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1996年

作者：刘景和崔元仁李玉珍

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汇雅图书（南通市图书馆）

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Er：LiGdF4晶体生长及光谱性能

硅酸盐学报 2010年第10期38卷 1918-1921页

作者：李春张莹张学建林海 TONELLI M Di LIETO A 王成伟曾繁明刘景和长春理工大学材料科学与工程学院长春130022 吉林建筑工程学院长春130021 NEST-Nanoscience Institute-CNR and Dipartimento di Fisica Universita di Pisa Largo B.Pontecorvo 356127 PisaItaly

采用提拉法生长出掺铒氟化钆锂(Er3+:LiGdF4,Er:LGF)激光晶体。晶体生长工艺参数为:提拉速率为0.16mm/h,晶体转速为3r/min,冷却速率为10℃/h。X射线粉末衍射分析表明:晶体属于四方晶系,白钨矿结构,空间群为I41/a,计算的晶胞参数:a=0.519... 详细信息

采用提拉法生长出掺铒氟化钆锂(Er3+:LiGdF4,Er:LGF)激光晶体。晶体生长工艺参数为:提拉速率为0.16mm/h,晶体转速为3r/min,冷却速率为10℃/h。X射线粉末衍射分析表明:晶体属于四方晶系,白钨矿结构,空间群为I41/a,计算的晶胞参数:a=0.5196nm,c=1.10286nm。晶体的吸收光谱和荧光光谱表明:晶体在659,980nm和1540nm附近的吸收峰较强,其中在1540nm处的吸收截面为1.09×10-20cm2。在激光二极管的532nm波长泵浦下,发射峰分别位于995nm和1530nm附近,其中1530nm处的半高宽为52nm。

关键词：掺铒氟化钆锂晶体激光晶体提拉法吸收光谱荧光光谱

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掺钕钨酸钇钠晶体的缺陷

硅酸盐学报 2006年第10期34卷 1249-1254页

作者：朱忠丽刘景和林海万玉春孙域长春理工大学材料与化工学院长春130022

掺钕钨酸钇钠晶体Nd:NaY(WO4)2是一种性能优良的激光晶体。对该晶体中的包裹物、生长台阶等缺陷进行了观察,并分析了缺陷产生的原因。在晶体的不同部位取样进行扫描电镜和能谱分析,发现随着晶体生长过程的进行,晶体中Nd3+的浓度逐渐增... 详细信息

掺钕钨酸钇钠晶体Nd:NaY(WO4)2是一种性能优良的激光晶体。对该晶体中的包裹物、生长台阶等缺陷进行了观察,并分析了缺陷产生的原因。在晶体的不同部位取样进行扫描电镜和能谱分析,发现随着晶体生长过程的进行,晶体中Nd3+的浓度逐渐增加。研究了晶体中位错蚀坑的分布特点,发现位错蚀坑的密度与晶体生长的不同部位、Nd3+的掺杂浓度等因素有关。

关键词：掺钕钨酸钇钠晶体形貌缺陷位错蚀坑

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石英晶体的条纹缺陷及其对透过率的影响

硅酸盐学报 2010年第2期38卷 192-195页

作者：王强涛尹利君孙志文刘巨澜王立弟李春刘景和长春理工大学材料科学与工程学院长春130022 人工晶体研究院烁光特晶科技有限公司北京100018

采用正交偏光条纹检测仪观察了水热法生长的光学石英晶体中的条纹缺陷,分析了光学石英晶体中条纹缺陷产生的原因和对晶体样品的透过率的影响。结果表明:晶体中的条纹缺陷主要是由在生长过程中籽晶中缺陷的遗传和高压釜中局部生长条件变... 详细信息

采用正交偏光条纹检测仪观察了水热法生长的光学石英晶体中的条纹缺陷,分析了光学石英晶体中条纹缺陷产生的原因和对晶体样品的透过率的影响。结果表明:晶体中的条纹缺陷主要是由在生长过程中籽晶中缺陷的遗传和高压釜中局部生长条件变化引起的。有条纹和无条纹缺陷晶体在400～800nm波段存在最高吸收峰,800～2500nm波段存在最低吸收峰。有条纹缺陷和无条纹缺陷晶体样品的透过率存在0.64%的差异。

关键词：石英晶体条纹缺陷透过率籽晶水热法

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钽酸锂晶体波导基片光损伤的研究

硅酸盐学报 1995年第6期23卷 705-707页

作者：李铭华赵业权徐玉恒刘景和杨奎盛哈尔滨工业大学应用化学系长春光学精密机械学院材料工程系

用硅钼棒作加热体，用熔体提拉法生长了ＬｉＴａＯ＿３晶体，晶体的双折射梯度可达１０￣（－５）ｃｍ￣（－１）数量级。用质子交换法制作了ＬｉＴａＯ＿３光波导基片，其抗光损伤能力高于ＬｉＮｂＯ＿３，是优良的集成光学和非线性光... 详细信息

用硅钼棒作加热体，用熔体提拉法生长了ＬｉＴａＯ＿３晶体，晶体的双折射梯度可达１０￣（－５）ｃｍ￣（－１）数量级。用质子交换法制作了ＬｉＴａＯ＿３光波导基片，其抗光损伤能力高于ＬｉＮｂＯ＿３，是优良的集成光学和非线性光学材料。

关键词：钽酸锂光波导晶体生长集成光学

Yb^(3+)掺杂KY(WO_4)_2激光晶体生长、结构与光谱分析

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物理学报 2006年第6期55卷 3141-3146页

作者：张礼杰雷鸣王宇明李建立孙彧刘景和长春理工大学材料与化工学院长春130022

采用顶部籽晶提拉法(TSSG)生长出Yb:KY(WO4)2(Yb:KYW)激光晶体.对预烧后的原料及晶体进行了XRD分析,结果表明,分别在920℃和600℃预烧8h后的熔质和助熔剂基本上形成一相,抑止了实验中的挥发问题;所生长的晶体为β-Yb:KYW,计算其晶格常数... 详细信息

采用顶部籽晶提拉法(TSSG)生长出Yb:KY(WO4)2(Yb:KYW)激光晶体.对预烧后的原料及晶体进行了XRD分析,结果表明,分别在920℃和600℃预烧8h后的熔质和助熔剂基本上形成一相,抑止了实验中的挥发问题;所生长的晶体为β-Yb:KYW,计算其晶格常数为a=1·063nm,b=1·034nm,c=0·755nm,β=130·75°.测得不同厚度样品的吸收光谱,结果表明样品在933nm和981nm有较强的吸收峰,计算出主峰981nm的吸收截面σabs=5·34×10-20cm2.测得样品的荧光光谱,计算出主峰1030nm受激发射截面σem=3·1×10-20cm2,并估算其荧光寿命为0·56ms,与实测值0·60ms吻合.计算出激发态最小粒子数(β)、饱和抽运强度(Isat)和最小抽运强度(Imin),通过与其他掺Yb3+晶体比较,结果表明Yb:KYW晶体的Imin(0·24kW/cm2)很小.

关键词： Yb:KYW TSSG法晶体结构光谱参数

Cr,Yb,Ho:YAGG可调谐激光晶体生长及开裂研究

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人工晶体学报 2006年第2期35卷 213-216页

作者：刘文莉王成伟孙晶张亮刘景和中国兵器科学研究院北京100101 长春理工大学材料与化工学院长春130022

本文采用提拉法生长了Cr，Yb，Ho：YAGG可调谐激光晶体，并从理论上讨论了热应力、提拉速度、晶体转速和降温速率等因素对晶体开裂的影响，最后给出了掺铬、镱和钬钇铝镓石榴石激光晶体生长的最佳工艺条件：温度梯度为0．5℃／mm，提拉... 详细信息

本文采用提拉法生长了Cr，Yb，Ho：YAGG可调谐激光晶体，并从理论上讨论了热应力、提拉速度、晶体转速和降温速率等因素对晶体开裂的影响，最后给出了掺铬、镱和钬钇铝镓石榴石激光晶体生长的最佳工艺条件：温度梯度为0．5℃／mm，提拉速度1-2mm／h，晶体转速20-40r／min，冷却速率不超过20℃／h。

关键词： Cr,Yb,Ho:YAGG 可调谐激光晶体晶体开裂

Yb^(3+)掺杂KLa(WO_4)_2激光晶体生长与光谱分析(英文)

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硅酸盐学报 2007年第11期35卷 1531-1534页

作者：朱忠丽乔正言钱艳楠林海刘景和长春理工大学化学与环境工程学院长春130022

采用提拉法生长出掺镱钨酸镧钾[Yb:KLa(WO_4)_2,Yb:KLW]晶体,测试了晶体的红外光谱和Raman光谱,对出现的振动模式进行了归属。从X射线衍射分析得到晶胞参数a=b=0.532nm,c=1.189nm。通过热重-差热分析得到晶体的熔点为1119℃,在熔点以下... 详细信息

采用提拉法生长出掺镱钨酸镧钾[Yb:KLa(WO_4)_2,Yb:KLW]晶体,测试了晶体的红外光谱和Raman光谱,对出现的振动模式进行了归属。从X射线衍射分析得到晶胞参数a=b=0.532nm,c=1.189nm。通过热重-差热分析得到晶体的熔点为1119℃,在熔点以下没有相变。测试了晶体的吸收光谱和荧光光谱,计算了相应的光谱参数。结果表明:该晶体发射波长为1021 nm,在931,981 nm附近有较强、较宽的吸收峰,适合用InGaAs半导体激光泵浦。

关键词：掺镱钨酸镧钾晶体提拉法吸收光谱荧光光谱

溶胶-凝胶法制备掺Er^(3+)玻璃及其光谱性质

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光学技术 1998年第2期24卷 13-14页

作者：张希艳曹志峰熊启龙赵志强刘景和长春光学精密机械学院材料工程系

本文描述了用溶胶－凝胶法制备掺Ｅｒ３＋的ＳｉＯ２干凝胶和玻璃，用差热分析（ＤＴＡ）和ＦＴＩＲ研究了干凝胶和玻璃的性质，测定了掺Ｅｒ３＋凝胶和玻璃的吸收光谱和荧光光谱。

关键词：溶胶-凝胶光谱性质掺铒玻璃光学玻璃

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铌酸锂晶体的抛光机理及精密加工工艺

硅酸盐学报 2008年第11期36卷 1609-1614页

作者：刘立新张学建张莹吕凯张志斌张辉荣官周国刘景和长春理工大学长春130022 吉林建筑工程学院长春130021 西南技术物理研究所成都610041

采用Stober法制备了平均粒径分别约为50nm和300nm的SiO2抛光液。通过透射电镜、粒径测定仪、zeta电位仪测试和分析了制备的SiO2抛光液的粒径分布、分散度和稳定性。结果表明:抛光液中SiO2溶胶颗粒为球形,溶胶粒子的分散度小,并且具有较... 详细信息

采用Stober法制备了平均粒径分别约为50nm和300nm的SiO2抛光液。通过透射电镜、粒径测定仪、zeta电位仪测试和分析了制备的SiO2抛光液的粒径分布、分散度和稳定性。结果表明:抛光液中SiO2溶胶颗粒为球形,溶胶粒子的分散度小,并且具有较好的稳定性。用制备的粒径分别为50nm和300nm的SiO2抛光液对铌酸锂晶体样品进行化学机械抛光,研究了压力、抛光盘速度、抛光液流量及时间对抛光过程的影响。抛光结果表明:采用粒径为50nm的SiO2抛光液的抛光效果最好。最佳抛光工艺参数是:采用沥青抛光盘,50nm的SiO2抛光液,转速为40r/min,抛光液流量为3mL/min,压力为17kPa,抛光时间为60min,去除率为30nm/min。采用激光平面干涉仪、原子力显微镜检测了抛光后样品的面型精度和粗糙度,样品的最佳面型精度为0.134λ(λ=0.6328nm),粗糙度为0.32λ。

关键词：铌酸锂晶体二氧化硅抛光液化学机械抛光环形抛光