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多元共治视角下长江经济带环境治理长效机制研究

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中国管理科学 2024年

作者：李强唐幼明谢舟涛安徽财经大学经济学院

长江经济带经济与环境问题复杂交织，其环境治理机制路径是学界热点，然而鲜有研究关注环境治理的长效性问题。文章基于“多元共治”思想，从环境立法为主的动力机制、排污权交易为主的补偿机制和环境信息公开为主的监督机制等单一路径... 详细信息

长江经济带经济与环境问题复杂交织，其环境治理机制路径是学界热点，然而鲜有研究关注环境治理的长效性问题。文章基于“多元共治”思想，从环境立法为主的动力机制、排污权交易为主的补偿机制和环境信息公开为主的监督机制等单一路径出发，通过两两政策组合，构建起多元共治的环境治理长效机制理论框架，并运用长江经济带2003—2021年108个城市的面板数据，使用双重差分法实证检验环境治理单一机制以及组合机制对环境治理的影响效应，结果表明，环境立法、排污权交易和环境信息公开均显著降低了长江经济带的环境污染水平，并且排污权交易制度的环境治理效果更佳；环境立法、排污权交易和环境信息公开的两两政策组合治理效果均优于单一政策，即环境治理动力、补偿与监督机制的有机结合能够实现更大程度的环境改善效应，并且以环境立法和环境信息公开为主的动力与监督机制组合在所有机制组合中的治理效果最佳，该结论在一系列稳健性检验后依旧成立；三个环境治理组合机制均实现了环境污染长效治理，且动力机制与监督机制组合的治理效果随政策时间推移而增强。本研究为推动我国生态环境长效治理提供了新思路。

关键词：长江经济带长效机制环境立法排污权交易环境信息公开

新型城镇化建设与城市低碳治理——基于国家新型城镇化综合试点政策实施的准自然实验

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北京工商大学学报（社会科学版） 2024年第2期39卷 117-129页

作者：李强唐幼明安徽财经大学经济学院安徽蚌埠233030

新型城镇化是消除快速城镇化弊端、科学推进城镇化发展的重要抓手。利用2007—2019年206个地级及以上城市数据,以国家新型城镇化综合试点政策的实施为新型城镇化建设的准自然实验,运用多期双重差分方法实证分析了新型城镇化建设对城市... 详细信息

新型城镇化是消除快速城镇化弊端、科学推进城镇化发展的重要抓手。利用2007—2019年206个地级及以上城市数据,以国家新型城镇化综合试点政策的实施为新型城镇化建设的准自然实验,运用多期双重差分方法实证分析了新型城镇化建设对城市低碳治理的影响。研究发现:新型城镇化建设显著抑制了城市碳排放,国家新型城镇化综合试点政策促使试点城市的碳排放强度平均下降了3.02%,并且随着政策的推进其效果逐渐增强。异质性分析发现,新型城镇化建设仅对东部城市、中部城市以及大城市的碳排放强度具有显著的抑制作用。机制分析发现,新型城镇化建设主要通过抑制城市蔓延、促进经济集聚、强化环境规制降低城市碳排放强度。因此,建议地方政府加快推进新型城镇化多维目标考核,加大节约集约用地与环境监管力度,探索区域间差异化的新型城镇化推进路径,最终实现城镇的低碳发展。

关键词：新型城镇化城市低碳治理碳排放强度城市蔓延经济集聚环境规制

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聚氨酯复合隔振垫在设备中的设计及应用

中国塑料 2024年第5期38卷 73-77页

作者：冯经明巴斯夫聚氨酯特种产品(中国)有限公司上海200137

提出了一种可用于设备的聚氨酯复合隔振垫,它由聚氨酯和热塑性聚氨酯弹性体(TPU)材料通过二次注塑而成,然后以压缩机的隔振为例,对隔振系统中的该隔振垫进行设计,并采用公司的仿真软件对其进行动态应力分析来指导设计,最后进行台架耐久... 详细信息

提出了一种可用于设备的聚氨酯复合隔振垫,它由聚氨酯和热塑性聚氨酯弹性体(TPU)材料通过二次注塑而成,然后以压缩机的隔振为例,对隔振系统中的该隔振垫进行设计,并采用公司的仿真软件对其进行动态应力分析来指导设计,最后进行台架耐久对比试验。试验结果初步证明,该材料的隔振垫比橡胶隔振垫具有更好的耐久性能和更轻的质量。

关键词：聚氨酯复合隔振垫耐久

高能效应用的第一块工业化1200V JFET模块

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电力电子 2011年第5期9卷 48-50,14页

作者： Daniel Domes Christoph Messelke Peter Kanschat 冯幼明王传敏 Infineon Technologies AG Warstein 北京微电子技术研究所

减小损耗是功率电子学最富挑战性的发展方向之一。众所周知,象SiC开关这样的宽禁带器件,在降低通态损耗和开关损耗方面表现出最佳特性。10年前,英飞凌公司向市场推出了SiC肖特基势垒二极管。现在SiC JFET已经成熟,该器件具有令人信服的... 详细信息

减小损耗是功率电子学最富挑战性的发展方向之一。众所周知,象SiC开关这样的宽禁带器件,在降低通态损耗和开关损耗方面表现出最佳特性。10年前,英飞凌公司向市场推出了SiC肖特基势垒二极管。现在SiC JFET已经成熟,该器件具有令人信服的低功率损耗、高可靠性和鲁棒性,并且应用简单、成本适当。本文介绍了利用JFET的优异特性研制的第一个工业化功率模块。

关键词： JFET 肖特基势垒二极管

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新课标背景下初中英语课堂评价的优化策略

校园英语 2024年第13期 159-161页

作者：冯幼凯临沂高都中学

《义务教育英语课程标准（2022年版）》（以下简称“新课标”）强调，坚持以评促学、以评促教，倡导在教学实践中全面贯穿教学评价，实时反馈教学效果，教师据此调整教学结构与教学形式，最终实现教学相长。在此背景下，初中英语教师也... 详细信息

《义务教育英语课程标准（2022年版）》（以下简称“新课标”）强调，坚持以评促学、以评促教，倡导在教学实践中全面贯穿教学评价，实时反馈教学效果，教师据此调整教学结构与教学形式，最终实现教学相长。在此背景下，初中英语教师也要在新课标的引领下优化课堂评价，促进学生的可持续发展。本文将从三个角度，即聚焦核心素养设计评价标准与内容、基于课堂实际选择评价工具与方式、通过多主体评价实时反馈课堂教学效果，阐述初中英语教师应该如何在新课标的引领下优化课堂评价机制，以发挥评价本身的导向与激励作用。

关键词：新课标初中英语课堂评价优化策略

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冰淇淋保护行动

发明与创新（小学生） 2024年第6期 16-17页

作者：冯幼义不详

傍晚,妈妈带回来一些冰淇淋。聪聪高兴极了,赶紧打开来看。谁知,冰淇淋经过“长途跋涉”,已经融化了许多。见聪聪有些失望,妈妈安慰道:“聪聪有没有办法,让冰淇淋融化得慢一点?”妈妈的话激发了聪聪的探索欲。他叫上小伙伴,和大家在小... 详细信息

傍晚,妈妈带回来一些冰淇淋。聪聪高兴极了,赶紧打开来看。谁知,冰淇淋经过“长途跋涉”,已经融化了许多。见聪聪有些失望,妈妈安慰道:“聪聪有没有办法,让冰淇淋融化得慢一点?”妈妈的话激发了聪聪的探索欲。他叫上小伙伴,和大家在小区的一棵大树下讨论。

关键词：大树下冰淇淋小伙伴探索欲融化妈妈慢一点

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塔河油田石炭系S井区储层预测与水平井设计

石油知识 2024年第1期 60-61页

作者：王伟明徐燕冯家元何幼娟中国石油化工有限公司西北油田分公司勘探开发研究院

近年来，塔河油田石炭系油藏评价工作广泛采用水平井技术，多数井油层钻遇率高、产能高，展示了水平井开发方式的优越性。但也有少部分井存在目的层脱靶现象，钻遇砂体井段短，甚至是钻遇大段泥岩。以塔河油田S井区为例，2020—2021年...

近年来，塔河油田石炭系油藏评价工作广泛采用水平井技术，多数井油层钻遇率高、产能高，展示了水平井开发方式的优越性。但也有少部分井存在目的层脱靶现象，钻遇砂体井段短，甚至是钻遇大段泥岩。以塔河油田S井区为例，2020—2021年，利用地震属性+反演的储层预测方法，围绕研究区优选地质“甜点”部署4口长水平，井分别是A1、A2、A3、A4。目前A1、A3、A4井初期投产均在百吨以上，其中A1开井半年累产近1万吨，但A2井初期67t/d，与其他三口井存在较大差距。研究表明，初期产量是油层钻遇率的直接反映。

关键词：

提高DC-DC变换器效率用高单元密度屏蔽栅功率MOSFET

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电力电子 2010年第5期8卷 41-44页

作者： Ritu Sodhi Ashok Challa Jon Gladilh Steven Sapp Chris Rexer 冯幼明王传敏北京微电子技术研究所北京时代民芯科技有限公司

本文介绍了飞兆半导体公司最新开发的高单元密度、屏蔽栅功率MOSFET的结构。这种屏蔽栅结构有助于建立电荷平衡,从而减少MOSFET的通态电阻和栅电荷。这种新技术能使通态电阻比前一代减少50%以上。为进一步改善器件特性,一种肖特基器件... 详细信息

本文介绍了飞兆半导体公司最新开发的高单元密度、屏蔽栅功率MOSFET的结构。这种屏蔽栅结构有助于建立电荷平衡,从而减少MOSFET的通态电阻和栅电荷。这种新技术能使通态电阻比前一代减少50%以上。为进一步改善器件特性,一种肖特基器件也被单片集成在这种新型MOSFET中,使得反向恢复电荷减少了将近20%。上述措施直接减小了在高频、大电流和高输入电压下非常关键的体二极管损耗。该新型器件在典型的同步降压变换器应用中,能提供1.5%的最高效率改进。

关键词：功率MOSFET 单元密度变换器效率 DC-DC 屏蔽飞兆半导体公司器件特性降压变换器

650V IGBT4:可承受10μs短路时间的大电流模块用最优器件

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电力电子 2010年第4期8卷 38-40页

作者： A.Hartl M.Bassler M.Knecht P.Kanschat 冯幼明王传敏英飞凌科技股份公司北京微电子所北京时代民芯科技公司

本文介绍了Infineon公司专为Irom>300A中大电流应用设计的最新的650V IGBT4。与600V IGBT3相比,该器件在关断时具有更好的软度和更高的阻断电压能力。实现上述特性的主要措施在于增加了芯片的厚度,减小了MOS沟道的宽度,提高了背面的发... 详细信息

本文介绍了Infineon公司专为Irom>300A中大电流应用设计的最新的650V IGBT4。与600V IGBT3相比,该器件在关断时具有更好的软度和更高的阻断电压能力。实现上述特性的主要措施在于增加了芯片的厚度,减小了MOS沟道的宽度,提高了背面的发射效率。相应地,器件的短路鲁棒性也有了显著的改进。

关键词：大电流器件短路 Infineon公司模块时间阻断电压发射效率