检索结果-南通市图书馆

光子学报 1998年第3期27卷 204-206页

作者：李永放余明斌王燕魏昂陕西师范大学物理系西安理工大学理学院

多孔硅表面吸附荧光素钠分子后，由于其表面的独特性质，使得荧光素钠的荧光得到很大的增强，在这种吸附过程中彼此间存在能量转移过程．文中对荧光素钠增强机理及实验结果进行了详细分析讨论．

关键词：多孔硅荧光素钠荧光增强效应光致荧光

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纳米硅二极管的电输运特性

电子学报 1997年第11期25卷 72-74页

作者：刘明余明斌何宇亮江兴流北京航空航天大学非晶态物理研究室

用ＰＥＣＶＤ法在Ｓｉ衬底上沉积了纳米硅（ｎｃ－Ｓｉ：Ｈ）薄膜，其室温暗电导可达１０－３～１０－１Ω－１ｃｍ－１，高于本征单晶硅的电导，将其制成遂道二极管，其Ｉ－Ｖ曲线在７７Ｋ呈现出量子台阶，对这一新颖物理现象进行了定... 详细信息

用ＰＥＣＶＤ法在Ｓｉ衬底上沉积了纳米硅（ｎｃ－Ｓｉ：Ｈ）薄膜，其室温暗电导可达１０－３～１０－１Ω－１ｃｍ－１，高于本征单晶硅的电导，将其制成遂道二极管，其Ｉ－Ｖ曲线在７７Ｋ呈现出量子台阶，对这一新颖物理现象进行了定性解释．

关键词：量子点共振隧穿量子台阶纳米硅二极管硅

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PECVD法生长纳米硅薄膜的压敏特性

北京航空航天大学学报 1996年第1期22卷 84-87页

作者：于晓梅何宇亮李雪梅余明斌北京航空航天大学应用数理系

使用常规的ＰＥＣＶＤ等离子体增强化学汽相沉积）沉积技术成功地制备出具有纳米相结构的硅薄膜，并研究了以玻璃和单晶硅为衬底材料纳米硅薄膜的压阻特性．测得两种衬底材料制备的样品均有很高的压力灵敏度系数Ｋ，其值可以达到８０，... 详细信息

使用常规的ＰＥＣＶＤ等离子体增强化学汽相沉积）沉积技术成功地制备出具有纳米相结构的硅薄膜，并研究了以玻璃和单晶硅为衬底材料纳米硅薄膜的压阻特性．测得两种衬底材料制备的样品均有很高的压力灵敏度系数Ｋ，其值可以达到８０，退火后Ｋ值会增加，电阻随压力呈良好的线性关系，但有较大滞后．并对样品的受力情况及测试结果进行了简单的分析．本文对ｎｃ－Ｓｉ：Ｈ薄膜力敏器件的设计和制造将有重要的参考价值．

关键词：硅膜界面压力灵敏度纳米硅晶态比

用自动旋转椭圆偏振光谱仪测定AlxGa1-xAs外延层的x值（英文）

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固体电子学研究与进展 1989年第4期 454-455页

作者：余明斌,罗晋生西安交通大学西安交通大学

This paper has analyzed the AlxGa1 xAs liquid-phase epitaxy layer by Automatic Rotating-Analyzer Spectroscopic Ellipsometer. The energy of the incident light ranges from 1.959eV to 4.300eV. The refractivity n and extinction coefficient k of the epitaxy layer are found to be regularly changed with the x-values of the epitaxy *** n-E spectrum displayed a obvious peak among the measured values and the energy position related to the peak increases with increasing of x, which can be written as E= 2.88+ 0.87x. Thus the x value of the epitaxy layer can be obtained from the peak position of the n-E spectrum of the AlxGa1-xAs epitaxy layer by Automatic Rotating Analyzer Spectroscopic Ellipsometer.

关键词：椭圆偏振 Al_xGa x)As 外延层自动旋转

Si／SiGe　HBT高频特性的模拟与分析

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固体电子学研究与进展 1994年第1期14卷 40-45页

作者：林健余明斌曾峥罗晋生西安交通大学电子工程系

给出了适用于分析复杂结构ＨＢＴ的电荷传输延迟时间及截止频率的电荷分配模型（ＣＰ）。模拟了Ｓｉ／ＳｉＧｅＨＢＴ的高频特性。模拟结果显示Ｓｉ／ＳｉＧｅＨＢＴ的频率特性较ＳｉＢＪＴ大为改善，而基区及集电结ＳＣＲ区的电荷输运... 详细信息

给出了适用于分析复杂结构ＨＢＴ的电荷传输延迟时间及截止频率的电荷分配模型（ＣＰ）。模拟了Ｓｉ／ＳｉＧｅＨＢＴ的高频特性。模拟结果显示Ｓｉ／ＳｉＧｅＨＢＴ的频率特性较ＳｉＢＪＴ大为改善，而基区及集电结ＳＣＲ区的电荷输运时间将成为提高Ｓｉ／ＳｉＧｅＨＢＴ截止频率的主要制约因素。与实验报道的对比证实了本模型可作为优化器件设计的有效手段。

关键词：锗硅合金异质结双极晶体管

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纳米硅薄膜中的微晶粒具有量子点功能

仪器仪表学报 1996年第S1期17卷 217-220页

作者：何宇亮余明斌刘剑徐士杰北航非晶态物理与光信息研究室中科院北京半导体所超晶格与微结构国家实验室

纳米硅薄膜中的微晶粒具有量子点功能何宇亮，余明斌，刘剑，徐士杰（北航非晶态物理与光信息研究室）（中科院北京半导体所超晶格与微结构国家实验室）使用超高真空ＰＥＣＶＤ薄膜沉积技术制备的纳米硅薄膜（ｎｃ－Ｓｉ：Ｈ）是一种新... 详细信息

纳米硅薄膜中的微晶粒具有量子点功能何宇亮，余明斌，刘剑，徐士杰（北航非晶态物理与光信息研究室）（中科院北京半导体所超晶格与微结构国家实验室）使用超高真空ＰＥＣＶＤ薄膜沉积技术制备的纳米硅薄膜（ｎｃ－Ｓｉ：Ｈ）是一种新型人工功能材料。它是由大量的具有纳...

关键词： 擩

具有亚波长模式局域性的全介质反槽波导及其与输入/输出光纤的高效耦合

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红外与毫米波学报 2021年第6期40卷 709-714页

作者：岳文成王庆李欣雨王书晓余明斌中国科学院上海微系统与信息技术研究所硅基材料与集成器件实验室上海200050 中国科学院大学北京100049 西安理工大学电子工程系西安710048 上海微技术工业研究院上海201800

由于金属固有的欧姆损耗,表面等离子体波导通常具有较大的传输损耗。基于此,提出了一种全介质反槽波导结构,该波导可以同时实现亚波长模式局域性和理论上无损耗的传输,归一化模式面积可以达到3.4×10^(-2)。另外,为了实现该小尺寸反槽... 详细信息

由于金属固有的欧姆损耗,表面等离子体波导通常具有较大的传输损耗。基于此,提出了一种全介质反槽波导结构,该波导可以同时实现亚波长模式局域性和理论上无损耗的传输,归一化模式面积可以达到3.4×10^(-2)。另外,为了实现该小尺寸反槽波导与输入/输出光纤的高效耦合,提出了一种高效的耦合方案,耦合效率可以达到92.7%,在y和z方向上1 dB损耗的耦合偏差均约为2μm。

关键词：光子集成电路纳米光子学波导

SiGeC/Si功率二极管的数值模拟与分析

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Journal of Semiconductors 2006年第6期27卷 1068-1072页

作者：高勇刘静马丽余明斌西安理工大学电子工程系西安710048 西安理工大学应用物理系西安710048

将SiGeC技术应用于功率半导体器件的特性改进,提出了一种新型p+(SiGeC)n-n+异质结功率二极管结构.在分析SiGeC合金材料物理特性的基础上,给出了该结构的关键物理参数模型,并在此基础上利用MEDICI模拟,对比分析了C的引入对器件各种电特... 详细信息

将SiGeC技术应用于功率半导体器件的特性改进,提出了一种新型p+(SiGeC)n-n+异质结功率二极管结构.在分析SiGeC合金材料物理特性的基础上,给出了该结构的关键物理参数模型,并在此基础上利用MEDICI模拟,对比分析了C的引入对器件各种电特性的影响.此外,还模拟比较了不同p+区厚度对器件反向漏电流的影响.结果表明:在SiGe/Si功率二极管中加入少量的C,在基本不影响器件正向I V特性和反向恢复特性的前提下,大大减少了器件的反向漏电流,并且C的加入还减小了器件特性对材料临界厚度的依赖性,提高了器件稳定性.

关键词： SiGeC/Si异质结功率二极管反向恢复漏电流

用ECRCVD法制备的纳米碳化硅薄膜及其室温下的强光发射

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Journal of Semiconductors 2002年第3期23卷 280-284页

作者：余明斌杨安余宁梅马剑平西安理工大学应用电子工程系西安710048

用电子回旋共振化学气相沉积 (ECRCVD)方法制备了纳米碳化硅薄膜 .实验中发现 :在高氢稀释反应气体和高微波功率条件下 ,可以得到结构上具有纳米碳化硅晶粒镶嵌在碳化硅无序网络中的薄膜 .用高分辩透射电子显微镜、傅里叶红外吸收谱、Ra... 详细信息

用电子回旋共振化学气相沉积 (ECRCVD)方法制备了纳米碳化硅薄膜 .实验中发现 :在高氢稀释反应气体和高微波功率条件下 ,可以得到结构上具有纳米碳化硅晶粒镶嵌在碳化硅无序网络中的薄膜 .用高分辩透射电子显微镜、傅里叶红外吸收谱、Ram an散射和 X射线光电子谱等分析手段对薄膜的结构进行了分析 .在室温条件下 ,薄膜能够发出强烈的短波长可见光 ,发光峰位于能量为 2 .6 4 e V处 .瞬态光谱研究表明样品的光致发光寿命为纳秒数量级 ,表现出直接跃迁复合的特征 .

关键词：纳米碳化硅薄膜光致发光 ECRCVD法制备强光发射

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多孔硅吸附染料分子的荧光增强效应

光学学报 1999年第4期19卷 562-566页

作者：李永放魏昂余明斌王燕陕西师范大学物理系西安理工大学理学院

报道了利用多孔硅独特的表面特性，吸附染料分子后，使得染料的荧光得到很大的增强，并观察到了这种吸附过程中彼此间的能量转移过程。对染料的荧光增强机理及实验结果进行了讨论。

关键词：多孔硅吸附染料分子荧光增强效应能量转移