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检索条件"作者=何玉表"
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集成运算放大器应用电路集
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1984年
作者: 金晶 何玉表编译
来源: 汇雅图书(南通市图书馆... 评论
低电压低功耗CMOS ASIC技术的进展
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半导体技术 1997年 第3期13卷 16-19,32页
作者: 方素娟 何玉表 电子工业部第四十七研究所
综述了低电压低功耗CMOSASIC技术,包括低压ASIC器件的主要类型及特点;先进的产品系列及其主要的工艺、性能参数与专用特性;芯片功耗的估算方法;高门密度ASIC芯片低电压低功耗自动化设计与测试技术;
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现场可编程门阵列技术
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微处理机 1993年 第3期14卷 1-13页
作者: 何玉表 东北微电子研究所 沈阳110032
本文对一种新型ASIC——FPGA电路作了综合性分析与评述,包括结构类型,主要生产厂家、产品系列及其性能数据,设计与开发工具,应用领域与市场预测等。最后就如何及时开发我国的ASIC、特别是FPGA技术,提出了作者自己的建议。
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RISC技术与RISC芯片电路研究
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微处理机 1989年 第4期10卷 1-16页
作者: 何玉表 机电部东北微电子研究所
本文是一项软科学研究成果,对最近国处迅速发展起来的 RISC 技术和 RISC 微机芯片电路作了综合性地分析与研究,包括 RISC技术的发展背景、结构特点、与传统 CISC的比较、RISC 芯片电路以及市场分析与预测。本文指出 RISC 技术作为现代... 详细信息
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CMOS大规模集成电路制造工艺
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微处理机 1988年 第1期 12-30页
作者: 何玉表 电子部四十七所
一.引言CMOS 集成电路即互补 MOS 型集成电路,系指在同一块半导体村底片上制造 n 型和 P 型两种不同导电沟道的 MOS 场效应晶体管,从而构成的集成电路。与 PMOS 及 NMOS 相比,CMOS 电路有一系列优点。CMOS倒相器在两种不同的逻辑状态下... 详细信息
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V-MOS工艺
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微处理机 1979年 第4期 1-38页
作者: 何玉表 一四四七所
一、引言半导体工艺实验室中开发的新工艺,大体上每隔二、三年达到成熟阶段,并将之转入 LSI(大规模集成电路)的生产制造中。LSI 技术从七十年代系初期的高阈值 P 沟边铝栅 MOS 工艺起,经 P 沟边单层硅栅、
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Motorola MC68000十六位微处理器
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微处理机 1983年 第2期 15-82页
作者: 何玉表
半导体技术的发展已有能力把电路性能和集成度至少比以前高一个数量级的微处理器集成到单个硅片上。Motorola 的MC68000是第一个这样的 VLSI 微处理器系列。该公司采用最新的工艺及先进的电路设计技术,并结合计算机科学而研制成这种总... 详细信息
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T-11单片16位微处理器与SBC-11/21单板微型机
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微处理机 1982年 第3期 77-86页
作者: 何玉表 沈阳辽河实验研究所
Ⅰ.引言美国 DEC(数字设备公司)去年发了其 PDP—11系列中的微处理器新产品单片T—11,今年又发了以 T—11为核心的单板16位微型计算机 SBC-11/21。T-11是 DEC在其 LSI-11/23双芯片 CPU 基础上,着眼于
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LSI及半导体存贮器的发展动向
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小型微型计算机系统 1981年 第4期 19-27页
作者: 何玉表 一四四七研究所
一、引言 LSI,特别是MOS-LSI以及LSI半导体存贮器及微处理机工业,是七十年代电子工业的核心,已发展成为第二次工业革命的动力。 以MOS-LSI为例,已由71年的第一代PMOS4004四位微处理机(~770门)发展到亚毫微秒指令时间包括上万门电路的... 详细信息
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集成电路国内外现状与发展趋向
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微处理机 1996年 第2期17卷 1-7页
作者: 何玉表 电子工业部东北微电子研究所 沈阳110032
本文详细分析研究了九十年代前五年国外VLSI工艺技术与经济学方面的发展规律与现状,并对后五年的发展趋向进行了全面预测。随后扼要总结了我国集成电路产业的发展近况,阐明了在严峻的挑战与难逢的机遇面前,认真制订与落实“九五”发... 详细信息
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