有和瓦解连续性工作时间的方式对个体施加潜在影响。这同时也说明,大语言模型以时间的方式影响社会生产生活的过程,实质上就是大语言模型基础设施化的过程。如何防止由此导致的人的主体性失位风险,将是日后与大语言模型互动时的要点所在。

关键词：大语言模型社会时间社会加速时间暴力人工智能

半包裹屏蔽层槽栅SiC MOSFET的机理与特性研究

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半包裹屏蔽层槽栅SiC MOSFET的机理与特性研究

作者：刘煜西安理工大学

学位级别：硕士

碳化硅在禁带宽度、击穿场强、电子饱和漂移速度等方面较硅材料具有明显的优势,能够满足光伏、储能、充电桩、新能源电车等领域对于功率器件小型化、轻量化、高能效的要求,逐渐从科研走向产业化。而SiC MOSFET作为SiC功率器件中一种重... 详细信息

碳化硅在禁带宽度、击穿场强、电子饱和漂移速度等方面较硅材料具有明显的优势,能够满足光伏、储能、充电桩、新能源电车等领域对于功率器件小型化、轻量化、高能效的要求,逐渐从科研走向产业化。而SiC MOSFET作为SiC功率器件中一种重要的开关器件,在轨道交通、光伏储能、工业机电等领域具有极大的发展潜力。近年来沟槽栅SiC MOSFET凭借导通电阻低、功耗小的优势逐渐成为行业研究热点,但该结构栅氧化层缺乏保护,当器件处于阻断状态时,槽栅底部栅氧化层会直接暴露在强电场中,存在栅氧提前击穿的风险。除此之外,槽栅SiC MOSFET在开关功耗、短路耐受时间等方面还具有较大的优化空间。针对上述问题,本文提出了一种新型的槽栅SiC MOSFET结构,并对其工作机理、电流输运机制以及器件特性进行分析研究,主要研究内容及成果如下:1、提出了一种具有P型半包裹屏蔽层的槽栅SiC MOSFET新结构（Trench MOSFET with Half-Wrapped P-type Shield,HW-TMOS）,该结构采用新型屏蔽层结构,通过栅极沟槽下方的半包裹屏蔽层调制电场,将器件内部电场尖峰由栅氧化层转移至半包裹屏蔽层与漂移区形成的PN结处,有效地屏蔽了栅氧化层处的电场聚集,提高了栅氧化层可靠性;同时结合两级电流扩展层,弱化了半包裹屏蔽层和基区之间形成的JFET区对器件导通特性的影响,实现HW-TMOS结构击穿电压、导通电阻与栅氧电场等静态参数指标间的良好折中;此外半包裹屏蔽层与源极等电位,通过将栅漏电容转化为栅源电容,优化了器件的高频优值和开关功耗,使之具有良好的动态性能。2、对HW-TMOS的静动态电学特性进行研究,结果表明HW-TMOS结构击穿电压为1534V,相较于传统结构提高了 13.7%,在同等耐压下,HW-TMOS结构的栅氧峰值电场为1.07MV/cm,同比下降了 73.1%。同时HW-TMOS中半包裹屏蔽层通过与源极短接,将部分栅漏电容转化为栅源电容,从而使得HW-TMOS的栅漏电容和栅漏电荷分别较传统结构提升了 80.1%与36.4%,且HW-TMOS的开关损耗仅为传统结构的64.7%。针对HW-TMOS器件结构特点,对影响器件性能的半包裹屏蔽层电位、半包裹屏蔽层厚度、电流扩展层2掺杂浓度、漂移区掺杂浓度、基区掺杂等关键参数进行折中讨论。分析结果表明,当Tpshield为0.5μm,Ncsl2为3e16cm-3,Ndrift为6e15cm-3,Npbase为2e17cm-3时,器件综合性能较优。3、研究了HW-TMOS在短路应力下的可靠性,结合器件在短路过程中不同时刻下的电流、温度分布情况,得出HW-TMOS的短路机制与器件内部寄生晶体管的开启有关,寄生三极管的导通电流与器件内部温升形成正反馈从而导致器件失效。探究了半包裹屏蔽层厚度对于器件短路能力的影响,器件短路耐受能力会随着屏蔽层厚度的增加而提高。得益于更低的饱和电流,HW-TMOS的短路耐受时间为10μs,相较于C-TMOS提高了66.6%,同时短路特性优值FOM也较C-TMOS提高了41.4%。4、对HW-TMOS在雪崩模式下的耐受能力展开研究,HW-TMOS在单次UIS应力下的临界失效脉冲宽度为2.2ms,对应的雪崩耐量Eav为0.575J/cm2。HW-TMOS在UIS过程中的失效机制与短路过程类似,雪崩过程中产生高雪崩电压和大漏源电流使得器件晶格温度持续上升,从而导致器件寄生NPN晶体管开启,与高温形成正反馈,当温度超过器件所能承受的极限时,器件发生失效。除此之外,还分析了栅极关断电压VGSOFF以及环境温度对HW-TMOS UIS特性的影响。

关键词： SiC MOSFET 栅氧峰值电场开关损耗短路可靠性非钳位感性负载开关

组蛋白去乙酰化酶2对肺纤维化上皮间充质转化的影响及相关机制

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组蛋白去乙酰化酶2对肺纤维化上皮间充质转化的影响及相关机制

作者：刘煜贵州大学

学位级别：硕士

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基于GNC62的在机测量软件开发

基于GNC62的在机测量软件开发

作者：刘煜西安工业大学

学位级别：硕士

机械加工领域大量高精度要求的工件数控加工过程中,其加工序中和序后通常需要人工介入完成关键尺寸的测量,不仅增加了加工时间,而且影响零件加工的质量。基于加工测量一体化的在机测量技术,以其成本低、加工过程可检测、无需搬运与反复... 详细信息

机械加工领域大量高精度要求的工件数控加工过程中,其加工序中和序后通常需要人工介入完成关键尺寸的测量,不仅增加了加工时间,而且影响零件加工的质量。基于加工测量一体化的在机测量技术,以其成本低、加工过程可检测、无需搬运与反复装夹等优势被广泛应用于数控加工过程中。在机测量软件是在机测量技术有效应用于工程项目的重要载体,本文基于科德GNC62数控系统,对在机测量软件进行研究与开发。论文主要工作内容包括:1)分析科德GNC62数控系统在机测量过程和特点,设计了在机测量系统的整体流程和方案,对在机测量软件需求进行了分析,提出了在机测量软件的主要功能模块。在分析测头预行程误差的基础上,设计了基于查表法的预行程误差补偿方法。分析了GNC62数控系统基本测量模块,设计了GNC62在机测量程序的开发流程和调用模式。2)提出了基本测量特征模型,分析了基本测量特征描述信息,基于CAD模型几何信息、加工信息、测量信息等设计了测量特征数据结构。提出了基本测量特征的测量流程和数据处理算法,对每类测量特征对应的形位尺寸数据设计了拟合算法,面向实际在机测量应用设计了多特征的测量路径规划方法和流程。3)分析了在机测量软件的设计原则和方法,设计了在机测量宏程序模块、测量特征创建模块、测量程序生成模块和零件找正模块,开发了GNC62在机测量软件。基于GNC仿真系统对测量路径进行了模拟。完成了标定实验和预行程误差校正实验,通过雷尼绍典型件的测量实验验证了在机测量软件的正确性。实验结果表明,基于GNC62数控系统的在机测量软件具备实际在机测量应用能力,并且其测量结果满足精度要求。

关键词：在机测量数控系统测量程序误差补偿形位尺寸

N,N'-二环己基-N-亚麻酸酰脲抑制脊髓损伤大鼠炎症及作用机制

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N,N'-二环己基-N-亚麻酸酰脲抑制脊髓损伤大鼠炎症及作用机制

作者：刘煜广西大学

学位级别：硕士

可用于血氧检测的基于高分辨率ADC的光-数转换器

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可用于血氧检测的基于高分辨率ADC的光-数转换器

作者：刘煜电子科技大学

学位级别：硕士