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混晶GaAs_(1-x)P_x∶N(x=0.4)中的N_X和N_Γ发光带的研究

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Journal of Semiconductors 1999年第5期20卷 429-432页

作者：俞容文郑健生颜炳章厦门大学物理系

本文采用变温条件下的光致发光谱和选择激发发光谱对混晶ＧａＡｓ１－ｘＰｘ∶Ｎ（ｘ＝０．４）中的ＮＸ和ＮΓ发光带进行了研究．在选择激发条件下，实验未观察到混晶ＧａＡｓ１－ｘＰｘ∶Ｎ（ｘ＝０．４）中ＮΓ→ＮＸ的带间能量转移... 详细信息

本文采用变温条件下的光致发光谱和选择激发发光谱对混晶ＧａＡｓ１－ｘＰｘ∶Ｎ（ｘ＝０．４）中的ＮＸ和ＮΓ发光带进行了研究．在选择激发条件下，实验未观察到混晶ＧａＡｓ１－ｘＰｘ∶Ｎ（ｘ＝０．４）中ＮΓ→ＮＸ的带间能量转移现象．从变温光致发光谱得到在温度Ｔ＜５０Ｋ时，ＮΓ和ＮＸ的激活能分别为Ｅａ（ＮΓ）＝５．８ｍｅＶ和Ｅａ（ＮＸ）＝１１．２ｍｅＶ；在温度Ｔ＞５０Ｋ时，ＮΓ和ＮＸ的激活能分别为Ｅａ（ＮΓ）＝６７ｍｅＶ和Ｅａ（ＮＸ）＝３２ｍｅＶ．根据实验结果，我们提出，ＮＸ和ＮΓ中心分别来自孤立Ｎ中心和Ｎ束缚激子分子的发光．

关键词：混晶发光带半导体光致发光光谱激发发光谱

混晶GaAs_(1-x)P_x∶N(x=0.88)中NN_1对束缚激子发光的声子伴线

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厦门大学学报（自然科学版） 1997年第6期36卷 852-855页

作者：俞容文郑健生颜炳章厦门大学物理学系

采用选择激发的实验手段，在混晶ＧａＡｓ１－ｘＰｘ∶Ｎ（ｘ＝０．８８）的光致发光谱中观察到ＮＮ１对束缚激子发光的声子伴线．通过荧光谱线窄化效应，在发光谱中得到与ＧａＰ∶Ｎ低温光致发光谱中Ａ线相似的ＮＮ１线的声子伴线精细... 详细信息

采用选择激发的实验手段，在混晶ＧａＡｓ１－ｘＰｘ∶Ｎ（ｘ＝０．８８）的光致发光谱中观察到ＮＮ１对束缚激子发光的声子伴线．通过荧光谱线窄化效应，在发光谱中得到与ＧａＰ∶Ｎ低温光致发光谱中Ａ线相似的ＮＮ１线的声子伴线精细结构，其中包括ＴＡ，ＬＡ，ＬＯ等声子伴线．这个结果在实验上有力地证实了在混晶ＧａＡｓ１－ｘＰｘ∶Ｎ中的确存在着ＮＮ１发光中心．

关键词： Ⅲ-Ⅴ族半导体激子声子混晶光致发光谱

GaAs_(1-x)Px:N中氮浓度的光吸收法测量

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厦门大学学报（自然科学版） 1992年第2期31卷 152-155页

作者：俞容文郑健生颜炳章厦门大学物理学系

在液氮温度下利用光吸收法测量了一组混晶材料GaAs_(1-x)P_x :(0.60 详细信息

在液氮温度下利用光吸收法测量了一组混晶材料GaAs_(1-x)P_x :(0.60

关键词：氮浓度光吸收混晶发光材料

有序Ga_xIn_(1-x)P(x=0.52)光致发光谱研究

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发光学报 1999年第1期20卷 14-16页

作者：吕毅军俞容文郑健生厦门大学物理系

报道了对有序ＧａｘＩｎ１－ｘＰ（ｘ＝０．５２）样品的变温和变激发功率密度的ＰＬ谱的研究．在低温Ｔ＝１７Ｋ，低激发功率密度下，谱线呈双峰结构，在低激发功率密度下升高温度，低能端的发光峰（以下简称Ａ峰）发生热猝灭，并在８... 详细信息

报道了对有序ＧａｘＩｎ１－ｘＰ（ｘ＝０．５２）样品的变温和变激发功率密度的ＰＬ谱的研究．在低温Ｔ＝１７Ｋ，低激发功率密度下，谱线呈双峰结构，在低激发功率密度下升高温度，低能端的发光峰（以下简称Ａ峰）发生热猝灭，并在８５Ｋ左右完全消失．高能端的发光峰（以下简称Ｂ峰）积分强度则随温度升高先增强而后发生猝灭．采用低激发功率密度激发样品，Ａ峰较Ｂ峰强．增大激发功率密度，Ｂ峰强度逐渐超过Ａ峰强度并占据主导地位．激发功率密度增加约两个数量级时，发现Ｂ峰峰值位置不随激发功率密度移动，而Ａ峰出现微小蓝移（６．２ｍｅＶ）．初步分析表明，Ａ峰与空间分离中心的复合有关，而Ｂ峰来自本征激子复合；

关键词：有序度 Ⅲ-Ⅴ族半导体光致发光谱镓铟磷

低激发功率密度下GaAs_（1－x）Px：N（x＝0．88）的NNi对发光

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Journal of Semiconductors 1994年第7期15卷 444-449页

作者：俞容文郑健生糜东林颜炳章厦门大学物理系

在低激发动率密度条件下研究了混晶材料ＧａＡｓ１－ｘＰｘ：Ｎ（ｘ＝０．８８）中的ＮＮｉ对束缚激子发光．发现随温度升高，在光致发光谱中依次出现ＮＮ３和ＮＮ１发光带，同时Ｎｘ带明显热猝灭．在低温下，降低激发功率密度，Ｎｘ谱... 详细信息

在低激发动率密度条件下研究了混晶材料ＧａＡｓ１－ｘＰｘ：Ｎ（ｘ＝０．８８）中的ＮＮｉ对束缚激子发光．发现随温度升高，在光致发光谱中依次出现ＮＮ３和ＮＮ１发光带，同时Ｎｘ带明显热猝灭．在低温下，降低激发功率密度，Ｎｘ谱带移向低能端并且窄化．结果表明，在低激发功率密度下，热激活的Ｎｘ→ＮＮｉ激子转移过程明显加强，激子转移的机制主要是变程跳跃过程．

关键词：混晶发光 GaAsi-xPx:N

混晶GaAs_(1-x)P_(x):N中等电子杂质束缚激子的发光

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厦门大学学报（自然科学版） 1995年第2期34卷 189-193页

作者：俞容文郑健生糜东林颜炳章厦门大学物理学系

在７７Ｋ流体静压和低激发功率密度两种不同实验条件下，对组分ｘ＝０．８８混晶材料ＧａＡｓ＿（１－ｘ）Ｐ＿ｘ：Ｎ的光致发光进行了研究。在发光谱中分别明显地出现ＮＮ＿ｉ（ｉ＝１，３）对束缚激子的发光峰。观察到压力下Ｎ＿ｘ带... 详细信息

在７７Ｋ流体静压和低激发功率密度两种不同实验条件下，对组分ｘ＝０．８８混晶材料ＧａＡｓ＿（１－ｘ）Ｐ＿ｘ：Ｎ的光致发光进行了研究。在发光谱中分别明显地出现ＮＮ＿ｉ（ｉ＝１，３）对束缚激子的发光峰。观察到压力下Ｎ＿ｘ带发光猝灭及谱带窄化。低温下，降低激发功率密度，Ｎ＿ｘ谱带移向低能量位置并且半宽变窄。实验结果表明发生Ｎ＿ｘ束缚激子从孤立Ｎ＿ｘ中心到ＮＮ＿ｉ中心的热激活转移。分析结果说明，在加压和低激发密度下，发生这种转移现象的主导机制分别是多重陷入和变程跳跃．

关键词： Ⅲ-Ⅴ族半导体混晶无序束缚激子能量转移