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H^＋注入锗酸铋晶体表面层的性质

光学学报 1994年第2期14卷 203-207页

作者：冯锡淇邵天浩中国科学院上海硅酸盐研究所中国科学院上海治金研究所

Ｈ＋注入锗酸铋（Ｂｉ４Ｇｅ３Ｏ１２或ＢＧＯ）晶体引起某些效应，如辐射损伤，光学吸收和近表层区域的晶体分解．经Ｈ＋注入后，ＢＧＯ晶体的颜色变成棕色，但实验中证实不了该变化是由色心的产生所引起．此外，实验中也未观察到Ｈ＋... 详细信息

Ｈ＋注入锗酸铋（Ｂｉ４Ｇｅ３Ｏ１２或ＢＧＯ）晶体引起某些效应，如辐射损伤，光学吸收和近表层区域的晶体分解．经Ｈ＋注入后，ＢＧＯ晶体的颜色变成棕色，但实验中证实不了该变化是由色心的产生所引起．此外，实验中也未观察到Ｈ＋注入ＢＧＯ晶体中有离子束诱发的光学活性变化．可见在注入过程中，未发生从Ｂｉ４Ｇｅ３Ｏ１２转变到Ｂｉ１２ＧｅＯ２０的结构相变，由此预见，注入过程中可能发生离子束引起的晶体分解．Ｈ＋注入也在晶体表层形成平面波导层，波导层的折射率有微小提高（蓝光０．０７％）．该效应也有可能由于Ｈ＋注入诱发的晶体分解所导致．

关键词：质子注入锗酸铋晶体光学效应

Ce^(3+)掺杂YAG透明陶瓷的制备与光性能研究

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无机材料学报 2010年第2期25卷 125-128页

作者：石云潘裕柏冯锡淇李江郭景坤中国科学院上海硅酸盐研究所透明光功能无机材料重点实验室上海200050

采用高纯微米级商业原料(≥99.99%)α-Al2O3、Y2O3和CeO2,用固相反应法制备了0.3at%Ce3+∶YAG透明陶瓷.粉体经行星式球磨,陶瓷素坯在1750℃真空烧结10h,真空度10-3Pa,双面抛光后,厚度为1.2mm的透明陶瓷试样在可见光区500~900nm的直线透... 详细信息

采用高纯微米级商业原料(≥99.99%)α-Al2O3、Y2O3和CeO2,用固相反应法制备了0.3at%Ce3+∶YAG透明陶瓷.粉体经行星式球磨,陶瓷素坯在1750℃真空烧结10h,真空度10-3Pa,双面抛光后,厚度为1.2mm的透明陶瓷试样在可见光区500~900nm的直线透过率可达80%左右,光学均匀性良好.荧光光谱分析表明,发射峰位于500~700nm之间,这是Ce3+的特征发射.结果表明,Ce∶YAG透明陶瓷的发光性能与相应的单晶相当,有望作为闪烁材料应用于中低能量射线(α、β粒子等)的探测.

关键词：固相反应法 Ce∶YAG 闪烁透明陶瓷

钨酸铅(PbWO_4)闪烁晶体的结构研究进展

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无机材料学报 2000年第2期15卷 193-199页

作者：林奇生冯锡淇中国科学院上海硅酸盐研究所无机功能材料开放实验室上海200050

介绍近年来在钨酸铅闪烁晶体结构研究方面所取得的进展，表明钨酸铅晶体结构具有结构多型性和非化学计量配比的特征，说明了晶体结构这一因素在钨酸铅晶体研究中的重要性．

关键词：钨酸铅闪烁晶体晶体结构

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电气石晶体的光学吸收谱

硅酸盐学报 2009年第4期37卷 523-530页

作者：范建良冯锡淇郭守国刘学良华东理工大学材料科学与工程学院上海200237 中国科学院上海硅酸盐研究所上海200050

以新疆阿尔泰矿区的粉红色、绿色和褐绿色电气石晶体为研究对象,通过X射线荧光光谱仪、分光光度计分析了电气石的晶体结构,并对电气石晶体退火处理前后200～3300nm吸收光谱进行测定。结果表明:粉红色电气石的呈色与Mn3+的d电子跃迁有关... 详细信息

以新疆阿尔泰矿区的粉红色、绿色和褐绿色电气石晶体为研究对象,通过X射线荧光光谱仪、分光光度计分析了电气石的晶体结构,并对电气石晶体退火处理前后200～3300nm吸收光谱进行测定。结果表明:粉红色电气石的呈色与Mn3+的d电子跃迁有关,产生的吸收带有390,450nm和517nm;电气石的绿色调主要与交换耦合Fe3+-Fe3+离子对间的电荷转移形成的420nm吸收带和Fe2+-Fe3+离子对间的电荷转移形成的718nm吸收带有关;电气石晶体中,羟基伸缩振动(O-Hstr)引起的强吸收带在3800～3400cm-1,羟基与金属离子配位构成M-OH的伸缩和弯曲联合振动,在4800～4000cm-1产生5～6个吸收带,而羟基伸缩振动的第1倍频引起的吸收带则出现在7300～6700cm-1;在高温下,-(OH)(3)基团上的H+发生脱离,并与W晶格位置上的O2-发生键合形成-OH(1)基团。电气石晶体的结构式可简化表示为XY3Z6(Si6O18)(BO3)3(OH)3·(O2-,OH,F)。

关键词：电气石吸收光谱退火呈色机理晶体结构

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钆掺杂钨酸铅闪烁晶体的介电双弛豫峰研究

无机材料学报 2002年第1期17卷 29-34页

作者：黄红伟 DONG Ming YE Zuo-Guang 冯锡淇中国科学院无机功能材料开放实验室中国科学院上海硅酸盐研究所上海200050 Dept.of Chemistry Simon Freaser University

完成了钆离子（Ｇｄ３＋＋）掺杂钨酸铅晶体在４０～６００℃、１～１０６Ｈｚ范围内介电性能的测量．在升温过程中观察的典型的介电弛豫峰，记为α峰，其激活能为０５０±０，０１ｅＶ，频率因子ｖ＝１．４４×１０９．而在降温过程中... 详细信息

完成了钆离子（Ｇｄ３＋＋）掺杂钨酸铅晶体在４０～６００℃、１～１０６Ｈｚ范围内介电性能的测量．在升温过程中观察的典型的介电弛豫峰，记为α峰，其激活能为０５０±０，０１ｅＶ，频率因子ｖ＝１．４４×１０９．而在降温过程中，除α峰外还出现了另一介电弛豫峰，记为β峰，其激活能为０．５１±０．２ｅＶ，频率因子Ｖ＝２．４４×１０６．α峰和 β 峰均可用Ｄｅｂｙｅ方程来描述，而其相对强度呈此消彼长的趋势．分析了Ｇｄ：ＰＷＯ中两种介电弛豫峰的起因及其相互关系，并讨论了它们与ＰＷＯ晶体闪烁性能变化之间的关系．

关键词：介电驰豫钨酸铅晶体偶极缺陷钆掺杂介电性能固体闪烁晶体闪烁性能

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钛宝石激光晶体缺陷研究进展

激光与光电子学进展 2020年第23期57卷 1-12页

作者：冯锡淇韩孝朕中国科学院透明光功能无机材料重点实验室上海200050 上海建桥学院宝石材料实验室上海201306

在钛宝石激光晶体的发展过程中,缺陷问题对激光性能有着重要的影响。近年来,研究者在高Ti浓度的钛宝石晶体中观察到一些新的光学现象,这表明晶体内部缺陷结构的变化可能会影响激光性能。介绍了钛宝石激光晶体缺陷研究方面的进展,并进行... 详细信息

在钛宝石激光晶体的发展过程中,缺陷问题对激光性能有着重要的影响。近年来,研究者在高Ti浓度的钛宝石晶体中观察到一些新的光学现象,这表明晶体内部缺陷结构的变化可能会影响激光性能。介绍了钛宝石激光晶体缺陷研究方面的进展,并进行了简略讨论。

关键词：激光光学高Ti浓度晶体光吸收谱缺陷离子对

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钨酸铅（PbWO_4）闪烁晶体研究进展

无机材料学报 1996年第3期11卷 385-395页

作者：冯锡淇袁晖中国科学院上海硅酸盐研究所无机功能材料开放实验室

钨酸铅（ＰｂＷＯ_４）闪烁晶体是拟使用于西欧大型强子对撞机（ＬＨＣ）中精密电磁量能器最有希望的候选者．本文概要介绍了近年来国际上对于钨酸铅晶体（ＰＷＯ）的研究进展，包括它的闪烁性能、发光机制、辐照硬度和杂质效应等．本... 详细信息

钨酸铅（ＰｂＷＯ_４）闪烁晶体是拟使用于西欧大型强子对撞机（ＬＨＣ）中精密电磁量能器最有希望的候选者．本文概要介绍了近年来国际上对于钨酸铅晶体（ＰＷＯ）的研究进展，包括它的闪烁性能、发光机制、辐照硬度和杂质效应等．本文最后列出了欧洲核子研究中心（ＣＥＲＮ）的ＣｒｙｓｔａｌＣｌｅａｒＣｏｌｌａｂｏｒａｔｉｏｎ（ＣＣＣ组）最近对７５根大尺寸ＰＷＯ晶体综合测试的统计结果，这有助于建立批量生产ＰＷＯ晶体的质量监控方法．

关键词：强子对撞机闪烁晶体钨酸铅电磁量能器

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激光陶瓷中的缺陷(一)

激光与光电子学进展 2006年第11期43卷 20-27页

作者：冯锡淇中国科学院上海硅酸盐所高性能陶瓷和超微结构国家重点实验室上海200050

激光陶瓷中的各类缺陷,包括晶界、微气孔、杂质、非主晶相、表面缺陷和色心等,构成了激光陶瓷中主要的光散射和吸收中心,并对材料的热学和力学性质产生影响。讨论了各类缺陷的特点、形成机制和抑制方法。此外,还探讨了TM3+:Al2O3(TM=Cr,... 详细信息

激光陶瓷中的各类缺陷,包括晶界、微气孔、杂质、非主晶相、表面缺陷和色心等,构成了激光陶瓷中主要的光散射和吸收中心,并对材料的热学和力学性质产生影响。讨论了各类缺陷的特点、形成机制和抑制方法。此外,还探讨了TM3+:Al2O3(TM=Cr,Ti)透明陶瓷的掺杂问题以及制备Cr4+:Al2O3和高浓度Ti3+:Al2O3激光陶瓷的可行性。

关键词：激光陶瓷缺陷光散射中心晶界

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激光陶瓷中的缺陷(二)

激光与光电子学进展 2006年第12期43卷 19-28页

作者：冯锡淇中国科学院上海硅酸盐所高性能陶瓷和超微结构国家重点实验室上海200050

关键词：激光陶瓷缺陷光散射中心晶界