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健康、教育与经济增长

经济评论 2011年第4期 5-13,53页

作者：张芬何艳武汉大学经济与管理学院 430072 湖北工业大学 430068

健康与教育是人力资本诸多形成方式中最重要的两种,长期以来内生增长理论强调和重视教育人力资本对于经济增长的贡献和作用,但健康与教育之间的相互影响以及健康人力资本对于经济增长的作用却未得到应有的重视。基于此,本文在Lucas(1988... 详细信息

健康与教育是人力资本诸多形成方式中最重要的两种,长期以来内生增长理论强调和重视教育人力资本对于经济增长的贡献和作用,但健康与教育之间的相互影响以及健康人力资本对于经济增长的作用却未得到应有的重视。基于此,本文在Lucas(1988),Van Zon和Muysken(2001)模型基础上,构建了一个包含最终产品、健康和教育的三部门模型。静态均衡、转移动态和仿真实验的结果表明:在总体人力资本的形成过程中,健康对广义人力资本的贡献份额大于教育;健康的增量而非健康人力资本存量水平有利于长期经济增长;健康的改善必须同时辅以教育人力资本的提高才能促进经济增长;政府公共健康支出对于健康人力资本的形成具有重要作用,有助于促进发展机会的均等和减贫;重视人力资本积累的经济体在10-15年后会呈现明显的经济绩效的改善。

关键词：健康教育人力资本经济增长

变异、虚空与元图像:关于雅克·林纳德静物画所绘“东坡游赤壁”纹青花瓷碗的阐释

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文艺理论研究 2024年第2期44卷 42-52页

作者：何艳君广州市文化馆(广州市非物质文化遗产保护中心) 广东省广州市510000

17世纪的法国画家雅克·林纳德在其跨越十三年的三幅静物画中,反复表现了一种或一只产自中国景德镇的“东坡游赤壁”纹青花瓷碗,使之成为其所绘“五感”或“虚空”主题静物画中的象征符号。因为中西方文化艺术的差异,雅克·林纳德静物... 详细信息

17世纪的法国画家雅克·林纳德在其跨越十三年的三幅静物画中,反复表现了一种或一只产自中国景德镇的“东坡游赤壁”纹青花瓷碗,使之成为其所绘“五感”或“虚空”主题静物画中的象征符号。因为中西方文化艺术的差异,雅克·林纳德静物画中的青花瓷碗存在着一定程度的功能错位;“东坡游赤壁”主题的文字纹则变异为无实际意义的点线组合符号纹;而图像纹除了表现内容的变异,还被赋予了新的内涵寓意。另一方面,这种变异也使“东坡游赤壁”图摆脱了苏轼“赤壁”二赋或改编故事的束缚,以纯粹的“图像”身份独立呈现。雅克·林纳德的三幅静物画尤其是《中国瓷器与鲜花》,因此也展示出更加明显的“元图像”或“元绘画”的特征。

关键词：赤壁图五感画虚空画元绘画海上丝绸之路

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索膜接触对气承式膜结构风致响应的影响

建筑结构学报 2022年第12期43卷 31-40页

作者：赵彦国何艳丽北京工业大学城市建设学部北京100124

目前对于索网加劲气承式膜结构的设计,通常将模型简化为索网与膜面直接连接,而忽略索网与膜面之间的摩擦滑移,这种简化处理方法对大跨度气承式膜结构的设计安全造成很大的隐患。为此,利用ANSYS软件,将气承式膜结构索膜之间的摩擦滑移作... 详细信息

目前对于索网加劲气承式膜结构的设计,通常将模型简化为索网与膜面直接连接,而忽略索网与膜面之间的摩擦滑移,这种简化处理方法对大跨度气承式膜结构的设计安全造成很大的隐患。为此,利用ANSYS软件,将气承式膜结构索膜之间的摩擦滑移作为接触问题来考虑,建立接触模型,并对其进行初始形态分析和风荷载响应分析。结果表明:当不考虑索膜接触滑移的影响时,会高估索网对膜面的约束作用,计算的膜面位移偏小,索网轴力偏大,且容易出现应力集中的现象;考虑索膜接触滑移时,索网对膜面的约束能力明显下降,在风荷载作用下膜面的位移明显增加,迎风面处的膜面和索网甚至会发生分离。因此需要考虑索膜接触滑移才能正确进行气承式膜结构的风致响应分析,避免安全事故的发生。

关键词：气承式膜结构索膜接触摩擦滑移初始形态风荷载

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装饰线描 1

丛书名：高等院校艺术设计专业基础教材

2014年

作者：何艳

本书是以现代艺术理论作为指导思想，以分析现代线描作品作为基础，讲解现代装饰线描的创作步骤，并作详细的步骤分解，使学生能够学习各种现代线描创作的方法和艺术步骤的编码，并能进行现代线描的创作。

ISBN: (纸本)9787562480051

关键词：装饰美术黑白画绘画技法高等学校教材

来源：汇雅图书（南通市图书馆... 评论

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汇雅图书（南通市图书馆）

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单晶碳化硅晶片高效超精密抛光工艺

哈尔滨工业大学学报 2019年第1期51卷 115-121页

作者：何艳苑泽伟段振云张幼军沈阳工业大学机械工程学院沈阳110870

为改善现有碳化硅抛光方法存在的效率低、有污染、损伤大等问题,提出采用机械研磨与光催化辅助化学机械抛光组合工艺抛光单晶碳化硅晶片.光催化辅助化学机械抛光利用纳米二氧化钛在紫外光照射下生成羟基自由基的强氧化作用原子级去除碳... 详细信息

为改善现有碳化硅抛光方法存在的效率低、有污染、损伤大等问题,提出采用机械研磨与光催化辅助化学机械抛光组合工艺抛光单晶碳化硅晶片.光催化辅助化学机械抛光利用纳米二氧化钛在紫外光照射下生成羟基自由基的强氧化作用原子级去除碳化硅.通过L9(33)正交试验研制光催化辅助化学机械抛光抛光液,采用对碳化硅晶片表面粗糙度跟踪检测的方法确定优化加工工艺.甲基紫有机显色剂静态氧化试验结果表明:光催化剂对抛光液氧化性的影响最大,其次是电子俘获剂,再次是分散剂;较好的抛光液配方为二氧化钛0.5 g獉L-1、过氧化氢1.5 mol獉L-1、六偏磷酸钠0.1 g獉L-1.确定的优化抛光工艺为:采用5μm和2μm金刚石微粉分别研磨单晶碳化硅晶片30 min,材料去除率分别为8.72μm/h和4.56μm/h;然后采用光催化辅助化学机械抛光单晶碳化硅去除机械研磨带来的损伤,粗抛光选用0.5μm氧化铝微粉抛光60 min,精抛光选用0.05μm氧化铝微粉抛光50 min,粗抛光和精抛光的材料去除率分别为1.81μm/h和1.03μm/h.用该工艺抛光单晶碳化硅,获得的表面粗糙度约为0.47 nm,基本能满足单晶碳化硅高效、超光滑、低损伤的抛光要求.

关键词：碳化硅抛光液机械研磨光催化辅助化学机械抛光抛光工艺

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乐山凌云山苏轼梅兰竹菊图石刻考证

中华文化论坛 2017年第11期11卷 26-31页

作者：何艳乐山大佛风景名胜区管理委员会石窟研究院

四川省乐山市凌云山东坡楼壁上所嵌梅兰竹菊图石刻,原刊刻于陕西凤翔通判厅署(东坡曾任凤翔通判)。清道光五年(1825)为嘉定知府李晶移刻于凌云山东坡楼壁。画作很有可能是苏轼在黄州以前的作品。石刻画作上原有"西蜀门姚希曾重勒"、"固... 详细信息

四川省乐山市凌云山东坡楼壁上所嵌梅兰竹菊图石刻,原刊刻于陕西凤翔通判厅署(东坡曾任凤翔通判)。清道光五年(1825)为嘉定知府李晶移刻于凌云山东坡楼壁。画作很有可能是苏轼在黄州以前的作品。石刻画作上原有"西蜀门姚希曾重勒"、"固原七泉黄绣题"、"锦文"印等字样,今已不存。诗为"夷山"、"北崖"、"野庵"等人为纪念苏轼而作,但其所处时代、身份均无法确定。

关键词：乐山凌云山梅兰竹菊石刻苏轼凤翔李晶

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发展中的非洲区域知识产权保护体制

西亚非洲 2009年第1期 22-27页

作者：何艳中南财经政法大学<法商研究>编辑部

非洲较早地建立了法语区的非洲知识产权组织和英语区的非洲地区工业产权组织,形成了"一洲两制"的知识产权区域保护局面。随着非洲各国政治、经济一体化进程的不断加快,这两个组织已经不太适应时代的需求。建立一个统一的非洲区域性知识... 详细信息

非洲较早地建立了法语区的非洲知识产权组织和英语区的非洲地区工业产权组织,形成了"一洲两制"的知识产权区域保护局面。随着非洲各国政治、经济一体化进程的不断加快,这两个组织已经不太适应时代的需求。建立一个统一的非洲区域性知识产权保护体制日益迫切。非洲联盟已经决定建立一个统一的非洲知识产权组织——泛非知识产权组织。它的建构应当重点注意以下几个问题,即正确处理它同世界贸易组织《与贸易有关的知识产权协定》的关系、重视传统资源的保护、实现知识产权与经济社会发展的整合。

关键词：非洲区域知识产权保护体制

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双环透镜聚焦平行光产生局域空心光束

光学学报 2015年第12期35卷 104-109页

作者：孙川何艳林吴逢铁华侨大学信息科学与工程学院福建省光传输与变换重点实验室福建厦门361021

提出并展示了产生单个可调局域空心光束的一种新型元件。该元件由光罩与平凸透镜组成,结构简单,易于生产。该元件可调制平行光产生参数固定的局域空心光束,通过更换光罩可在较大范围内实现局域空心光束的尺寸调谐。从应用光学角度分析... 详细信息

提出并展示了产生单个可调局域空心光束的一种新型元件。该元件由光罩与平凸透镜组成,结构简单,易于生产。该元件可调制平行光产生参数固定的局域空心光束,通过更换光罩可在较大范围内实现局域空心光束的尺寸调谐。从应用光学角度分析了新型元件的成像原理,推出了产生局域空心光束的参数公式。依据衍射积分理论推导出了元件后方的光场分布公式并用Matlab进行数值模拟,使用He-Ne激光作为光源,实验拍摄了局域空心光束的截面光强分布,实验结果与仿真模拟基本吻合。

关键词：几何光学局域空心光束双环透镜光学设计球差效应

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单晶SiC的电助光催化抛光及去除机理

中国机械工程 2020年第4期31卷 403-409页

作者：何艳苑泽伟段振云王雪沈阳工业大学机械工程学院沈阳110870

为满足电子半导体等领域对SiC超光滑、无损伤和材料高效去除的要求,提出了电助光催化抛光SiC的新方法。研究了光催化剂种类及其pH值对抛光液氧化性和抛光效果的影响,讨论了材料的去除机理。结果表明:以p25型TiO_2为光催化剂配制抛光液... 详细信息

为满足电子半导体等领域对SiC超光滑、无损伤和材料高效去除的要求,提出了电助光催化抛光SiC的新方法。研究了光催化剂种类及其pH值对抛光液氧化性和抛光效果的影响,讨论了材料的去除机理。结果表明:以p25型TiO_2为光催化剂配制抛光液所获得的最大氧化还原电位为633.11 mV,材料去除率为1.18μm/h,表面粗糙度Ra=0.218 nm;抛光后SiC表面氧化产物中,Si-C-O、Si-O和Si_4C_4O_4的含量明显增加,SiC表面被氧化并被机械去除是主要的材料去除方式。

关键词： SiC 电助光催化抛光 TiO_2 抛光液去除机理