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TbDyFe/PZT层状复合材料的磁电效应研究

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物理学报 2005年第8期54卷 3872-3877页

作者：万红谢立强吴学忠刘希从国防科学技术大学航天与材料工程学院长沙410073 国防科学技术大学机电工程与自动化学院长沙410073

磁致伸缩/压电复合材料通过磁致伸缩和压电效应的乘积而可以获得大的磁电效应.用磁控溅射方法制备了TbDyFe/PZT层状复合材料,实验测试了TbDyFe/PZT两层及TbDyFe/PZT/TbDyFe三层复合材料的磁电电压系数随周期磁场频率的变化关系,并采用... 详细信息

磁致伸缩/压电复合材料通过磁致伸缩和压电效应的乘积而可以获得大的磁电效应.用磁控溅射方法制备了TbDyFe/PZT层状复合材料,实验测试了TbDyFe/PZT两层及TbDyFe/PZT/TbDyFe三层复合材料的磁电电压系数随周期磁场频率的变化关系,并采用有限元数值计算方法对两种材料的磁电电压系数进行了计算.研究结果表明,实验测试曲线与数值计算结果符合很好,所制备的层状复合材料在共振频率处存在最大的磁电电压系数值,由于两层板与三层板的振动模式不同,三层复合板的共振频率远高于两层复合板的共振频率.在非共振频率下,三层复合板的磁电转换效应高于两层复合板.有限元计算结果还显示,磁电层状复合材料的磁电电压系数随磁致伸缩层厚度的增加而增大.

关键词：层状复合材料 TbDyFe PZT 效应研究三层复合板共振频率磁致伸缩压电复合材料电压系数三层复合材料数值计算方法计算结果磁控溅射磁电效应压电效应变化关系实验测试研究结果测试曲线振动模式转换效应有限元

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铝碳化硅复合材料T/R组件封装外壳的研制

电子元件与材料 2003年第2期22卷 17-19页

作者：熊德赣刘希从赵恂卓钺国防科技大学航天与材料工程学院湖南长沙410073

介绍了铝碳化硅复合材料T/R组件封装外壳的研制。用磷酸铝溶液、聚乙二醇、蒸馏水、糊精和淀粉配制碳化硅浆料的粘结剂,采用双向模压法制备带金属镶嵌件的近净成型的碳化硅预制件。碳化硅预制件经压力浸渗后得铝碳化硅复合材料构件坯料... 详细信息

介绍了铝碳化硅复合材料T/R组件封装外壳的研制。用磷酸铝溶液、聚乙二醇、蒸馏水、糊精和淀粉配制碳化硅浆料的粘结剂,采用双向模压法制备带金属镶嵌件的近净成型的碳化硅预制件。碳化硅预制件经压力浸渗后得铝碳化硅复合材料构件坯料。构件坯料用金刚石砂轮和电火花进行少量机械加工,并进行化学镀镍后得到铝碳化硅复合材料T/R组件封装外壳。

关键词：封装铝碳化硅复合材料预制件 T/R组件压力浸渗

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W/Cu复合材料的初步研究

兵工学报 1990年第3期11卷 92-95页

作者：刘希从史烽杨丹魏克泰国防科技大学

初步研究了先将W丝镀Cu然后再热压的制造W/Cu复合材料的工艺。由于冷拔态W丝在1123K以上强度即下降,且强度下降的程度随加热时间的延长而加剧,因此,W/Cu复合材料的热压温度不宜超过1123K,热压时间以30～60分钟为好。适当的热压工艺参数... 详细信息

初步研究了先将W丝镀Cu然后再热压的制造W/Cu复合材料的工艺。由于冷拔态W丝在1123K以上强度即下降,且强度下降的程度随加热时间的延长而加剧,因此,W/Cu复合材料的热压温度不宜超过1123K,热压时间以30～60分钟为好。适当的热压工艺参数可以制备出高性能的W/Cu复合材料,其拉伸强度大都可达80～90%的ROM值。

关键词：复合材料钨铜金属穿甲弹

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影响颗粒增强铝基复合材料热导率因素研究

特种铸造及有色合金 2003年第Z1期23卷 20-22页

作者：熊德赣刘希从赵恂卓钺国防科技大学

研究了颗粒种类、粘接剂含量和界面状态对颗粒增强铝基复合材料热导率的影响.制备了碳化硅和立方氮化硼两种颗粒及粘接剂添加量不同复合材料,并通过1 300 ℃下湿氧气氛氧化、氢氟酸酸洗及将复合材料在600 ℃时进行长时间热处理从而获得... 详细信息

研究了颗粒种类、粘接剂含量和界面状态对颗粒增强铝基复合材料热导率的影响.制备了碳化硅和立方氮化硼两种颗粒及粘接剂添加量不同复合材料,并通过1 300 ℃下湿氧气氛氧化、氢氟酸酸洗及将复合材料在600 ℃时进行长时间热处理从而获得不同的界面状态.由于立方氮化硼颗粒本身的热导率高于碳化硅颗粒,尽管前者的体积分数高,但其复合材料的热导率仍高于后者.随着粘接剂添加量增多,复合材料的热导率逐渐降低.高温湿氧气氛处理后,碳化硅颗粒表面被氧化硅覆盖,制备的复合材料热导率明显降低;酸洗处理后,碳化硅颗粒中的杂质基本去除,制备的复合材料热导率得到提高.随着高温处理时间延长,复合材料的热导率先升高后降低.

关键词：颗粒增强铝基复合材料立方氮化硼界面热导率

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超磁致伸缩薄膜材料及其应用

中国有色金属学报 2000年第S1期10卷 266-270页

作者：谢海涛斯永敏杨德明刘希从国防科技大学材料工程与应用化学系长沙410073

超磁致伸缩薄膜是一种应用于微型机电系统及传感器的新型材料 ,它具有很高的机电耦合系数、较高的响应速度以及非接触式驱动等优点。对磁致伸缩薄膜的研究现状进行了综述 ,介绍了磁致伸缩薄膜的制备方法 ,性能特征及应用前景。

关键词：超磁致伸缩薄膜材料

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AlSiC电子封装基片的制备与性能

中国有色金属学报 2006年第11期16卷 1913-1917页

作者：熊德赣刘希从鲍小恒白书欣杨盛良赵恂国防科技大学航天与材料工程学院长沙410073

采用模压成形制备SiC预制件和真空压力浸渗相结合的技术，成功制备出AISiC电子封装基片。研究磷酸铝含量和成形压力对SiC预制件抗弯强度和孔隙率的影响规律，并对所制备的AISiC电子封装基片的性能进行评价。结果表明，在磷酸铝含量为0... 详细信息

采用模压成形制备SiC预制件和真空压力浸渗相结合的技术，成功制备出AISiC电子封装基片。研究磷酸铝含量和成形压力对SiC预制件抗弯强度和孔隙率的影响规律，并对所制备的AISiC电子封装基片的性能进行评价。结果表明，在磷酸铝含量为0．8%，成形压力为200MPa时，经600℃恒温2h处理的SiC预制件抗弯强度为8．46MPa，孔隙率为37％。当温度为100～500℃时，AISiC电子封装基片的热膨胀系数介于6．88×10^-6和8．14×10^-6℃^-1之间，热导率为170W／（m·K），抗弯强度为398MPa，气密性小于1×10^-8Pa·m^3／s。用钯盐活化进行化学镀镍，得到光亮、完整的镀层。镀层于450℃恒温120s后，镀层不变色，未见起皮和鼓泡。

关键词： AISiC电子封装基片气密性真空压力浸渗化学镀镍

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弛豫对低场下的薄膜磁致伸缩性能影响模型

材料科学与工程 2002年第3期20卷 396-398,409页

作者：谢海涛斯永敏马青松刘希从国防科技大学材料与应用化学系湖南长沙410073

基于非晶合金结构微缺陷的Egami模型 ,本文提出了一个弛豫影响低场下的磁致伸缩性能模型。在此模型中 ,低磁场下的磁化和磁致伸缩乃是 180°磁畴旋转的结果 ,而 180°磁畴的壁移磁化过程将被非晶的结构微缺陷所钉扎 ,而在较高磁场情况... 详细信息

基于非晶合金结构微缺陷的Egami模型 ,本文提出了一个弛豫影响低场下的磁致伸缩性能模型。在此模型中 ,低磁场下的磁化和磁致伸缩乃是 180°磁畴旋转的结果 ,而 180°磁畴的壁移磁化过程将被非晶的结构微缺陷所钉扎 ,而在较高磁场情况下 ,不产生磁致伸缩的壁移磁化过程被启动。退火过程将发生非晶相的结构弛豫 ,使非晶相内由结构缺陷产生的应力降低 ,从而导致低磁场下的磁致伸缩得以提高。此模型可以很好地解释各工艺状态的Tb0 .2 7Dy0 .73 Fe2

关键词：超磁致伸缩薄膜非晶态弛豫巨磁致伸缩材料 Egami微观应力涨落模型