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基于转录组技术挖掘高效解离难溶磷素候选基因

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分子植物育种 2024年

作者：刘秀林赵克臻王雪扬宫天明韩德志苗丽丽张丰屹袁荣强何雯瑾王家军张必弦黑龙江省农业科学院大豆研究所东北农业大学农学院黑龙江省农业科学院黑河分院黑龙江省农业科学院黑龙江省黑土保护利用研究院

磷在土壤中多以难溶磷素形态存在，土壤有效磷素缺乏已成为制约大豆生产的关键环境因子之一。作物根系分泌物在活化难溶磷素中起重要作用，对改善土壤供磷水平、减低生产成本具有重要意义。本研究已大豆品种黑农48为试验材料，利用转录... 详细信息

磷在土壤中多以难溶磷素形态存在，土壤有效磷素缺乏已成为制约大豆生产的关键环境因子之一。作物根系分泌物在活化难溶磷素中起重要作用，对改善土壤供磷水平、减低生产成本具有重要意义。本研究已大豆品种黑农48为试验材料，利用转录组测序技术检测差异表达基因(different express genes， DEGs)，共检测到2 755个DEGs，其中，2 506个上调表达，249个下调表达。通过差异表达基因KEGG途径分析，在3个代谢途径中共筛选出10个高效解离难溶磷素候选基因。利用qRT-PCR对候选基因进行表达验证，其中8个上调表达基因与测序结果一致，研究结果为后续开展大豆高效解离难溶磷素的分子机制研究提供重要的技术支撑。

关键词：大豆难溶磷素转录组测序差异表达基因

控制大豆棕榈酸含量的相关基因定位与克隆研究进展

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分子植物育种 2024年

作者：薛永国唐晓飞曹旦孙建强刘琦朱梓菲何雯瑾高华伟栾晓燕邱丽娟刘鑫磊黑龙江省农业科学院大豆研究所中国农业科学院作物科学研究所农作物基因资源与遗传改良国家重大科学工程农业部北京大豆生物学重点实验室

大豆是世界上最重要的油料作物，大豆棕榈酸(PA)是大豆油中主要成分之一，改变其含量是实现大豆脂肪质量优良化的关键因素之一。随着测序和功能基因组学技术的不断发展，为发掘控制大豆棕榈酸含量相关的基因提供了新的手段。本研究详细... 详细信息

大豆是世界上最重要的油料作物，大豆棕榈酸(PA)是大豆油中主要成分之一，改变其含量是实现大豆脂肪质量优良化的关键因素之一。随着测序和功能基因组学技术的不断发展，为发掘控制大豆棕榈酸含量相关的基因提供了新的手段。本研究详细梳理并总结了近期有关于大豆棕榈酸含量相关基因的定位以及克隆研究领域的最新进展，介绍了棕榈酸生物合成的途径与调控转运机制，还进一步阐述了未来大豆棕榈酸分子育种的研究的方向，本综述为大豆棕榈酸甚至脂肪酸含量改变的大豆品质育种提供理论依据。

关键词：大豆棕榈酸含量基因定位基因功能

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退火对非晶态碲镉汞薄膜稳定态光电导的影响

光电子．激光 2012年第4期23卷 735-739页

作者：余连杰史衍丽李雄军杨丽丽邓功荣何雯瑾莫镜辉昆明物理研究所云南昆明650223

利用射频磁控溅射方法,在宝石衬底上制备了非晶态碲镉汞(a-HgCdTe)薄膜。对原生a-HgCdTe薄膜进行了不同退火时间和不同退火温度的热退火,在80～300K温度范围内,分别测量了原生和退火处理后的a-HgCdTe薄膜样品的稳定态光电导,研究了退火... 详细信息

利用射频磁控溅射方法,在宝石衬底上制备了非晶态碲镉汞(a-HgCdTe)薄膜。对原生a-HgCdTe薄膜进行了不同退火时间和不同退火温度的热退火,在80～300K温度范围内,分别测量了原生和退火处理后的a-HgCdTe薄膜样品的稳定态光电导,研究了退火时间和退火温度对非晶态HgCdTe薄膜的稳定态光电导和激活能的影响。结果表明,原生和退火a-HgCdTe薄膜的稳定态光电导具有热激活特性;随着退火时间增加或退火温度升高,a-HgCdTe薄膜的晶化程度提高,导致光电导增大,光电导激活能降低。利用非晶-多晶转变机制讨论了实验结果。

关键词：非晶态碲镉汞(a-HgCdTe)薄膜光电导热退火非晶-多晶转变

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热释电非制冷红外焦平面探测器热绝缘结构

红外与激光工程 2011年第8期40卷 1407-1411页

作者：何雯瑾太云见李玉英袁俊史衍丽昆明物理研究所云南昆明650223

热释电非制冷红外探测器由于具有可靠性高、成本低、无需制冷等优点,使其得到了广泛应用。在热释电探测器中,热绝缘结构具有红外热转换、机械支撑和热隔离等作用。良好的热绝缘结构是减小探测器热导率和改善其性能的关键。采用半导体光... 详细信息

热释电非制冷红外探测器由于具有可靠性高、成本低、无需制冷等优点,使其得到了广泛应用。在热释电探测器中,热绝缘结构具有红外热转换、机械支撑和热隔离等作用。良好的热绝缘结构是减小探测器热导率和改善其性能的关键。采用半导体光刻技术和牺牲层技术,在硅基底上制备了由牺牲层和Si3N4薄膜组成的微桥结构,该方法使探测器的微桥结构的制备与半导体工艺相兼容,并通过优化工艺参数,提高了微桥结构的机械强度,减小了热导,解决了制备热绝缘结构的关键技术,制备了像元中心距为50μm、填充因子为40%～60%、耐受温度≥500℃的320×240微桥列阵,该结构为制备高性能非制冷焦平面探测器奠定了基础。

关键词：热绝缘结构非制冷探测器热释电

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黑龙江省农村贫困地区“众筹扶贫”模式研究

河南农业 2019年第27期 33-34,36页

作者：何雯瑾云南农业大学经济管理学院

针对我国农村贫困地区的特点,寻求一种能够打破地域界限,突破扶贫瓶颈,探索可复制、可推广性的脱贫模式是当前扶贫工作的重要研究课题。黑龙江省农村贫困地区实施的“众筹扶贫”模式成效显著,对引领我国乡村振兴、精准扶贫和全面建成小... 详细信息

针对我国农村贫困地区的特点,寻求一种能够打破地域界限,突破扶贫瓶颈,探索可复制、可推广性的脱贫模式是当前扶贫工作的重要研究课题。黑龙江省农村贫困地区实施的“众筹扶贫”模式成效显著,对引领我国乡村振兴、精准扶贫和全面建成小康社会具有深远意义。通过从黑龙江省农村贫困地区扶贫模式入手,全面阐述“众筹扶贫”模式的理论与实践。在此基础上,通过深入分析实施“众筹扶贫”模式的可行性与存在的问题,提出“众筹扶贫”模式的路径。

关键词：黑龙江省贫困地区众筹扶贫

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基于目标/系统特征设计雪崩光电二极管增益

激光与红外 2011年第11期41卷 1215-1218页

作者：王忆锋余连杰陈洁何雯瑾昆明物理研究所云南昆明650223

以即时全球打击(prompt global strike,PGS)武器的早期预警为应用背景,介绍了理想条件下从PGS投射到探测器上光子数的估算方法。给出了基于探测器量子效率的光生电荷数的计算方法。讨论了PGS辐射特征和运动特征、光生电荷数以及可检测... 详细信息

以即时全球打击(prompt global strike,PGS)武器的早期预警为应用背景,介绍了理想条件下从PGS投射到探测器上光子数的估算方法。给出了基于探测器量子效率的光生电荷数的计算方法。讨论了PGS辐射特征和运动特征、光生电荷数以及可检测电流阈值对于APD增益设计的影响。

关键词：短波红外探测器单光子探测器雪崩光电二极管增益即时全球打击武器

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氧化钒非制冷红外焦平面探测器芯片工艺研究

红外技术 2009年第1期31卷 1-4页

作者：袁俊太云见雷晓虹何雯瑾陈妞昆明物理研究所云南昆明650223

非制冷红外探测器具有成本低廉、无需制冷等优异特点,在红外探测和红外成像领域占有极其重要的地位。从氧化钒非制冷焦平面探测器的牺牲层、支撑层、氧化钒等制备工艺进行了研究,为国内非制冷焦平面探测器工程化研究奠定了坚实的技术基础。

关键词：非制冷红外焦平面氧化钒工艺

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量子点红外探测器及焦平面阵列的研究进展

红外技术 2011年第2期33卷 70-74页

作者：邓功荣史衍丽余连杰何雯瑾昆明物理研究所云南昆明650223

量子点红外探测器(QDIP)理论上具有对垂直入射光敏感、暗电流小、载流子寿命长、工作温度和响应率高等优势。目前,研究主要集中在普通量子点红外探测器、阱中点红外探测器(DWELL-QDIP)、隧穿量子点红外探测器(T-QDIP)、Si/Ge量子点红外... 详细信息

量子点红外探测器(QDIP)理论上具有对垂直入射光敏感、暗电流小、载流子寿命长、工作温度和响应率高等优势。目前,研究主要集中在普通量子点红外探测器、阱中点红外探测器(DWELL-QDIP)、隧穿量子点红外探测器(T-QDIP)、Si/Ge量子点红外探测器、二维小孔阵列红外探测器(2DHA-QDIP),国外报道了640×512量子点红外焦平面阵列的热成像,但现有的QDIP还未充分显现出其潜在优势。阐述了正在研究的几种QDIP和未来技术发展的趋势。

关键词：量子点红外探测器(QDIP) 焦平面阵列阱中点QDIP 隧穿QDIP 二维小孔阵列QDIP

单壁碳纳米管-纳米金-离子液体修饰玻碳电极用于线性伏安法测定辛硫磷

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理化检验（化学分册） 2012年第9期48卷 1058-1062页

作者：刘拥军王光灿师真易汉希何雯瑾彭芳芝云南大学现代分析测试中心昆明650091 昆明物理所昆明650223

将单壁碳纳米管(SWCNTs)悬浊液和纳米金(nano Au)溶液混匀后滴涂在玻碳电极表面,自然干燥后再将离子液体BMIMPF6的甲醇溶液滴涂在上述电极上,制得单壁碳纳米管-纳米金-离子液体修饰玻碳电极(SWCNTs-nano Au-BMIMPF6/GCE)。用循环伏安方... 详细信息

将单壁碳纳米管(SWCNTs)悬浊液和纳米金(nano Au)溶液混匀后滴涂在玻碳电极表面,自然干燥后再将离子液体BMIMPF6的甲醇溶液滴涂在上述电极上,制得单壁碳纳米管-纳米金-离子液体修饰玻碳电极(SWCNTs-nano Au-BMIMPF6/GCE)。用循环伏安方法研究了辛硫磷在pH 4.0的磷酸盐支持电解质中,在电位-1.1～-0.1V(***)范围内,在修饰电极上的电化学行为。结果表明:在电位-0.81V处可见明显的还原峰,且其峰电流与辛硫磷的浓度在6.0×10-7～1.2×10-3 mmol.L-1范围内呈线性关系,检出限(3S/N)为3.0×10-7 mmol.L-1。据此提出了用线性伏安法测定辛硫磷的方法,用标准加入法测得其回收率在96.0%～105.5%之间,测定值的相对标准偏差(n=6)在3.3%～3.9%之间。

关键词：辛硫磷离子液体单壁碳纳米管纳米金电化学行为