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磁场退火对CoFeNiNbSiB薄带巨磁阻抗的影响

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金属学报 2002年第10期38卷 1087-1090页

作者：吴厚政刘宜华代由勇张林萧淑琴山东大学物理与微电子学院济南250100

本文研究了磁场退火对CoFeNiNbSiB非晶薄带巨磁阻抗（GMI）效应的影响.样品在不同条件下进行了退火热处理.结果表明,在300℃下经横向磁场退火处理后获得了最佳的软磁特性,从而得到了最大的GMI效应.在800kHz的交变电流频率下,得到了236... 详细信息

本文研究了磁场退火对CoFeNiNbSiB非晶薄带巨磁阻抗（GMI）效应的影响.样品在不同条件下进行了退火热处理.结果表明,在300℃下经横向磁场退火处理后获得了最佳的软磁特性,从而得到了最大的GMI效应.在800kHz的交变电流频率下,得到了236％的最大磁阻抗比.在低场下,材料的磁阻抗磁场灵敏度达到1152％/mT.

关键词：磁场退火巨磁阻抗效应非晶态软磁钴基合金薄带趋肤效应

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Co-Nb/Cr磁性多层膜的振荡耦合

金属学报 1998年第4期34卷 412-415页

作者：娄坚鑫颜世申刘宜华山东大学物理系济南250100

Co—Nb／Cr磁性多层膜由高频溅射方法制得由振动样品磁强计测量作品的磁性能在2．67Pa溅射氩气压下，发现样品随Cr层厚度增加，铁磁层间出现铁磁性和反铁磁性的耦合振荡，饱和磁化强度Ms基本保持不变，而在0.67Pa溅射氩气压下，样品的... 详细信息

Co—Nb／Cr磁性多层膜由高频溅射方法制得由振动样品磁强计测量作品的磁性能在2．67Pa溅射氩气压下，发现样品随Cr层厚度增加，铁磁层间出现铁磁性和反铁磁性的耦合振荡，饱和磁化强度Ms基本保持不变，而在0.67Pa溅射氩气压下，样品的饱和磁化强度Ms发生了振荡，这可能与其铁磁层中顺磁分量振荡变化有关.

关键词：磁性多层膜铁磁耦合反铁磁耦合

沉积态(Fe_(88)Zr_7B_5)_(0.97)Cu_(0.03)软磁合金薄膜的磁性和巨磁阻抗效应

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金属学报 2004年第12期40卷 1295-1298页

作者：陈卫平萧淑琴王文静刘宜华浙江台州学院物理系临海317000 山东大学物理与微电子学院济南250100

采用射频溅射法在单晶硅衬底上制备了(Fe88Zr7B5)0.97Cu0.03非晶软磁合金薄膜样品,对沉积态样品的软磁性能和巨磁阻抗(GMI)效应进行了实验研究与机理分析.结果表明,未掺Cu元素的Fe88Zr7B5沉积态合金薄膜几乎无GMI效应,而掺了适量Cu元素... 详细信息

采用射频溅射法在单晶硅衬底上制备了(Fe88Zr7B5)0.97Cu0.03非晶软磁合金薄膜样品,对沉积态样品的软磁性能和巨磁阻抗(GMI)效应进行了实验研究与机理分析.结果表明,未掺Cu元素的Fe88Zr7B5沉积态合金薄膜几乎无GMI效应,而掺了适量Cu元素的(Fe88Zr7B5)0.97Cu0.03合金薄膜在沉积态下即具有显著的GMI效应.在13 MHz频率下,最大纵向磁阻抗比达17％,最大横向磁阻抗比为11％,这表明(Fe88Zr7B5)0.97Cu0.03非晶合金薄膜在沉积态已具备优异的软磁性能和巨磁阻抗效应.同时讨论了该薄膜样品的巨磁阻抗效应随频率的变化特性.

关键词： Fe-Zr—B—Cu非晶薄膜软磁性能趋肤效应巨磁阻抗效应

Dy和Yb部分替代La_(0.67)Ca_(0.33)MnO_3中的La的影响

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材料研究学报 2002年第6期16卷 565-569页

作者：刘宜华张汝贞黄宝歆山东大学物理学院和晶体材料国家重点实验室

用Dy和Yb部分替代La0.67Ca0.33MnO3中的La使材料的居里温度单调下降.掺Dy使材料的相变温度单调下降,峰值电阻率迅速增大,磁电阻比急剧增大.掺入13％(原子分数)的Dy可使材料的最大磁电阻比增大近40倍.而掺Yb对磁电阻的影响要小得多.用自... 详细信息

用Dy和Yb部分替代La0.67Ca0.33MnO3中的La使材料的居里温度单调下降.掺Dy使材料的相变温度单调下降,峰值电阻率迅速增大,磁电阻比急剧增大.掺入13％(原子分数)的Dy可使材料的最大磁电阻比增大近40倍.而掺Yb对磁电阻的影响要小得多.用自旋团簇理论可以解释庞磁电阻的形成.

关键词： La0.67Ca0.33MnO3 稀土掺杂锰氧化物庞磁电阻自旋团簇晶格效应镝镱镧替代效应磁性

Fe-Cu-Cr-V-Si-B三明治膜的巨磁阻抗效应

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金属学报 2001年第3期37卷 277-280页

作者：代由勇刘宜华萧淑琴张林吴厚政张延忠山东大学物理系济南250100 上海钢铁研究所研究中心上海200940

用射频溅射法制备了Ｃｕ夹层的Ｆｅ－Ｃｕ－Ｃｒ－Ｖ－Ｓｉ－Ｂ三明治膜，在不同条件下对样品进行了退火处理，在最佳退火条件下，样品的软磁特性得到明显改善，从而获得了优良的巨磁阻抗（ＧＭＩ）效应．研究了ＧＭＩ效应与交变电流... 详细信息

用射频溅射法制备了Ｃｕ夹层的Ｆｅ－Ｃｕ－Ｃｒ－Ｖ－Ｓｉ－Ｂ三明治膜，在不同条件下对样品进行了退火处理，在最佳退火条件下，样品的软磁特性得到明显改善，从而获得了优良的巨磁阻抗（ＧＭＩ）效应．研究了ＧＭＩ效应与交变电流频率ｆ和外加直流磁场Ｈ关系、在５ＭＨｚ的特征频率下，最大的横向阻抗比△ＺＨ／Ｚｍ达９１％．由于样品的三明治结构，横向磁阻抗比明显优于纵向．

关键词：磁性薄膜巨磁阻抗效应趋肤效应 Fe-Cu-Cr-V-Si-B三明治膜

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Fe-Ni/ZnSe多层膜的磁性质

科学通报 1994年第7期39卷 606-608页

作者：刘宜华张林山东大学物理系济南250100

由磁性层和非磁性层组成的多层膜,通过改变非磁性层材料的类型及多层膜的结构,可以得到各种不同性质的新材料.ZnSe属于Ⅱ—Ⅴ族半导体化合物,当掺入磁性杂质原子时,便形成稀释磁性半导体,它有许多独特的磁学和光学性质.由磁性层和ZnSe... 详细信息

由磁性层和非磁性层组成的多层膜,通过改变非磁性层材料的类型及多层膜的结构,可以得到各种不同性质的新材料.ZnSe属于Ⅱ—Ⅴ族半导体化合物,当掺入磁性杂质原子时,便形成稀释磁性半导体,它有许多独特的磁学和光学性质.由磁性层和ZnSe组成的多层膜,界面处由于原子扩散,会形成一层很薄的稀释磁性半导体层,因而使多层膜形成了一个复杂的系统.我们曾研究过Fe/ZnSe双层膜,发现在700nm的波长下;

关键词：多层膜死层磁性铁镍硒化锌

La_(0.67)Ba_(0.33)MnO_3中Ag的掺杂效应

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功能材料 2005年第1期36卷 32-34页

作者：原晓波刘宜华黄宝歆王成建梅良模山东大学物理与微电子学院和晶体材料国家重点实验室山东济南250100

在溶胶-凝胶法制备的La0.67 Ba0.33MnO3(LBMO)微粉中掺入Ag2O粉,制成一系列(LBMO)/(Ag2O)x/2(x=0～O.35,为摩尔比)掺杂材料,实验结果发现Ag掺杂可明显降低材料的电阻率.当掺Ag量为x=O.25时,样品的电阻率达到最低值.同时在居里点附近,样... 详细信息

在溶胶-凝胶法制备的La0.67 Ba0.33MnO3(LBMO)微粉中掺入Ag2O粉,制成一系列(LBMO)/(Ag2O)x/2(x=0～O.35,为摩尔比)掺杂材料,实验结果发现Ag掺杂可明显降低材料的电阻率.当掺Ag量为x=O.25时,样品的电阻率达到最低值.同时在居里点附近,样品的峰值磁电阻得到显著增强.微量的Ag掺杂有助于提高样品的自旋相关隧穿磁电阻,使低场磁电阻得到显著增强.

关键词：庞磁电阻效应低场磁电阻颗粒体系两相复合结构导电陶瓷

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稀释磁性半导体

物理学进展 1994年第1期14卷 82-120页

作者：刘宜华张连生山东大学物理系

稀释磁性半导体是指Ⅰ—Ⅵ族、Ⅳ—Ⅵ族、Ⅱ—Ⅴ族或Ⅲ—Ⅴ族化合物中，由磁性过渡族金属离子或稀土金属离子部分地替代非磁性阳离子所形成的新的一类半导体材料。这类材料的突出特点是磁性离子磁矩和能带电子自旋之间存在交换相互作用... 详细信息

稀释磁性半导体是指Ⅰ—Ⅵ族、Ⅳ—Ⅵ族、Ⅱ—Ⅴ族或Ⅲ—Ⅴ族化合物中，由磁性过渡族金属离子或稀土金属离子部分地替代非磁性阳离子所形成的新的一类半导体材料。这类材料的突出特点是磁性离子磁矩和能带电子自旋之间存在交换相互作用。由此引起材料性质发生一系列重要变化。本文系统介绍这类材料的各种物理性质，包括能带结构，ｓｐ—ｄ和ｄ—ｄ交换作用，磁性质和自旋玻璃特性，光学和磁光性质，输运特性等。最后简单介绍这类材料的应用前景。

关键词：半磁半导体磁性半导体交换作用

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金属Fe/Pd成分调制膜的结构和磁性研究

金属学报 1992年第9期28卷 B409-B412页

作者：张林刘宜华王浩山东大学物理系工程师济南250100 山东大学东南大学

用真空双源蒸镀法在玻璃衬底上制得了金属Fe/Pd成分调制膜。用X射线衍射分析了它们的调制特性和晶格结构;用振动样品磁强计进行磁性测量。结果表明:金属Fe/Pd成分调制膜中Pd层为fcc结构;随着Fe层厚度减小,Fe层结构由bcc转变为非晶态。... 详细信息

用真空双源蒸镀法在玻璃衬底上制得了金属Fe/Pd成分调制膜。用X射线衍射分析了它们的调制特性和晶格结构;用振动样品磁强计进行磁性测量。结果表明:金属Fe/Pd成分调制膜中Pd层为fcc结构;随着Fe层厚度减小,Fe层结构由bcc转变为非晶态。研究了比饱和磁化强度随Fe层厚度的变化规律并探讨了它的机理。

关键词：成分调制膜结构 Fe/Pd膜磁性