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电致变色NiO薄膜的制备及性能
电致变色NiO薄膜的制备及性能
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TFC'07全国薄膜技术学术研讨会
作者: 何延春 邱家稳 许旻 王洁冰 吴春华 赵印中 中国航天科技集团公司五院510所表面工程技术国家级重点实验室
NiO 薄膜是一种典型的阳极电致变色材料,它不仅可作为电致变色器件的变色层,还可以作为对电极层与 WO薄膜等阴极变色材料一起构成互补型电致变色器件。本文采用直流磁控反应溅射的方法制备了 NiO 薄膜,并对其电致变色性能进行了研究。
来源: cnki会议 评论
氩气和氪气磁控溅射对Zr-Co-RE薄膜微观结构和吸氢性能的影响
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真空与低温 2024年 第1期30卷 83-89页
作者: 周超 马占吉 何延春 杨拉毛草 王虎 李得天 兰州空间技术物理研究所真空技术与物理重点实验室 兰州730000
为了获得吸气性能较好的Zr-Co-RE(RE为La和Ce稀土元素)吸气剂薄膜,采用直流磁控溅射方法,分别在氩气和氪气气氛中,通过改变沉积气压研究制备了不同结构的Zr-Co-RE薄膜。运用场发射扫描电镜、X射线衍射仪分析了不同溅射气压下溅射气氛对... 详细信息
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空间飞行器用薄膜温度/应变传感技术研究
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真空与低温 2024年 第1期30卷 10-22页
作者: 马东锋 熊玉卿 何延春 张凯峰 曹生珠 兰州空间技术物理研究所真空技术与物理重点实验室 兰州730000
随着功能薄膜制备方法及微细加工技术的日益成熟,基于各类薄膜敏感元件的薄膜传感技术蓬勃发展。薄膜传感器件尺寸小、集成度高、灵敏度高,在深空探测、空间飞行器结构健康监测、载人航天等领域展现出广阔的应用前景。针对空间飞行器的... 详细信息
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倒圆锥面基底蒸发镀膜均匀性理论分析
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真空与低温 2014年 第6期20卷 340-343页
作者: 徐嶺茂 王济洲 熊玉卿 何延春 兰州空间技术物理研究所真空技术与物理重点实验室 甘肃兰州730000
通过计算得出了蒸发源位于倒圆锥面正下方外部镀膜时锥面上各点的膜厚方程,并对整个锥面上膜厚均匀性进行了理论分析。结果表明:当圆锥面形状固定时,蒸发源与圆锥底圆圆心距离增大使锥面上膜厚均匀性变好;当蒸发源固定时,增大底圆半径... 详细信息
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全固态电致变色热控薄膜的制备与性能?
全固态电致变色热控薄膜的制备与性能?
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TFC’09全国薄膜技术学术研讨会
作者: 何延春 邱家稳 许旻 王洁冰 吴春华 赵印中 李林 兰州物理研究所表面工程技术国家级重点实验室
电致变色材料的光学、热学等性能在电压作用下会发生连续、可逆的变化。利用电致变色材料的这一特性,可以将其制成主动式热控材料,这种器件具有重量轻、体积小、能耗低、控制精度好等优点,非常适合小卫星的热控。目前,这项技术在我国航... 详细信息
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月球及火星熔洞密封技术发展及其方案可行性研究
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前瞻科技 2024年 第1期3卷 86-99页
作者: 邱家稳 崔致和 何延春 王琎 霍丽霞 马动涛 中国空间技术研究院 北京100094 兰州空间技术物理研究所 真空技术与物理重点实验室兰州730000
月球及火星等地外天体上的熔洞具有抗辐射性、抗陨石撞击、防月/火尘和隔热保温性好等优点,利用熔洞建立居住基地是未来人类在地外天体长时间驻留的可选方案之一。文章探讨了熔洞基地建设中最基本的技术问题之一——熔洞密封技术方案的... 详细信息
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二硫化钼薄膜在不同摩擦副条件下的摩擦学性能研究
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真空与低温 2023年
作者: 冯兴国 郑玉刚 汪科良 杨拉毛草 张凯锋 周晖 何延春 兰州空间技术物理研究所真空技术与物理国防科技重点实验室
为了研究MoS2-Ti薄膜与9Cr18钢、W-DLC和DLC薄膜的摩擦学行为,分别采用磁控溅射技术和等离子体增强化学气相沉积技术在9Cr18钢表面沉积了MoS2-Ti薄膜、W-DLC和DLC薄膜。用扫描电子显微镜(SEM)、能量色散谱仪(EDS)和X射线衍射仪(XRD)研... 详细信息
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PbTe薄膜的折射率温度系数研究
PbTe薄膜的折射率温度系数研究
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第十六届全国光学测试学术交流会
作者: 徐嶺茂 李佑路 王多书 武生虎 张凯锋 何延春 兰州空间技术物理研究所真空技术与物理国防科技重点实验室
红外光学薄膜是光学系统的重要组成部分,其性能好坏直接影响着系统的成像质量。在空间环境等低温条件下,其光谱较之常温会发生明显漂移,这主要是由光学薄膜材料的折射率温度特性引起。碲化铅(Pb Te)作为长波红外常用的光学薄膜材料,折...
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TaO_x离子导电薄膜的制备与性能
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真空与低温 2008年 第1期14卷 6-10页
作者: 何延春 邱家稳 许旻 王洁冰 吴春华 兰州物理研究所表面工程技术国家级重点实验室 甘肃兰州730000
采用直流反应磁控溅射方法制备Ta2O5薄膜,并研究了其制备工艺;在Arnoldussen法的基础上,采用了一种新的方法对Ta2O5薄膜离子导电性能进行了测试。结果表明,制备的Ta2O5薄膜具有良好的离子导电性能。
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直流磁控溅射沉积锰酸锶镧薄膜的结构与相变特性研究
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真空与低温 2006年 第3期12卷 162-165页
作者: 吴春华 邱家稳 许旻 王洁冰 何延春 兰州物理研究所 甘肃兰州730000
通过固相反应及陶瓷烧结工艺制备了具有钙钛矿结构的锰酸锶镧陶瓷靶,利用该靶材采用直流磁控溅射法在硅(100)和石英玻璃基片上制备了锰酸锶镧薄膜。研究了沉积气氛对薄膜晶体结构的影响。对高溅射压力下不同溅射功率沉积的薄膜样品的电... 详细信息
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