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梅兰芳学案

上海文化 2015年第8期 95-104 2,2页

作者：傅秋敏法国巴黎第三大学戏剧系

梅兰芳,世界著名京剧表演艺术家、"梅派"创始人、"中国传统戏剧体系"的代表,先后任中国戏曲研究院院长、中国戏曲学院院长、中国京剧院院长。一、梅兰芳简谱梅兰芳(1894—1961年),原名澜,字畹华。祖籍江苏泰州。1894年10月22日生于北京... 详细信息

梅兰芳,世界著名京剧表演艺术家、"梅派"创始人、"中国传统戏剧体系"的代表,先后任中国戏曲研究院院长、中国戏曲学院院长、中国京剧院院长。一、梅兰芳简谱梅兰芳(1894—1961年),原名澜,字畹华。祖籍江苏泰州。1894年10月22日生于北京李铁拐斜街梅家老宅。"同光十三绝"名旦梅巧玲之孙。

关键词：京剧表演艺术中国传统戏剧中国戏曲研究院梅巧玲中国京剧院中国戏曲学院同光十三绝《霸王别姬

基于SCI-CA模型的船舶纵摇多维多步预测方法

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控制与决策 2025年第1期 64-70页

作者：王宇超赵洵杨周琦傅荟璇哈尔滨工程大学智能科学与工程学院

海洋环境复杂多变,船舶航行容易受到风浪、洋流等因素的干扰,船舶运动具有非线性、耦合性等特点.针对传统的船舶运动姿态预测方法对时序数据的提取效率尚有不足,难以达到高精度预测效果的问题,提出样本卷积交互-通道注意力(SCI-CA)神经... 详细信息

海洋环境复杂多变,船舶航行容易受到风浪、洋流等因素的干扰,船舶运动具有非线性、耦合性等特点.针对传统的船舶运动姿态预测方法对时序数据的提取效率尚有不足,难以达到高精度预测效果的问题,提出样本卷积交互-通道注意力(SCI-CA)神经网络船舶纵摇运动预测模型.该模型采用多类别船舶运动姿态数据作为输入,将输入拆分为两个子序列,利用样本卷积交互网络(SCI)的递归下采样卷积交互结构,结合多分辨率聚合而成的丰富特征,提高船舶运动数据深层特征的利用率.再通过通道注意力机制(CA)提高有效通道的权重比例,并以残差结构输入到全连接层,得到最后的预测结果.实船数据验证结果表明, SCI-CA组合模型预测结果较其他模型预测精度高,其平均绝对百分比误差(MAPE)、均方根误差(RMSE)均有明显降低,验证了SCI-CA模型预测船舶运动的有效性.

关键词：船舶纵摇 SCI-Net 通道注意力交互学习结构组合模型多步预测

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三种钨合金的冲击压缩性

高压物理学报 1998年第4期12卷 258-263页

作者：王金贵李欣竹王为傅秋卫王翔中物院流体物理研究所冲击波物理与爆轰物理实验室

在先前工作的基础上，进一步完善了在二级轻气炮上精密测量材料雨贡纽参数的误差控制技术，并利用该技术高精度测量了三种钨合金在８０～３００ＧＰａ压力范围内的冲击压缩性，其精度达到国外先进水平。同时，将实验结果与利用混合物雨... 详细信息

在先前工作的基础上，进一步完善了在二级轻气炮上精密测量材料雨贡纽参数的误差控制技术，并利用该技术高精度测量了三种钨合金在８０～３００ＧＰａ压力范围内的冲击压缩性，其精度达到国外先进水平。同时，将实验结果与利用混合物雨贡纽叠加原理所作的预估计算结果进行比较表明：对于高比例的钨合金，叠加原理给出的雨贡纽关系具有相当高的精度。

关键词：冲击压缩误差控制钨合金叠加原理

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课程思政融入建筑工程制图的教学实践探索

现代商贸工业 2025年第2期 260-262页

作者：于秋莲陈载林潘少红赵岩枫云南国土资源职业学院

建筑工程制图课程是建筑业土木大类专科生的必修专业基础课程，从专业知识、能力、素养等方面培养学生的读图、制图能力。本文介绍了建筑工程制图在课程思政方面具体实践，包括增设相应的思政目标和凝练课程思政的价值塑造点、查找思政... 详细信息

建筑工程制图课程是建筑业土木大类专科生的必修专业基础课程，从专业知识、能力、素养等方面培养学生的读图、制图能力。本文介绍了建筑工程制图在课程思政方面具体实践，包括增设相应的思政目标和凝练课程思政的价值塑造点、查找思政案例，我们的目标是将思想政治教育与专业相结合，努力落实“立德树人”的根本任务，做到传授专业知识的同时，成为学生德育工作的引领人。

关键词：建筑工程制图课程思政教学实践

AlGaN/GaN HEMT器件有效栅长和栅宽提取

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大连理工大学学报 2025年第1期65卷 105-110页

作者：吴淇暄张贺秋朱江宁思源代晓王子坤梁红伟大连理工大学集成电路学院辽宁大连116024

有效栅长、有效栅宽和沟道电阻等AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)参数对于工艺控制和器件设计非常重要.基于AlGaN/GaN HEMT器件源漏之间的总电阻与栅长及栅宽的倒数之间的线性关系,提出了一种简单方法提取有效栅长和有效栅宽.制作了... 详细信息

有效栅长、有效栅宽和沟道电阻等AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)参数对于工艺控制和器件设计非常重要.基于AlGaN/GaN HEMT器件源漏之间的总电阻与栅长及栅宽的倒数之间的线性关系,提出了一种简单方法提取有效栅长和有效栅宽.制作了两组AlGaN/GaN HEMT器件,这两组器件的源漏间距为80μm,栅源间距为10μm.其中一组器件固定栅宽为400μm,栅长分别为10、20、30、40、50、60μm;另一组器件固定栅长为40μm,栅宽分别为200、300、400、500、600、800μm.通过研究源漏之间的总电阻随栅长和栅宽变化规律,获得栅长与有效栅长的差值为0.48989μm,栅宽与有效栅宽的差值为-11.12191μm.

关键词： AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管器件参数有效栅长有效栅宽