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影响集成电路管芯成品率的诸工艺因素(二)

半导体技术 1978年第1期 6-15页

作者：李思渊何山虎赵全喜赵丕鑫兰州大学四四三○厂

上文中我们就对集成电路管芯成品率影响较大的光刻质量,版面设计等六个工艺因素进行了分析。现在我们再从工艺程序等四个方面对管芯成品率的影响作一讨论。一、工艺程序的设置对成品率的重要影响使用怎样的工艺程序(包括规范和条件)... 详细信息

上文中我们就对集成电路管芯成品率影响较大的光刻质量,版面设计等六个工艺因素进行了分析。现在我们再从工艺程序等四个方面对管芯成品率的影响作一讨论。一、工艺程序的设置对成品率的重要影响使用怎样的工艺程序(包括规范和条件)来完成电路管芯的制作,对成品率的影响是巨大的。例如,对于TTL电路,我们可以对比下边四种程序的安排,就可看出问题的

关键词：磷硅玻璃击穿特性成品率管芯基区工艺因素 PSG 氧化层表面层电学参数串联电阻硅片

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影响集成电路芯片成品率的诸工艺因素(一)

半导体技术 1977年第5期 69-81页

作者：李思渊何山虎赵全喜赵丕鑫兰州大学四四三○厂

提高芯片成品率是目前集成电路生产中一个广泛关心的重要课题。各个厂家都作了大量的工作,积累了不少的宝贵经验。我们对广大工人和技术人员长期实践中积累的丰富经验进行了一定的调查研究,在总结我们实践的基础上,本文想就影响电路芯... 详细信息

提高芯片成品率是目前集成电路生产中一个广泛关心的重要课题。各个厂家都作了大量的工作,积累了不少的宝贵经验。我们对广大工人和技术人员长期实践中积累的丰富经验进行了一定的调查研究,在总结我们实践的基础上,本文想就影响电路芯片成品率的各种工艺因素做一分析讨论,以期引起对这个问题更广泛的研究与重视。

关键词：成品率工艺因素匀胶氧化层表面层芯片

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场感应晶体管 Ⅰ-Ⅴ 特性的分析

兰州大学学报(自然科学版) 1988年第1期 22-28页

作者：张同军李思渊何山虎王静辉

本文对场感应晶体管的Ⅰ—Ⅴ特性进行了简单讨论后,给出了试验中所遇到的若干异常的Ⅰ—Ⅴ特性曲线.并分析了它所对应的有关电参数的劣化以及可能的物理工艺原因.

关键词：晶体管半导体三极管感应本征栅栅压沟道区漏电流外延层击穿电压漏极电流

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双极型D触发器成品率试验报告

半导体技术 1978年第5期 20-30页

作者：李思渊何山虎陈次珀赵全喜强小凤兰州大学四四三○厂

D触发器用途广泛,需求量很大,因此如何提高其成品率就成为一个重要的课题。从现有工艺实际出发,我们对提高双极型D触发器成品率采取了若干工艺措施,取得了一定成效。关于前道芯片成品率方面的工作我们已作过系统地讨论,这里作些补充叙述... 详细信息

D触发器用途广泛,需求量很大,因此如何提高其成品率就成为一个重要的课题。从现有工艺实际出发,我们对提高双极型D触发器成品率采取了若干工艺措施,取得了一定成效。关于前道芯片成品率方面的工作我们已作过系统地讨论,这里作些补充叙述,而以较大篇幅进一步讨论光刻质量方面的若干工艺细节,同时还着重介绍提高封装成品率方面的工艺措施。

关键词：成品率外延层芯片硅片胶膜氧化层表面层质量钻蚀工艺措施针孔低倍缺陷(金属) 基区触发器双极型

低能铜团簇束在Si(111)上成膜铜在硅中的扩散

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低能铜团簇束在Si(111)上成膜铜在硅中的扩散

第一届中国核技术及应用研究学术研讨会

作者：曹博李公平盖志刚何山虎 Cho S J Kim H 兰州大学核科学与技术学院 Department of Physics Kyungsung University Busan 608-736Korea

用离化团簇束源(ICB)产生铜团簇束。实验中采用高纯铜(99．999％)作为源材料,通过对坩埚加热使铜原子蒸发并通过喷嘴发射到高真空区,由于很大的压强差,发生绝热膨胀,蒸气温度降低,冷凝到饱和状态,原子凝聚成团簇,此时形成的是中性铜团...

用离化团簇束源(ICB)产生铜团簇束。实验中采用高纯铜(99．999％)作为源材料,通过对坩埚加热使铜原子蒸发并通过喷嘴发射到高真空区,由于很大的压强差,发生绝热膨胀,蒸气温度降低,冷凝到饱和状态,原子凝聚成团簇,此时形成的是中性铜团簇。团簇在运动过程中与电子枪发射出的电子碰撞,部分团簇离化产生离化团簇束,使团簇束分别在加速电压为0 kV、1 kV、3 kV、5 kV的电场中加速后,沉积

关键词：

来源： cnki会议评论

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用AFM研究硅基上沉积铜膜生长过程

真空与低温 2005年第3期11卷 159-161,186页

作者：包良满曹博李公平何山虎兰州大学物理科学与技术学院现代物理系甘肃兰州730000

室温下,利用磁控溅射在P型Si(111)衬底上沉积了铜(Cu)膜。用原子力显微镜(AFM)对不同沉积时间制备的Cu膜形貌进行了观测,研究了磁控溅射沉积Cu膜时膜在硅衬底上成核和生长方式。Cu膜在Si衬底生长时,Cu的临界核以Volmer-Weber模式生长。... 详细信息

室温下,利用磁控溅射在P型Si(111)衬底上沉积了铜(Cu)膜。用原子力显微镜(AFM)对不同沉积时间制备的Cu膜形貌进行了观测,研究了磁控溅射沉积Cu膜时膜在硅衬底上成核和生长方式。Cu膜在Si衬底生长时,Cu的临界核以Volmer-Weber模式生长。溅射时,核长大增高为岛状,岛与岛相互连接构成岛的通道,最后形成连续膜。随着沉积的进行,Cu膜表面粗糙度由于晶粒凝聚和合并而增大。当形成连续致密的、具有一定晶向的Cu膜时,粗糙度反而减小。

关键词：薄膜 AFM 形貌 Volmer-Weber模式

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Cu/SiO_2/Si(100)体系中Cu和Si的扩散和界面反应

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真空与低温 2006年第3期12卷 137-141页

作者：曹博包良满李公平何山虎兰州大学物理科学与技术学院现代物理系甘肃兰州730000

室温下,利用磁控溅射方法在P型Si(100)衬底上沉积了铜(Cu)膜。采用X射线衍射(XRD)和卢瑟福背散射(RBS)分析了未退火以及在不同温度点退火后的样品,研究了***(100)体系的扩散和界面反应。RBS分析得出:对于***(100)体系,当退火温度高于35... 详细信息

室温下,利用磁控溅射方法在P型Si(100)衬底上沉积了铜(Cu)膜。采用X射线衍射(XRD)和卢瑟福背散射(RBS)分析了未退火以及在不同温度点退火后的样品,研究了***(100)体系的扩散和界面反应。RBS分析得出:对于***(100)体系,当退火温度高于350℃时,才产生明显的扩散,并且随着温度的升高,体系扩散越明显;当退火温度在450℃以下时,XRD没有测得铜硅化合物生成;当温度到500℃时才有铜硅化合物生成。这比已有文献报道的温度低。

关键词：薄膜扩散界面反应硅化物

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建筑结构设计中控制裂缝的措施

住宅与房地产 2020年第21期 71-71页

作者：何山虎菏泽市规划建筑设计研究院有限公司

国民经济的显著提高促使建筑行业得以迅猛发展,当前建筑裂缝影响建筑质量的常见问题,对行业的发展形成了严重的制约。因此,文章简要概述了建筑结构设计中混凝土产生裂缝的原因,并从原材料质量、结构设计、混凝土温度、施工技术四个方面... 详细信息

国民经济的显著提高促使建筑行业得以迅猛发展,当前建筑裂缝影响建筑质量的常见问题,对行业的发展形成了严重的制约。因此,文章简要概述了建筑结构设计中混凝土产生裂缝的原因,并从原材料质量、结构设计、混凝土温度、施工技术四个方面提出了建筑结构设计中控制裂缝的措施,仅供参考。

关键词：建筑结构设计混凝土裂缝温度应力施工技术

人口高质量发展与职业教育改革创新：逻辑与进路

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职业技术教育 2025年第1期 13-19页

作者：雷前虎龙庆崔莉萍河北科技工程职业技术大学安徽师范大学教育科学学院

人口高质量发展与职业教育之间存在着内在耦合关系，职业教育在推动人口高质量过程中发挥着举足轻重的作用。面对老龄化、少子化、区域人口增减分化等未来人口变化趋势，我国职业教育发展面临着新的挑战，亟须优化职业教育资源配置、发... 详细信息

人口高质量发展与职业教育之间存在着内在耦合关系，职业教育在推动人口高质量过程中发挥着举足轻重的作用。面对老龄化、少子化、区域人口增减分化等未来人口变化趋势，我国职业教育发展面临着新的挑战，亟须优化职业教育资源配置、发展适老化职业教育、释放职业教育人才红利。应对未来人口变化，以人口高质量发展支撑中国式现代化，我国职业教育需要充分践行推动人口高质量发展的时代使命，遵循整体逻辑、协同逻辑、个体逻辑，开拓创新发展的实践进路，锚定人口高质量发展目标，构建适应人口变化的职业教育资源配置格局；夯实人口高质量发展基础，完善涵盖不同年龄结构的终身职业教育与培训体系；深化人口高质量发展内涵，实施以学生个体发展为核心的教育教学活动。

关键词：人口高质量发展职业教育人口红利教育强国现代职业教育体系