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热处理V膜制备VO_(2)薄膜的结构和光电性能

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硅酸盐学报 2021年第6期49卷 1151-1156页

作者：袁文辉刘保顺武汉高芯科技有限公司武汉430205 硅酸盐建筑材料国家重点实验室武汉理工大学武汉430070

先用磁控溅射法在石英玻璃基片上制备了金属V膜,然后经过真空退火处理被转变为VO_(2)薄膜。研究了退火温度对VO_(2)薄膜表面形貌、晶体结构、光学性能和电学性能的影响。结果表明:随着退火温度由300℃增加到450℃,VO_(2)薄膜的结晶度明... 详细信息

先用磁控溅射法在石英玻璃基片上制备了金属V膜,然后经过真空退火处理被转变为VO_(2)薄膜。研究了退火温度对VO_(2)薄膜表面形貌、晶体结构、光学性能和电学性能的影响。结果表明:随着退火温度由300℃增加到450℃,VO_(2)薄膜的结晶度明显增加。退火温度在400℃和450℃制备的样品是高纯M相单斜结构,晶粒发育较好,晶界清晰。不同温度退火的样品的表面V元素包含由4+和5+态,5+态的出现是由于表面V元素受环境中氧化导致。虽然退火温度的改变对VO_(2)薄膜的可见光透过率无明显影响,但是可以改善对太阳光的调节效率。VO_(2)薄膜半导体-金属相变温度和半导体相的电阻随热处理温度增加而增加,在400℃和450℃退火样品电阻相变前后的变化幅度可达2个数量级,450℃退火制备样品的滞后宽度和半导体金属相变临界温度分别为14.6℃和61.0℃。

关键词：二氧化钒薄膜磁控溅射真空退火半导体–金属相变

温度相关的CsPbBr_(3)纳米晶瞬态光电导响应研究

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无机材料学报 2023年第8期38卷 893-900页

作者：樊家顺夏冬林刘保顺武汉理工大学材料科学与工程学院武汉430070 武汉理工大学硅酸盐建筑材料国家重点实验室武汉430070

近年来,全无机铯铅卤化钙钛矿CsPbX_(3)(X=Cl,Br,I)纳米晶(NCs)材料因具有长载流子寿命、强光吸收、低成本制造和带隙可调性等独特的性能已成为研究的热点,但专注于CsPbBr_(3)纳米晶瞬态光电导的相关研究却很少。本工作通过配体辅助再... 详细信息

近年来,全无机铯铅卤化钙钛矿CsPbX_(3)(X=Cl,Br,I)纳米晶(NCs)材料因具有长载流子寿命、强光吸收、低成本制造和带隙可调性等独特的性能已成为研究的热点,但专注于CsPbBr_(3)纳米晶瞬态光电导的相关研究却很少。本工作通过配体辅助再沉淀法制备了CsPbBr_(3)纳米晶体,并改进了光电导薄膜样品的制样方法和真空瞬态光电导测试装置,研究了不同温度和不同激发功率对CsPbBr_(3)纳米晶瞬态光电导的影响。不同温度的瞬态光电导实验结果表明,在133~273 K温度范围内,光生电流衰减速率随着温度增加而逐渐减小,而在273~373 K温度范围内,光生电流衰减速率随着温度升高而逐渐增大。不同激发功率的瞬态光电导实验表明,激发功率从200 mW逐渐增大到1000 mW时,光生电流衰减速率增大。本工作的研究方法为研究光激发光生载流子的动力学相关行为提供了一个的新思路。

关键词：卤化铅钙钛矿 CsPbBr_(3)纳米晶光生电流瞬态光电导载流子弛豫

Visual Basic .NET数据库开发专业教程

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溅射气氛中O_2/Ar比及热处理对直流反应磁控溅射法制备玻璃基TiO_2薄膜结构与亲水性的影响

丛书名：黑魔方丛书

2004年

作者：刘保顺

本书介绍对象包括DataAdapter 、Connection、Command、DataaSet 、DataTable。另外对SQL语言、ADO、数据库报表的使用做了详细的介绍。

ISBN: (纸本)7302081808

本书介绍对象包括DataAdapter 、Connection、Command、DataaSet 、DataTable。另外对SQL语言、ADO、数据库报表的使用做了详细的介绍。

关键词：数据库开发 BASIC语言程序设计

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稀有金属材料与工程 2003年第5期32卷 339-343页

作者：赵青南刘保顺赵修建 A.W.Sleight 武汉理工大学湖北武汉430070 Oregon State University

在工作气压为0.80Pa的氧氩气混合气氛下,改变氧与氩的流量比(O2/Ar:0.10,0.20,0.30),在预先镀10nm左右SiO2的普通玻璃基片上用直流(D.C.)磁控溅射法制备了300nm左右的TiO2薄膜试样。离线在500℃、氧气氛下对试样热处理2h。用X射线光电... 详细信息

在工作气压为0.80Pa的氧氩气混合气氛下,改变氧与氩的流量比(O2/Ar:0.10,0.20,0.30),在预先镀10nm左右SiO2的普通玻璃基片上用直流(D.C.)磁控溅射法制备了300nm左右的TiO2薄膜试样。离线在500℃、氧气氛下对试样热处理2h。用X射线光电子能谱(XPS)和X射线衍射仪(XRD)分别研究了试样热处理前后的表面元素组成、离子状态和物相组成,用接触角分析仪测试了试样在紫外光(UV)照射后的水润湿角。

关键词：玻璃基TiO2薄膜亲水性直流反应磁控溅射氧气和氩气流量比

基片温度对直流反应磁控溅射法制备玻璃基TiO_2薄膜结构与亲水性的影响

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硅酸盐学报 2003年第7期31卷 678-681页

作者：赵青南刘保顺赵修建 SLEIGHT A W 武汉理工大学美国俄勒冈州立大学化学系新材料研究中心

在工作气压为 2 .0Pa的氧气氛下 ,通过改变基片温度 (室温 ,2 80℃ ,42 0℃ ) ,在预先镀 10nm左右SiO2 的普通玻璃基片上用直流磁控溅射法制备了 30 0nm左右的TiO2 薄膜试样。用X射线光电子能谱和X射线衍射仪分别研究了试样的表面元素... 详细信息

在工作气压为 2 .0Pa的氧气氛下 ,通过改变基片温度 (室温 ,2 80℃ ,42 0℃ ) ,在预先镀 10nm左右SiO2 的普通玻璃基片上用直流磁控溅射法制备了 30 0nm左右的TiO2 薄膜试样。用X射线光电子能谱和X射线衍射仪分别研究了试样的表面元素组成、离子状态和物相组成 ,用接触角分析仪测试了试样在紫外光照射后的水润湿角。结果表明 :试样表面的钛离子都以 +4价的形式存在 ,氧化钛表面易吸附OH-和CO32 - ,氧化钛中n (O)∶n (Ti) =1.90～ 1.97;基片不加热时 ,试样是非晶态 ,升高基片温度 ,薄膜结晶逐渐完善 ,并以锐钛矿形式存在。在相同时间的紫外线照射下 ,非晶TiO2 膜的润湿角从 34°降低到 2 2° ,而结晶完好的试样的润湿角从 18°～ 2 4°降低到

关键词：二氧化钛薄膜亲水性直流磁控溅射基片温度

热处理对TiO_2溅射薄膜结构和光谱性能的影响

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稀有金属材料与工程 2005年第9期34卷 1451-1454页

作者：刘保顺何鑫赵修建赵青南武汉理工大学湖北武汉430070

用直流反应磁控溅射法制备了TiO2薄膜,并对热处理前后试样的紫外可见光谱(UV-Visspectrum)和荧光发射光谱(PLSpectrunm)做了研究。发现热处理后试样的紫外可见光谱在496nm处出现了一个较为明显的吸收峰,荧光发射光谱496.5nm处出现一个... 详细信息

用直流反应磁控溅射法制备了TiO2薄膜,并对热处理前后试样的紫外可见光谱(UV-Visspectrum)和荧光发射光谱(PLSpectrunm)做了研究。发现热处理后试样的紫外可见光谱在496nm处出现了一个较为明显的吸收峰,荧光发射光谱496.5nm处出现一个荧光发射带肩。X射线光电子能谱(XPS)的分析结果表明,热处理可使薄膜中晶格氧扩散出去,生成Ti3+离子和氧空位。结合XPS的分析结果和理论计算,可推断热处理后出现的位于496nm处的吸收峰和496.5nm处的荧光带肩可被指认为薄膜中Ti3+离子的d电子跃迁产生。

关键词：热处理二氧化钛紫外可见光谱荧光光谱

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Visual ***函数技术教程 4

纳米TiO_2的表面能态及光生电子-空穴对复合过程的研究

丛书名：黑魔方丛书

2004年

作者：黄淼云刘保顺

本书介绍了***语言的函数、数学函数、字符串函数、转换、日期和时间函数、操作文件的函数、信息和交互函数等内容。

ISBN: (数字)7302080941

ISBN: (纸本)7302080941

本书介绍了***语言的函数、数学函数、字符串函数、转换、日期和时间函数、操作文件的函数、信息和交互函数等内容。

关键词： BASIC语言程序设计

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光谱学与光谱分析 2006年第2期26卷 208-212页

作者：刘保顺何鑫赵修建赵青南武汉理工大学硅酸盐材料工程教育部重点实验室湖北武汉430070

以液相法制备了水溶态纳米TiO2,并通过X射线衍射(XRD)、X射线光电子能谱(XPS)和傅里叶红外光谱仪(FTIR)对纳米TiO2的结构和组成作了细致分析。并对其紫外-可见光谱(UV-Vis spectrum)和荧光发光光谱(PL spectrum)进行了分析。结果发现纳... 详细信息

以液相法制备了水溶态纳米TiO2,并通过X射线衍射(XRD)、X射线光电子能谱(XPS)和傅里叶红外光谱仪(FTIR)对纳米TiO2的结构和组成作了细致分析。并对其紫外-可见光谱(UV-Vis spectrum)和荧光发光光谱(PL spectrum)进行了分析。结果发现纳米TiO2呈现较好的锐钛矿型,平均粒径为5 nm。水溶态纳米TiO2由于吸附而在表面形成了Ti—OH和Ti—H2O的表面态,其能级位于其价带以上约0.6和0.54eV;500℃热处理后样品的表面吸附水基本消失,但OH-仍然存在,同时在纳米TiO2晶格中出现了氧空位,其能级位于价带以上3.13 eV。对于水溶态纳米TiO2,表面复合是电子-空穴对的主要复合过程;热处理后的样品,由于表面态遭到破坏,粒子半径变大,直接复合成为电子-空穴对的主要复合过程,同时还伴随有通过氧空位的间接复合和通过Ti—OH的表面复合。

关键词：表面复合表面态纳米二氧化钛电子-空穴对

氧气分压对反应溅射制备TiO_2薄膜带隙的影响

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光谱学与光谱分析 2004年第5期24卷 603-605页

作者：赵青南李春领刘保顺赵修建武汉理工大学硅酸盐材料工程教育部重点实验室

在不同的氧气分压下 ,用直流反应磁控溅射法制备了玻璃基TiO2 薄膜试样 ,测试了试样的荧光发射光谱。结果表明 ,氧气分压为 0 35和 0 6 5Pa时 ,荧光光谱在 370 ,4 72和 5 14nm处出现发射峰 ;氧气分压为 0 10和 0 15Pa时 ,发射光谱... 详细信息

在不同的氧气分压下 ,用直流反应磁控溅射法制备了玻璃基TiO2 薄膜试样 ,测试了试样的荧光发射光谱。结果表明 ,氧气分压为 0 35和 0 6 5Pa时 ,荧光光谱在 370 ,4 72和 5 14nm处出现发射峰 ;氧气分压为 0 10和 0 15Pa时 ,发射光谱峰出现在 370和 4 90nm处。试样带隙为 3 35eV。0 35和 0 6 5Pa氧气分压下溅射的试样在带隙中有两个分别低于导带底 0 72和 0 94eV的缺陷能级 ,0 10和 0 15Pa氧气分压下溅射的试样在带隙中有一个位于导带底 0 2 3和 1 2 9eV之间的缺陷能带 ;增加氧气分压 ,缺陷能带转变成两个缺陷能级 ,在 0 6 5Pa氧气分压下 ,缺陷能级几乎消失。

关键词：氧气分压二氧化钛薄膜带隙结构直流反应磁控溅射法制备荧光发射光谱缺陷能级