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新时期高校体育教学与素质拓展训练的融合路径

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明日风尚 2017年第10期 229-229,240页

作者：俸小辉江西理工大学

新时期背景下,我国素质拓展改革是素质教育下的一种新模式的体验型教育模式,高校体育教育教学训练与素质拓展不仅是新时期下素质教育改革的需要,也是适应社会主义发展的产物,成为社会塑造更多高素质应用人才的必由之路。本文笔者就高校... 详细信息

新时期背景下,我国素质拓展改革是素质教育下的一种新模式的体验型教育模式,高校体育教育教学训练与素质拓展不仅是新时期下素质教育改革的需要,也是适应社会主义发展的产物,成为社会塑造更多高素质应用人才的必由之路。本文笔者就高校体育教育教学与素质拓展训练进行了分析。从而,提出了在新时期下两者应该怎样进行融合的策略。希望对同行从业人员提供帮助与参考。

关键词：高校体育教育素质拓展训练融合策略

从散打实战需求对散打运动员身体素质训练的研究

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体育世界(学术版) 2011年第6期 50-51页

作者：俸小辉江西理工大学南昌校区文理系

实战是散打运动训练的终极目标,平时训练的所有技战术只能在实战中才能得以检验,实战运用的好坏直接决定着运动员是否取得优异成绩。良好出色的身体素质是散打实战的基础也是比赛取胜的更本保障。通过本人对散打运动的学习、训练和近五... 详细信息

实战是散打运动训练的终极目标,平时训练的所有技战术只能在实战中才能得以检验,实战运用的好坏直接决定着运动员是否取得优异成绩。良好出色的身体素质是散打实战的基础也是比赛取胜的更本保障。通过本人对散打运动的学习、训练和近五年对江西省武术散打比赛裁判工

关键词：散打运动员身体素质人口素质散打比赛身体素质训练需求

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对培养高水平武术散打运动员训练结构的探讨

体育世界(学术版) 2010年第8期 30-31页

作者：俸小辉江西理工大学南昌校区文理系

针对我国现阶段武术散打运动项目发展中的不足和存在的各种问题,充分借鉴其它竞技运动项目发展的思路和理念,提出建立健全一整套培养高水平武术散打运动员训练结构的必要性及其理论构思。

关键词：高水平武术散打训练结构

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税收竞争、资本流动与收入不平等

经济研究 2024年第6期59卷 88-106页

作者：储德银纪凡刘俸奇安徽财经大学财政与公共管理学院上海财经大学公共经济与管理学院南开大学经济学院

伴随中国经济由快速增长转向高质量发展的新阶段，居民收入不平等问题关系到我国能否顺利跨越中等收入陷阱与实现共同富裕这一战略目标。首先，本文构建了一个包含代表性家庭、代表性企业和地方政府的静态一般均衡模型，系统诠释地方政... 详细信息

伴随中国经济由快速增长转向高质量发展的新阶段，居民收入不平等问题关系到我国能否顺利跨越中等收入陷阱与实现共同富裕这一战略目标。首先，本文构建了一个包含代表性家庭、代表性企业和地方政府的静态一般均衡模型，系统诠释地方政府税收竞争对居民收入不平等的作用机制和影响效应。其次，采用中国270个地级市数据实证考察地方政府税收竞争对居民收入不平等的影响效应。研究发现：地方政府税竞争对地区间居民收入不平等具有显著的逆公平分配效应，而且主要是通过资本不平等这一传导机制予以实现。经分税种检验发现：税收竞争的逆向分配作用主要体现为企业所得税竞争和个人所得税竞争。此外，经济基础和市场环境差异导致税收竞争的影响呈现显著的异质性，即欠发达地区和市场环境一般的地区税收竞争的激励机制更强，税收竞争对地区间居民收入不平等的影响更加明显。本文的研究为协调地区经济高质量发展和推动实现共同富裕提供了有益的经验借鉴和政策参考。

关键词：税收竞争资本流动收入不平等共同富裕

多晶键合层对分离吸收电荷倍增型锗/硅雪崩光电二极管性能的影响

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硅酸盐学报 2024年第7期52卷 2316-2328页

作者：苏小萍李嘉辉王战仁柯少颖闽南师范大学物理与信息工程学院福建漳州363000

分离吸收电荷倍增(SACM)型Ge/Si雪崩光电二极管(APD)因其高速、低噪声、高灵敏度、具备光增益等优点在光通信、光学成像和安全检测等领域具有广泛的应用前景。然而由于Si和Ge的晶格常数相差4.2%,因此在Ge/Si异质结界面会形成高密度的穿... 详细信息

分离吸收电荷倍增(SACM)型Ge/Si雪崩光电二极管(APD)因其高速、低噪声、高灵敏度、具备光增益等优点在光通信、光学成像和安全检测等领域具有广泛的应用前景。然而由于Si和Ge的晶格常数相差4.2%,因此在Ge/Si异质结界面会形成高密度的穿透位错,导致器件性能的恶化。为获得低位错密度Si基Ge薄膜材料并实现高性能Ge/Si APD,创新在Ge/Si键合界面处引入一层多晶硅(poly-Si)键合层弱化Ge/Si晶格失配对器件性能的影响,研究了poly-Si键合层掺杂浓度对键合Ge/Si APD性能的影响。研究表明,由于键合界面的晶格缓冲作用,键合Ge/Si APD在室温下可以获得极低的暗电流和较高的带宽,较低的poly-Si键合层掺杂浓度可获得性能较好的Ge/Si APD。该结果为提高Ge/Si APD的性能提供了理论依据。

关键词：雪崩光电二极管锗/硅键合多晶硅键合层晶格失配键合层掺杂浓度

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带有LC串联谐振功率自均衡单元的模块化光伏直流升压变换器

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电工技术学报 2024年第4期39卷 1087-1102页

作者：朱小全侯鹏辉侯锦涛金科张波南京航空航天大学自动化学院南京211106 华南理工大学电力学院广州510641

该文基于半有源桥(SAB)结构,提出一种带有LC串联谐振功率自均衡单元的输入独立输出串联(IIOS)型光伏直流升压变换器。该变换器采用半有源桥隔离变换器作为子模块单元,实现输入输出电气隔离以及最大功率点跟踪(MPPT)控制,并通过多个子模... 详细信息

该文基于半有源桥(SAB)结构,提出一种带有LC串联谐振功率自均衡单元的输入独立输出串联(IIOS)型光伏直流升压变换器。该变换器采用半有源桥隔离变换器作为子模块单元,实现输入输出电气隔离以及最大功率点跟踪(MPPT)控制,并通过多个子模块单元输出串联实现端口电压匹配以满足直流并网要求。在LC功率均衡支路作用下,该变换器能实现各子模块输出端口的均压控制,控制方法简单,二次侧通过器件复用进一步减少了开关管使用数量,且原二次侧所有开关管均能实现零电压开通(ZVS),效率较高。针对起动时可能产生的系统过电流及谐振电容过电压问题,提出软起动控制策略,保证了系统的可靠性。基于Matlab/Simulink仿真证明了所提变换器工作原理和子模块输出均压方法的可行性,最后通过搭建输出功率600 W三模块小型样机进行了实验验证。

关键词：输入独立输出串联(IIOS)型变换器分布式光伏发电系统功率失配电压均衡

基于仿射不变性特征的冷冻电子断层图像无标记对位

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计算机辅助设计与图形学学报 2024年

作者：俸楷文郭珂诚冯结青浙江大学CAD&CG国家重点实验室

图像对位是冷冻电子断层三维重构中的重要步骤，对位精度对于生物大分子的三维重构质量至关重要. 针对无标记对位技术中图像特征信息利用不充分、对位精度不高的问题，提出一种基于仿射不变性特征的冷冻电子断层图像无标记对位方法. ... 详细信息

图像对位是冷冻电子断层三维重构中的重要步骤，对位精度对于生物大分子的三维重构质量至关重要. 针对无标记对位技术中图像特征信息利用不充分、对位精度不高的问题，提出一种基于仿射不变性特征的冷冻电子断层图像无标记对位方法. 首先通过仿射变换模拟电子断层图像在投影成像时的旋转变换，以缩小特征对应搜索空间，得到对于平移、旋转、尺度、视角变换都具有不变性的图像特征点; 然后通过运动一致性约束去除大量误匹配特征点，再采用RANSAC方法二次筛选获得正确的特征匹配结果; 最后求解电子断层图像的对位参数. 对多组电子断层图像序列数据的对位实验结果表明，所提方法相较于SIFT方法和IMOD软件，提高仿射不变性特征计算效率70%，增加所保留特征点的数量81%～172%，减小重投影误差12%～26%，提高冷冻电子断层图像无标记对位方法的精度.

关键词：冷冻电子断层三维重构无标记对位仿射不变性特征匹配

基于poly-Si键合层的SACM型Ge/Si APD的优化设计研究

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中国激光 2024年第8期51卷 46-59页

作者：张娟苏小萍李嘉辉王战仁柯少颖闽南师范大学物理与信息工程学院光场调控及其系统集成应用福建省高校重点实验室福建漳州363000

Ge/Si雪崩光电二极管(APD)被广泛应用于近红外探测领域,但由于Ge和Si之间存在4.2%的晶格失配,故难以获得高性能的Ge/Si APD。提出在Ge/Si键合界面处引入多晶硅(poly-Si)键合中间层,弱化Ge/Si失配晶格对APD器件性能的影响。poly-Si引入... 详细信息

Ge/Si雪崩光电二极管(APD)被广泛应用于近红外探测领域,但由于Ge和Si之间存在4.2%的晶格失配,故难以获得高性能的Ge/Si APD。提出在Ge/Si键合界面处引入多晶硅(poly-Si)键合中间层,弱化Ge/Si失配晶格对APD器件性能的影响。poly-Si引入后键合界面电场发生变化,导致APD内部的电场重新分布,极大地影响了器件性能。因此,重点对Ge吸收层和Si倍增层的掺杂浓度进行调控,探究了掺杂浓度对Ge/Si APD电场、复合率、载流子浓度、碰撞电离等性能的影响,最终设计出高性能键合Ge/Si APD。本工作将为低噪声、高增益Ge/Si APD的研究提供理论指导。

关键词：材料 Ge/Si雪崩光电二极管晶格失配 poly-Si键合层掺杂浓度

超碱NLi团簇修饰DHQ石墨烯的储氢性能研究

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原子与分子物理学报 2024年 101-107页

作者：戴小乐王允辉黄欣南京邮电大学电子与光学工程学院柔性电子(未来技术)学院南京邮电大学理学院

基于第一性原理计算,系统研究了超碱NLi4团簇修饰在DHQ石墨烯表面上的几何结构及吸附能等性质,并深入探索了其储氢性能.研究结果表明:超碱NLi4团簇可以稳定均匀地吸附在DHQ石墨烯表面,Li原子与N原子的强结合能有效避免了Li原子发生团聚... 详细信息

基于第一性原理计算,系统研究了超碱NLi4团簇修饰在DHQ石墨烯表面上的几何结构及吸附能等性质,并深入探索了其储氢性能.研究结果表明:超碱NLi4团簇可以稳定均匀地吸附在DHQ石墨烯表面,Li原子与N原子的强结合能有效避免了Li原子发生团聚.每个NLi4团簇周围最多可吸附11个氢气分子,平均吸附能为0.20 eV,最大储氢容量为12.05 wt%,达到美国能源部制定的2025年储氢目标5.5 wt%.最后,基于相对能量计算,发现当压强大于84 bar时,该储氢体系可以在室温下稳定存在.以上结果表明经超碱NLi4团簇修饰的DHQ石墨烯是一种有潜力的储氢材料.

关键词：多孔材料储氢超碱NLi 团簇 DHQ石墨烯第一性原理计算