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H-MOS工艺

微处理机 1979年第4期 39-86页

作者：何玉表一四四七所

一、引言MOS 工艺一直是发展 LSI(大规模集成电路)的主流。特别是n沟边 MOS 工艺,1976年从单层硅栅发展到存贮器技术中用的双层多晶硅工艺,并多结合局部氧化等平面隔离工艺及耗尽型负载 E/D 技术耒提高电路性能,从而形成了标

关键词：多晶硅 H-MOS 电压

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ASIC 国外发展现状与我国发展策略初探

微处理机 1991年第2期12卷 6-18页

作者：石焱何玉表机械电子工业部东北微电子研究所

本文对 ASIC 技术作了全面地综述与分析研究,内容包括 ASIC 的发展背景、设计类型与性能特点、工艺技术与 Foundry 线、设计技术与 CAD中心、发展趋势与应用市场等,最后对我国发展 ASIC 的客观条件与必要性以及发展策略,作了初步探讨。

关键词： ASIC 集成电路发展现状

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槟榔黄化病防控的生态地球化学研究

热带地理 2024年第1期44卷 188-194页

作者：何玉生海南省海洋地质资源与环境重点实验室海南省地质调查院海口570206

槟榔黄化病是海南省槟榔树极易感染、蔓延迅速、极具毁灭性的头号病害,综合性的物理、化学和生态防控措施仍然难以控制其蔓延。生态地球化学研究以土壤-植株系统元素地球化学行为和生态效应为研究内容,可能赋予槟榔树自身内在的黄化病... 详细信息

槟榔黄化病是海南省槟榔树极易感染、蔓延迅速、极具毁灭性的头号病害,综合性的物理、化学和生态防控措施仍然难以控制其蔓延。生态地球化学研究以土壤-植株系统元素地球化学行为和生态效应为研究内容,可能赋予槟榔树自身内在的黄化病抑制能力,从而达到防控黄化病的目的。文章对万宁市槟榔园开展生态地球化学研究,分别配套采集了感染黄化病和未感染黄化病的槟榔树根系土、根系和叶片地球化学样品各30套,分析测试了Se、Cu、Pb、Zn、Cd、Hg、As、Cr、Ni、Fe、Mn、B、Mo、Cl、F、I、N、P、K、Ca、Mg、S、Co、Na、Si、Al等元素质量分数。以槟榔树是否感染黄化病为因变量进行二项逻辑回归统计,结果表明:不同介质样品的分类概率模型中,根系土的As元素,根系的As、N、Na元素,叶片的Zn、Hg、S元素回归系数为负数,表明槟榔树相应部位这些元素的质量分数越高,其感染黄化病的概率越低,联系到含砷农药和药物用于植物病虫害防控和人体疾病治疗的事实,意谓着提高根系土As等元素质量分数可能提升槟榔树对黄化病的预防和抑制能力,从而为槟榔黄化病防控提供了可能而又简单易行的生态地球化学新途径。但As作为毒害元素,是土壤环境质量和农产品食用安全的重要控制指标,因此,利用As元素防控槟榔黄化病,应开展针对槟榔树根系土和果实的系统性田间试验研究和评估,严防二次污染。

关键词：槟榔树黄化病生态地球化学防控海南省万宁市

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第三代RISC处理器芯片与系统应用

微处理机 1993年第2期14卷 1-13,23页

作者：张文肃何玉表电子部东北微电子研究所沈阳110032

本文作为一项软科学研究成果,阐述分析了当代 RISC 处理器芯片体系结构上的两大突破—超流水线和超标量两种不同的设计技术,以及由此两种体系结构而导致第三代 RISC 处理器的性能飞跃;归列出第三代 RISC 处理器典型芯片的主要性能指标;... 详细信息

本文作为一项软科学研究成果,阐述分析了当代 RISC 处理器芯片体系结构上的两大突破—超流水线和超标量两种不同的设计技术,以及由此两种体系结构而导致第三代 RISC 处理器的性能飞跃;归列出第三代 RISC 处理器典型芯片的主要性能指标;详述了它们在解决数据相关、转移相关、资源争用等问题上所采取的不同技术措施和结构细节;最后评述并展望了主要 RISC 芯片系列与系统应用的市场概况和发展前景,并就如何发展我国的 RISC 芯片和系统提出了作者自己的见解。

关键词： RISC 处理器超流水线并行处理

基于SpERT-Aggcn模型的专利知识图谱构建研究

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数据分析与知识发现 2024年第1期8卷 146-156页

作者：何玉张晓冬郑鑫北京科技大学经济管理学院北京100083

【目的】针对知识图谱构建中识别嵌套实体以及提升关系抽取精度的问题,提出信息抽取模型SpERTAggcn,并构建绿色合作专利知识图谱。【方法】基于SpERT-Aggcn模型抽取专利摘要文本中的嵌套实体和关系,采用Protégé构建本体并根据所构建... 详细信息

【目的】针对知识图谱构建中识别嵌套实体以及提升关系抽取精度的问题,提出信息抽取模型SpERTAggcn,并构建绿色合作专利知识图谱。【方法】基于SpERT-Aggcn模型抽取专利摘要文本中的嵌套实体和关系,采用Protégé构建本体并根据所构建本体实现三元组的映射。【结果】在关系抽取任务上,SpERT-Aggcn比SpERT模型的F1值高2.61个百分点,其中长距离关系抽取F1值高4.42个百分点;构建的绿色合作专利知识图谱包含699517个实体、3241805条关系。【局限】SpERT-Aggcn模型的短距离关系F1值低于SpERT模型,说明本文模型对于短距离关系的识别能力较差。【结论】通过基于跨度的实体识别模型以及引入依存文法信息的关系抽取模型,构建的知识图谱完整度更高。

关键词：绿色合作专利知识图谱图卷积网络信息抽取

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适于制造动态RAM的V-MOS工艺

微处理机 1979年第4期 149-161页

作者： K.Hoffmann 何玉表西德西门子公司

开发出一种七次光刻 V-MOS 工艺,用来制造有自对准V-MOS 晶体受及平面铝栅晶体受的动态 RAM。利用4微米设计规则的光刻制版技术时,单受单元的面积为150um~2。位线上的有效信号大于200mV。读出放大器和守线驱动器的设计制造表明,这些电... 详细信息

开发出一种七次光刻 V-MOS 工艺,用来制造有自对准V-MOS 晶体受及平面铝栅晶体受的动态 RAM。利用4微米设计规则的光刻制版技术时,单受单元的面积为150um~2。位线上的有效信号大于200mV。读出放大器和守线驱动器的设计制造表明,这些电路决定了字、位线的最小间距。本文最后介绍一种64K RAM,采用4微米设计规则,芯片面积21mm~2。

关键词：位线 V-MOS 设计规则 RAM

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莫托罗拉兼容的微型计算机系列

微处理机 1979年第4期 211-231页

作者： M.R.tter 何玉表莫托罗拉公司

对于建造以微型计算机为基础的系统设计者来说,今年将会从超大规模集成电路中得到好处,而又不必对他们所熟悉的任何结构概念去作修改。这主要归功于新近发展起来的 VLSI(超大现模集成电路)技术,它使芯片制造

关键词：软件寻址海口海南处硬甲万送故地址方武么二单片总线

肥胖成因的新视角:代谢性炎症诱导食物奖赏异常

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生物化学与生物物理进展 2024年第6期51卷 1327-1340页

作者：代玉玺何玉秀陈巍河北师范大学体育学院石家庄050024 河北省人体运动生物信息测评重点实验室石家庄050024

近年来,肥胖已成为全球亟待解决的重要公共卫生问题。越来越多的研究发现,食物奖赏在肥胖的形成与发展过程中发挥重要作用。最近的研究表明,由于能量过剩引发的代谢性炎症可能通过多种生理途径干扰正常的奖赏信号传递,从而促进肥胖的发... 详细信息

近年来,肥胖已成为全球亟待解决的重要公共卫生问题。越来越多的研究发现,食物奖赏在肥胖的形成与发展过程中发挥重要作用。最近的研究表明,由于能量过剩引发的代谢性炎症可能通过多种生理途径干扰正常的奖赏信号传递,从而促进肥胖的发展。基于这一观点,推测产生肥胖的原因可能与代谢性炎症诱导食物奖赏异常有关。因此,深入探讨肥胖、食物奖赏和代谢性炎症之间的关系,总结代谢性炎症诱导食物奖赏异常的可能机制,可为预防和治疗肥胖提供新的思路和理论支持。

关键词：肥胖食物奖赏代谢性炎症

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低电容V-MOS NOR门及其制造方法

微处理机 1979年第4期 113-131页

作者： T.J.Rodgers 何玉表美国微系统公司

提供一种 MOS 晶体受,有表面扩散型漏及衬底公共源。源漏区中间有一重掺杂基区层和一轻掺杂空间电荷区。栅极是形成在 V 型槽的斜倾面上,V-糟（?）过晶体受延伸进入衬底,使基区层曝露到栅结构,V-槽中的栅结构由～SiO2绝缘层和一导电层... 详细信息

提供一种 MOS 晶体受,有表面扩散型漏及衬底公共源。源漏区中间有一重掺杂基区层和一轻掺杂空间电荷区。栅极是形成在 V 型槽的斜倾面上,V-糟（?）过晶体受延伸进入衬底,使基区层曝露到栅结构,V-槽中的栅结构由～SiO2绝缘层和一导电层组成。栅导体及漏极由适的内连线引出,

关键词：基区晶体 MOS V-MOS NOR