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血清钙浓度与高血压性脑出血患者预后的相关性分析

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中文科技期刊数据库（全文版）医药卫生 2023年第6期 54-56页

作者：张敏刘伯飞祝永奎沈鸟松张家港市第一人民医院江苏苏州215600

将高血压性脑出血患者作为研究对象,分析血清钙的浓度对患者预后产生的影响。方法选取96名高血压性脑出血患者,将入院时血清钙浓度正常的患者分配至A组,血清钙浓度低的患者分配至B组,血清钙浓度高的患者分配至C组。对所有患者基线资料... 详细信息

将高血压性脑出血患者作为研究对象,分析血清钙的浓度对患者预后产生的影响。方法选取96名高血压性脑出血患者,将入院时血清钙浓度正常的患者分配至A组,血清钙浓度低的患者分配至B组,血清钙浓度高的患者分配至C组。对所有患者基线资料进行收集,掌握头部医学影像检测结果,包括CT和MRI,前瞻性判断血清钙浓度可能给患者预后产生的影响。结果三组患者的基线资料差异无明显差异(P>0.05),从出血部位分布情况来看,深部出血概率最高,血肿破入脑室其次,小脑出血与脑干出血概率较低。A组、B组、C组预后不良率分别为34.38%、71.88、34.38%,其中低血清钙的B组预后不良率最高(P<0.05)。Logistic回归分析结果表明,血清钙浓度偏低是影响高血压性脑出血的独立危险因素(P<0.05)。结论入院时如果患者存在低钙血症,高血压性脑出血患者的病情更严重,此类患者预后不良风险较高,说明低血清钙浓度会增加患者预后的危险程度。

关键词：血清钙浓度高血压性脑出血预后不良率相关性

严重感染性休克合并多器管功能障碍综合征的救治

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中华急诊医学杂志 2008年第1期17卷 90-92页

作者：刘伯飞张家港市第一人民医院ICU 江苏省张家港215600

严重感染性休克（severe septic shock）和多器官功能障碍综合征（multiple organ dysfunction syndrome，MODS）是过度全身炎症反应（systemic inflammatory reaction syndrome，SIRS）后的严重状态，随着病情的恶化，甚至发展为多器官脏器功能衰竭（multiple organ failure，MOF），其病死率高，临床治疗困难。本研究报道一例严重感染性休克合并MODS的救治。

关键词：多器管功能障碍综合征感染性休克多器官功能障碍综合征 inflammatory 救治全身炎症反应脏器功能衰竭临床治疗

室温合成非晶三硫化钼析氢催化剂的性能调制及其在串联制氢器件中的应用

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物理学报 2016年第11期65卷 286-292页

作者：晋中华刘伯飞梁俊辉王宁张奇星刘彩池赵颖张晓丹河北工业大学材料科学与工程学院天津300130 南开大学光电子薄膜器件与技术研究所光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室光电信息技术科学教育部重点实验室天津300071

高催化活性、低成本、良好工艺兼容性以及高稳定性的析氢催化剂是实现一体化光电化学水解制氢器件的关键,然而传统的贵金属催化剂由于储量稀缺、成本高昂而严重限制了光电化学水解制氢器件的产业化进程.本文在室温下通过湿法化学合成法... 详细信息

高催化活性、低成本、良好工艺兼容性以及高稳定性的析氢催化剂是实现一体化光电化学水解制氢器件的关键,然而传统的贵金属催化剂由于储量稀缺、成本高昂而严重限制了光电化学水解制氢器件的产业化进程.本文在室温下通过湿法化学合成法制备了高催化活性、成本低廉以及工艺兼容性好的非金属非晶三硫化钼析氢催化剂,并研究了不同催化剂滴涂量对其催化活性以及串联制氢器件制氢性能的影响.结果表明,存在最优化非晶三硫化钼催化剂滴涂量以获得最佳催化活性(10 m A/cm^2电流密度对应电势达260 mV vs.RHE(可逆氢电极),塔菲尔斜率达68 mV/dec),其粗糙表面以及多孔结构可获得更大的电化学接触面积以促进析氢反应.进一步将其作为光阴极应用于串联制氢器件,可有效降低过电势损失和提高光生电流密度输出,与光阳极结合有望提高制氢效率.

关键词：催化剂三硫化钼滴涂量催化活性

食管胃底静脉曲张破裂大出血行三腔二囊管治疗22例分析

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江苏医药 2014年第17期40卷 2084-2085页

作者：陈康刘伯飞张家港市第一人民医院急诊ICU 江苏省215600

肝硬化失代偿期合并食管胃底静脉曲张破裂出血,来势凶猛,出血量大,病死率高,控制出血是首要目标。本文回顾性分析2009年7月-2013年5月在我院ICU收治的22例肝硬化合并食管胃底静脉曲张破裂大出血应用三腔二囊管压迫止血术患者的救治效果... 详细信息

肝硬化失代偿期合并食管胃底静脉曲张破裂出血,来势凶猛,出血量大,病死率高,控制出血是首要目标。本文回顾性分析2009年7月-2013年5月在我院ICU收治的22例肝硬化合并食管胃底静脉曲张破裂大出血应用三腔二囊管压迫止血术患者的救治效果及经验教训。资料与方法1.一般资料肝硬化合并食管胃底静脉曲张破裂大出血患者22例,男13例,女8例,年龄30-73岁,中位年龄53岁。

关键词：食管胃底静脉曲张破裂出血三腔二囊管食管胃底静脉曲张破裂大出血肝硬化失代偿期肝硬化合并大出血患者治疗血行

基于溅射后腐蚀ZnO的单结微晶硅太阳电池中的陷光研究

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太阳能学报 2016年第4期37卷 801-807页

作者：白立沙刘伯飞赵慧旭赵颖张晓丹南开大学光电子薄膜器件与技术研究所南开大学光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室光电信息技术科学教育部重点实验室天津300071

采用甚高频等离子体增强化学气相沉积(VHF-PECVD)技术,研究衬底表面形貌和电学特性的变化对微晶硅单结太阳电池性能的影响。通过对不同腐蚀时间溅射ZnO∶Al衬底及基于此的微晶硅单结电池进行研究发现:衬底表面横纵特征尺寸可通过腐蚀时... 详细信息

采用甚高频等离子体增强化学气相沉积(VHF-PECVD)技术,研究衬底表面形貌和电学特性的变化对微晶硅单结太阳电池性能的影响。通过对不同腐蚀时间溅射ZnO∶Al衬底及基于此的微晶硅单结电池进行研究发现:衬底表面横纵特征尺寸可通过腐蚀时间进行有效调控,光电性能的权衡使其存在最优化衬底腐蚀时间,从而使微晶硅单结电池达到最大光吸收和高电学性能。对衬底陷光结构和电池工艺进一步调整,获得初始效率达10.01%的单结微晶硅薄膜太阳电池,将其应用到非晶硅/非晶硅锗/微晶硅三结叠层电池中,电池效率可达14.51%。

关键词：微晶硅薄膜太阳电池 VHF-PECVD 衬底陷光

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非晶硅锗电池性能的调控研究

物理学报 2013年第20期62卷 536-541页

作者：刘伯飞白立沙魏长春孙建侯国付赵颖张晓丹南开大学光电子薄膜器件与技术研究所光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室光电信息技术科学教育部重点实验室天津300071

采用射频等离子体增强化学气相沉积技术,研究了非晶硅锗薄膜太阳电池.针对非晶硅锗薄膜材料的本身特性,通过调控硅锗合金中硅锗的比例,实现了对硅锗薄膜太阳电池中开路电压和短路电流密度的分别控制.借助于本征层硅锗材料帯隙梯度的设计... 详细信息

采用射频等离子体增强化学气相沉积技术,研究了非晶硅锗薄膜太阳电池.针对非晶硅锗薄膜材料的本身特性,通过调控硅锗合金中硅锗的比例,实现了对硅锗薄膜太阳电池中开路电压和短路电流密度的分别控制.借助于本征层硅锗材料帯隙梯度的设计,获得了可有效用于多结叠层电池中的非晶硅锗电池.

关键词：非晶硅锗薄膜太阳电池短路电流密度开路电压带隙梯度

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ICU院内肺部感染病原菌及耐药性分析

江苏医药 2013年第21期39卷 2599-2602页

作者：陈茜季崇裕刘伯飞陈惠英张家港市第一人民医院ICU 江苏省215600

目的分析ICU院内肺部感染的病原菌的种类、分布及对常用抗生素的耐药情况。方法回顾性分析ICU病区387例院内肺部感染患者的病原学资料。结果共检出病原菌1073株:革兰阴性菌878株(81.8%),革兰阳性菌118株(11.0%),真菌77株(7.2%)。革兰阳... 详细信息

目的分析ICU院内肺部感染的病原菌的种类、分布及对常用抗生素的耐药情况。方法回顾性分析ICU病区387例院内肺部感染患者的病原学资料。结果共检出病原菌1073株:革兰阴性菌878株(81.8%),革兰阳性菌118株(11.0%),真菌77株(7.2%)。革兰阳性菌以金黄色葡萄球菌比例最高(71株,6.6%),对万古霉素和利奈唑胺敏感率分别为98.6%和97.2%,耐甲氧西林金黄色葡萄球菌(MRSA)48株(4.5%);革兰阴性菌前3位分别是鲍曼不动杆菌(361株,33.6%)、铜绿假单胞菌(184株,17.1%)和肺炎克雷伯菌(120株,11.2%),药敏试验呈多重耐药,泛耐药及全耐药鲍曼不动杆菌呈逐年递增趋势;真菌以白色念珠菌为主(57株,5.3%)。结论受检医院ICU病区院内肺部感染病原菌以革兰阴性菌为主,细菌耐药性明显增强。

关键词：院内感染耐药 ICU

引入微晶硅底电池的PIN型三结Si基薄膜太阳电池的制备

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光电子．激光 2011年第4期22卷 495-498页

作者：张鹤郑新霞张晓丹刘伯飞林泉樊正海魏长春孙建耿新华赵颖南开大学光电子薄膜器件与技术研究所光电信息技术科学教育部重点实验室光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室天津300071

为充分利用太阳光谱能量,在玻璃衬底的PIN型a-Si/a-SiGe电池中直接引入了微晶硅(μc-Si:H)底电池。从透明导电氧化物(TCO)衬底的光透过率估算了PIN型a-Si:H/a-SiGe:H/μc-Si:H三结电池实现高转化效率的可行性。通过调整μc-Si:H底电池... 详细信息

为充分利用太阳光谱能量,在玻璃衬底的PIN型a-Si/a-SiGe电池中直接引入了微晶硅(μc-Si:H)底电池。从透明导电氧化物(TCO)衬底的光透过率估算了PIN型a-Si:H/a-SiGe:H/μc-Si:H三结电池实现高转化效率的可行性。通过调整μc-Si:H底电池厚度考察三结电池的性能变化,结果发现,受中间电池的限制,该系列电池性能无显著变化。μc-Si:H电池量子效率(QE)测试结果表明,ZnO背反射层(BR)主要辅助800 nm以上波长光吸收。初步制备的a-Si:H/a-SiGe:H/μc-Si:H三结电池的转换效率(Eff)约为6.5%(Isc=4.75 mA/cm2,Voc=2V,FF=0.71)。

关键词： PIN型Si基薄膜太阳电池三结电池透明导电氧化物(TCO)衬底微晶硅(μc-Si:H)电池 ZnO背反射层(BR)

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重度硫丹中毒救治2例报道

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