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SMIF微环境在半导体生产中对晶片成品率影响的改善性研究

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SMIF微环境在半导体生产中对晶片成品率影响的改善性研究

作者：倪海勇复旦大学

学位级别：硕士

随着集成电路工艺技术已经进入到纳米量级,生产过程中对生产环境的要求也越来越高,如何控制生产环境中的微尘污染粒子对产品的成品率造成的影响,已成为了需要面对的问题。目前标准机械化接口系统（Standard Mechani cal Interface:SMIF... 详细信息

随着集成电路工艺技术已经进入到纳米量级,生产过程中对生产环境的要求也越来越高,如何控制生产环境中的微尘污染粒子对产品的成品率造成的影响,已成为了需要面对的问题。目前标准机械化接口系统（Standard Mechani cal Interface:SMIF）已经成为八英寸晶片厂晶片装卸设备的主流,并且在十二英寸晶片厂中发展为前开口式容器。该系统由三个部分组成：SMIF密闭容器、SMIF机械手臂、SMIF围护。此设计使晶片在生产过程中始终处于一个隔离的微环境中,所以能有效的隔绝污染粒子,避免其造成对晶片的污染,提高产品成品率但是,SMIF微环境本身也会由于材质和机械摩擦等原因产生污染粒子,本文主要探讨如何降低SMIF微环境在晶片装卸动作过程中所发生的污染粒子掉落问题。通过对可能影响SMIF微环境洁净度的各因素逐个进行实验,并根据实验结果设计出最佳工艺参数,利用此结果对现有的参数和材质进行调整,制定出符合实际生产的操作规范,使得SMIF微环境可以控制在更良好的洁净度,以降低晶片被污染的机率,进而提升产品质量与成品率。本文研究成果汇整如下： ***容器内的固定支架材质、晶片与支架接触次数、SMIF微环境内部风速以及风压,晶片在SMIF容器中存放时间的长短是SMIF微环境中微尘污染粒子产生的五个主要因素。 ***微环境中气流与风压是重要的影响因素,经实验验证SMIF内部机械参数由原本的风速0.2m/s,风压300kPa调整为0.4m/s以及360kPa后晶片异常率可由原来的6%～10%大幅降低至0.1%。 3.晶片长时间存放在SMIF容器中也会产生污染粒子,经实验验证其时间窗大约为12天,所以通过增加生产过程中SMIF容器的更换率能使位于容器中部的晶片与位于容器两端容易受到污染粒子影响的晶片之间的成品率差距明显减少,由原来的3.5%降低到1%左右。

关键词： SMIF微环境污染粒子成品率

LED用绿色荧光粉BaAl_(2-x)Si_xO_(4-x)N_x∶Eu的合成及发光性能研究

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发光学报 2013年第10期34卷 1275-1278页

作者：王灵利倪海勇张秋红广州有色金属研究院广东广州510650

采用高温固相法,在1 300~1 400℃的还原气氛条件下,合成了BaAl2-xSixO4-xNx∶Eu2+绿色荧光材料。该荧光材料是在BaAl2O4∶Eu荧光粉的基础上,通过(SiN)+替代(AlO)+来获得的。随着N元素的引入,BaAl2O4∶Eu荧光粉的激发和发射光谱均发生红... 详细信息

采用高温固相法,在1 300~1 400℃的还原气氛条件下,合成了BaAl2-xSixO4-xNx∶Eu2+绿色荧光材料。该荧光材料是在BaAl2O4∶Eu荧光粉的基础上,通过(SiN)+替代(AlO)+来获得的。随着N元素的引入,BaAl2O4∶Eu荧光粉的激发和发射光谱均发生红移。此时,BaAl2-xSixO4-xNx∶Eu2+荧光材料可以被390~440nm范围内的近紫外-蓝光有效激发,发射出500~526 nm的绿光。因此,BaAl2-xSixO4-xNx∶Eu2+荧光粉是一种可用于白光LED的绿色荧光材料。

关键词：白光LED 绿色荧光材料 BaAl2-xSixO4-xNx∶Eu

新型FED荧光粉MSi_2N_2O_2:Eu^(2+)(M=Sr,Ba)的发光性能

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发光学报 2011年第6期32卷 561-564页

作者：王灵利倪海勇张秋红广州有色金属研究院稀有金属研究所广东广州510651

采用高温固相法合成了一系列新型绿色FED(Field Emission Display)荧光粉MSi2N2O2:Eu2+(M=Sr,Ba),研究了该荧光粉在不同电压和电流密度下的发光特性。在电子束激发下,SrSi2N2O2:Eu2+的发射主峰位于541 nm,属于黄绿光发射;BaSi2N2O2:Eu2... 详细信息

采用高温固相法合成了一系列新型绿色FED(Field Emission Display)荧光粉MSi2N2O2:Eu2+(M=Sr,Ba),研究了该荧光粉在不同电压和电流密度下的发光特性。在电子束激发下,SrSi2N2O2:Eu2+的发射主峰位于541 nm,属于黄绿光发射;BaSi2N2O2:Eu2+的发射主峰位于492 nm,属于蓝绿光发射。BaSi2N2O2:Eu2+的电流饱和性能要比SrSi2N2O2:Eu2+好。但在相同电流密度的激发下,SrSi2N2O2:Eu2+的发光强度明显高于BaSi2N2O2:Eu2+,因此,SrSi2N2O2:Eu2+更适合应用于FED中。

关键词： FED 荧光粉 MSi2N2O2:Eu2+ 发光性能

LED用绿色荧光粉BaSi_2N_2O_2:Eu^(2+)的发光和封装性能

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发光学报 2012年第5期33卷 465-469页

作者：王灵利倪海勇张秋红广州有色金属研究院稀有金属研究所广东广州510650

采用高温固相法合成了白光LED用蓝绿色荧光材料BaSi2N2O2∶Eu2+。用X射线衍射(XRD)、光致发光(PL)等对荧光材料进行了表征。XRD结果表明,所制备的样品为较好的单相。BaSi2N2O2∶Eu2+在395 nm和460 nm激发下均具有较高的发射强度,发射峰... 详细信息

采用高温固相法合成了白光LED用蓝绿色荧光材料BaSi2N2O2∶Eu2+。用X射线衍射(XRD)、光致发光(PL)等对荧光材料进行了表征。XRD结果表明,所制备的样品为较好的单相。BaSi2N2O2∶Eu2+在395 nm和460 nm激发下均具有较高的发射强度,发射峰位于492 nm附近。当Eu2+的摩尔分数为4%时,可以获得最佳的样品发光强度。将荧光材料封装在紫外和蓝光芯片上制作了LED器件,两种器件均发射出强的蓝绿色荧光,色坐标分别为(0.092 0,0.428 2)和(0.112 9,0.223 0)。

关键词： LED 荧光粉氮氧化物 BaSi2N2O2∶Eu2+

Ce^(3+)激活的焦硅酸钆钠荧光粉的VUV-VIS发光特性

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中国稀土学报 2013年第1期31卷 38-43页

作者：倪海勇梁宏斌刘春梦苏锵张国斌中山大学化学与化学工程学院广东广州510025 广州有色金属研究院稀有金属研究所广东广州510650 中国科技大学国家同步辐射实验室安徽合肥230029

高温固相法合成了Na3Gd1-xCexSi2O7系列荧光粉。利用Na3LuSi2O7结构模型,通过Rietveld方法精修了Na3GdSi2O7晶体结构,结果表明,Na3GdSi2O7属于六方晶系,P63/m点群,晶格参数a=b=947.79(1)pm,c=1387.48(3)pm,c/a=1.4639。Na3GdSi2O7体系中存在Gd3+(1)和Gd3+(2)两个格位。Gd3+(1)离子位于Wyck.4f格位,为扭曲八面体结构。Gd3+(2)离子位于Wyck.2a格位,具有正三棱柱构型。进一步考察了Na3Gd1-xCexSi2O7荧光粉的真空紫外-紫外-可见发光光谱,讨论并指认了Ce3+在上述两个格位中的激发带位置及能级重心。发射光谱曲线分别由两个～400 nm和～508 nm宽带发射构成,随着Ce3+浓度增加,短波～400 nm发射逐渐增强。

关键词： Ce3+ 焦硅酸钆钠荧光粉真空紫外发光

SrAl_2B_2O_7:Eu^(3+)的发光性能和电子结构研究

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中国稀土学报 2009年第3期27卷 384-389页

作者：王灵利倪海勇肖方明广州有色金属研究院稀有金属研究所广东广州510651

采用固相法合成了SrAl2B2O7:Eu3+系列荧光粉,研究了它们在紫外和真空紫外激发下的发光性能。紫外激发下,SrAl2B2O7:Eu3+的最强发射峰位于610nm附近,具有较高的发射强度和较好的色纯度,但是在真空紫外激发下,其发光强度却比较弱。通过分... 详细信息

采用固相法合成了SrAl2B2O7:Eu3+系列荧光粉,研究了它们在紫外和真空紫外激发下的发光性能。紫外激发下,SrAl2B2O7:Eu3+的最强发射峰位于610nm附近,具有较高的发射强度和较好的色纯度,但是在真空紫外激发下,其发光强度却比较弱。通过分析SrAl2B2O7:Eu3+的激发光谱与基质晶体的电子结构计算结果,对该现象进行了解释。第一原理的模拟计算表明,Ba2+的掺杂可以使SrAl2B2O7的带隙变宽,由此推论Ba2+的掺杂可以提高SrAl2B2O7:Eu3+样品在真空紫外激发下的发光强度。本研究的实验结果也证实了这一推论。

关键词： SrAl2B2O7 真空紫外密度泛函理论电子结构稀土

Na_3GdSi_2O_7:Tb^(3+)荧光粉发光特性及Gd^(3+)→Tb^(3+)之间的能量传递

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发光学报 2013年第8期34卷 970-975页

作者：倪海勇梁宏斌王灵利张秋红广州有色金属研究院稀有金属研究所中山大学化学与化学工程学院

采用高温固相法合成了Na3Gd1-xTbxSi2O7(x=0.01,0.02,0.04,0.06,0.08,0.1)系列荧光粉。研究了荧光粉的真空紫外-可见发光光谱和荧光寿命,讨论了Tb3+在扭曲八面体结构(标示为Gd(1)3+)和正三棱柱构型(标示为Gd(2)3+)两种格位中的最低5d轨... 详细信息

采用高温固相法合成了Na3Gd1-xTbxSi2O7(x=0.01,0.02,0.04,0.06,0.08,0.1)系列荧光粉。研究了荧光粉的真空紫外-可见发光光谱和荧光寿命,讨论了Tb3+在扭曲八面体结构(标示为Gd(1)3+)和正三棱柱构型(标示为Gd(2)3+)两种格位中的最低5d轨道能级。同时研究了Gd3+→Tb3+之间无辐射能量传递速率K和无辐射能量传递效率η。研究结果表明:Tb3+在Gd(1)3+格位中的最低允许跃迁和禁戒跃迁的5d轨道能级分别位于235 nm和280 nm,在Gd(2)3+格位中的最低允许跃迁和禁戒跃迁的5d轨道能级分别位于224nm和256 nm。随着Tb3+浓度的增加,能量传递效率及速率显著增大,说明在Na3Gd1-xTbxSi2O7中存在有效的Gd3+-Tb3+能量传递。

关键词： Na3GdSi2O7 Tb3+ 荧光粉稀土能量传递

近紫外LED激发荧光粉Ba_(0.11)Sr_(2.89-2x)Ce_xNa_xAlO_4F发光特性

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中国稀土学报 2013年第5期31卷 547-553页

作者：黄奇书倪海勇张秋红王灵利李许波丁建红广州有色金属研究院稀有金属科技公司广东广州510650 广州有色金属研究院稀有金属研究所广东广州510650

采用高温固相法反应制备Ba0.11Sr2.89-2x Ce x Na x AlO4F(x=0.01,0.02,0.05,0.07,0.10,0.15)荧光粉。Ba0.11Sr2.89AlO4F体系中存在Sr(1)2+和Sr2+(2)两个格位。Sr2+(1)离子位于Wyck.4a格位,为十配位多面体构型。Sr2+(2)离子位于Wyck.8h格位,为八配位的多面体构型。研究了Ba0.11Sr2.89-2x Ce x Na x AlO4F荧光粉的紫外-可见激发、发射光谱、荧光寿命及能量传递过程,讨论并指认了Ce3+在上述两个格位中的激发带位置及能级重心,发射光谱曲线分别由两个~463,~505和~550 nm宽带发射构成。随着Ce3+浓度增加,长波发射~550 nm逐渐增强,而色品坐标(x=0.199,y=0.351)蓝绿区逐渐变化到黄绿区域(x=0.389,y=0.489)。

关键词： Ba0.11Sr2.89AlO4F 荧光粉 LED 发光 Ce3+

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企业应收账款形成原因与风险防范

首席财务官 2021年第19期17卷 3-4页

作者：倪海勇上海航天能源股份有限公司上海201112

在经济发展迅速,各行各业蓬勃发展的大环境下,市场中大大小小的各类企业持续涌现,使企业之间、企业与相关单位及个人之间的财务往来也日益频繁,随之也出现了众多经济问题和纠纷,导致企业发展受限。本文以上海航天能源股份有限公司(以下... 详细信息

在经济发展迅速,各行各业蓬勃发展的大环境下,市场中大大小小的各类企业持续涌现,使企业之间、企业与相关单位及个人之间的财务往来也日益频繁,随之也出现了众多经济问题和纠纷,导致企业发展受限。本文以上海航天能源股份有限公司(以下简称“航天能源”)为例,研究的主要目的是明确企业应收款项管理的重要性,并通过对其重要性进行详细论述,明确在实际管理过程中会遇到的问题以及相关解决策略,帮助企业提升工作效率,保障工作质量,为其未来健康平稳发展奠定良好的基础。

关键词：应收账款管理问题解决对策