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作者

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检索条件"作者=冯锡淇"
109 条 记 录,以下是31-40 订阅
水热法制备的BaTiO_3微晶粒的特性
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无机材料学报 1995年 第4期10卷 385-390页
作者: 施尔畏 夏长泰 仲维卓 华素坤 冯楚德 冯锡淇 张申 中国科学院上海硅酸盐研究所 中国科学院无机功能材料开放实验室
本文报道了对水热法制备的BaTiO3纳米微粒性质和缺陷研究的结果.水热法制备的BaTiO3纳米微粒形貌和线度可通过改变前驱物形式和反应条件加以适度调控.在一定的条件下,水热法得到的是在常温下能稳定存在的立方相BaTi... 详细信息
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PbWO_4闪烁晶体的辐照损伤机理研究
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物理学报 1999年 第7期48卷 1282-1291页
作者: 冯锡淇 韩宝国 胡关钦 张雁行 中国科学院上海硅酸盐研究所无机功能材料开放研究实验室
完成了640—1040℃温度范围内钨酸铅[PbWO4(PWO)]晶体的退火实验,观察到较低温退火时晶体中本征色心吸收带(350nm)先是增加,其后随退火温度的升高而逐渐降低直至消除的全过程.分析了PWO晶体的本征缺陷... 详细信息
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热电体及其应用
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激光与红外 1980年 第7期 24-30页
作者: 冯锡淇 上海硅酸盐所
本文综述热电体在辐射探测、热成象、热电能量转换等技术领域和在电介质物理基础研究方面的应用现状,并对热电体的应用和应用基础研究略作讨论。
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Bi4Ge3O12晶体:一种新的复合功能光电子材料
Bi4Ge3O12晶体:一种新的复合功能光电子材料
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'99十一省(市)光学学术会议
作者: 冯锡淇 中国科学院上海硅酸盐研究所无机功能材料开放实验室
<正>锗酸铋(BGO)晶体作为一种优良的闪烁材料已被大量应用于高能物理研究和核医学设备(如 PET 装置)。晶体生长技术的日趋成熟,不仅大大改进了闪烁性能,也为开拓它新的应用领域提供了坚实基础。利用 BGO 本身的潜力和杂质效应我...
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掺杂过渡金属LiNbO_3的晶体化学和光谱性质
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无机材料学报 1990年 第2期5卷 103-111页
作者: 刘建成 张继周 冯锡淇 徐良瑛 李法科 中国科学院上海硅酸盐研究所 华东化工学院物理系
采用提拉法生长不同 Li/Nb 比和掺杂 LiNbO_3(LN):M(M=Cr、Co、Mn、Fe)单晶。对掺杂晶体进行γ辐照和 Li_2CO_3中加热还原处理以及空气中氧化处理,发现 Mn^(2+)(?)Mn^(3+)之间价态改变。使用美国的UV-5270型分光光度计和 BGO 光谱仪对... 详细信息
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La∶PbWO_4晶体中La^(3+)离子的分布及其对晶体辐照硬度的影响
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人工晶体学报 1998年 第3期27卷 213-218页
作者: 韩宝国 冯锡淇 胡关钦 张雁行 雷宁 中国科学院无机功能材料开放实验室 中国科学院上海硅酸盐研究所
对La掺杂钨酸铅(PbWO4)晶体从其头部(靠近晶种)到尾部逐点测量了透射谱及辐照诱导色心吸收谱,实验结果清楚地证实了La掺杂改善PbWO4晶体辐照硬度的作用。根据晶体生长的分凝理论对晶体中La的分布浓度进行了计算,... 详细信息
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纳米晶体光电子性质研究进展
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无机材料学报 1995年 第3期10卷 257-264页
作者: 李文胜 冯锡淇 中国科学院上海硅酸盐研究所无机功能材料开放实验室
本文综述了近年来国内外纳米晶体光电子性质研究领域某些方面的进展情况.着重介绍了纳米晶体在光吸收、光致发光、非线性光学效应和电导率等方面的独特性能.这些研究表明,对于0~3nm晶体(纳米晶粒处于分散介质中)来说,量子尺... 详细信息
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掺杂 Bi_4Ge_3O_(12)晶体的生长和磁光性质
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无机材料学报 1991年 第4期6卷 491-494页
作者: 冯锡淇 殷之文 刘建成 胡关钦 阮元绩 中国科学院上海硅酸盐所 中国科学院上海冶金所
大的法拉第旋转和波长范围很宽的高透过率表明 Bi_4Ge_3O_(12)(BGO)晶体在磁光应用方面很有价值。我们已用坩埚下降法生长了纯的和掺杂 BGO∶M(M=Fe,Cr,Ni,W,Mn,Ce,Gd,Er 和 Nd)晶体,并测量了它们的 Verdet 常数和光吸收谱,给出了 BGO ... 详细信息
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LiNbO_3∶Fe晶体中光写入阵列平面光波导的实验实现
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光子学报 2003年 第4期32卷 421-424页
作者: 赵建林 李碧丽 杨德兴 张鹏 冯锡淇 西北工业大学应用物理系光子学研究室 西安710072 中国科学院上海硅酸盐研究所无机功能材料重点实验室 上海200050
采用两束相干平行光形成的干涉光场辐照LiNbO3 ∶Fe晶体 ,通过光折变效应在晶体中写入了阵列平面光波导 分别采用马赫 -曾德干涉仪光路和光栅衍射法测量了阵列平面光波导的横向折射率分布和周期 ,并对所写入的阵列平面光波导进行了初... 详细信息
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杂质对锗酸铋晶体光学质量的影响
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功能材料 1992年 第2期23卷 92-94页
作者: 徐力 潘志雷 胡关钦 冯锡淇 中国科学院上海硅酸盐研究所 上海200050
杂质引起的各种缺陷,对锗酸铋(Bi_4Ge_3O_(12)简称BGO 晶体的光学质量产生严重影响。本工作利用透过光谱比较、光学显微术、扫描电子显微镜、电子探针分析等手段研究了这些缺陷的形貌和形成机理,也讨论了改善晶体光学质量的方法。
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