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MZOS结构的电学性质及退火效应

Journal of Semiconductors 1997年第12期18卷 926-930页

作者：亢效虎何山虎桑保生兰州医学院物理教研室兰州730000 兰州医学院物理系兰州730000

本文研究了MZOS结构的电学性质及热处理效应，并进行了X线衍射分析和电子能谱分析．发现适当温度下的氧退火处理对改善ZnO膜的C轴对称性、降低Si表面有效电荷密度有显著效果．

关键词： MZOS结构氧化锌半导体薄膜技术

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SIT耐压容量的控制和工艺调节

半导体技术 1998年第4期23卷 19-22页

作者：刘瑞喜李思渊何山虎兰州大学

对静电感应晶体管（ＳＩＴ）栅－漏、栅－源击穿电压的控制和工艺调节方法进行了探讨，对栅－源连通和栅－漏耐压的钳位问题进行了分析。

关键词： SIT 耐压静电感应晶体管制造工艺

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房屋建筑结构设计中优化技术分析

城市建筑 2020年第20期17卷 119-120页

作者：何山虎菏泽市规划建筑设计研究院有限公司山东菏泽274000

在房屋建筑结构的设计过程中,需要通过对优化技术的使用,提高整个工程项目的施工质量,还可以在一定程度上缩短工期并降低施工成本。基于对房屋建筑结构设计中优化设计技术使用对象的分析,本文构建了具体工作过程中优化技术的应用思路,... 详细信息

在房屋建筑结构的设计过程中,需要通过对优化技术的使用,提高整个工程项目的施工质量,还可以在一定程度上缩短工期并降低施工成本。基于对房屋建筑结构设计中优化设计技术使用对象的分析,本文构建了具体工作过程中优化技术的应用思路,并在此基础上提出优化技术的具体使用准则,从而使最终获得的结果具有更高的利用价值。

关键词：房屋建筑工程结构设计优化技术

传输线模型测量Au/Ti/p型金刚石薄膜的欧姆接触电阻率

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物理学报 2000年第7期49卷 1348-1351页

作者：王印月甄聪棉龚恒翔阎志军王亚凡刘雪芹杨映虎何山虎兰州大学物理系兰州730000

采用传输线模型测量了重B掺杂 p型金刚石薄膜 (约 10 2 0 cm-3 )上Ti/Au欧姆接触电阻率 ρc,测试了 5 0 0℃退火前后及大电流情况下的I V特性 ,研究了退火对 ρc 的影响 .结果表明 ,重掺杂和退火工艺是改善欧姆接触的有效手段 .ρc 随... 详细信息

采用传输线模型测量了重B掺杂 p型金刚石薄膜 (约 10 2 0 cm-3 )上Ti/Au欧姆接触电阻率 ρc,测试了 5 0 0℃退火前后及大电流情况下的I V特性 ,研究了退火对 ρc 的影响 .结果表明 ,重掺杂和退火工艺是改善欧姆接触的有效手段 .ρc 随测试温度的变化表明金属 /半导体接触界面载流子输运机制为隧道穿透 .而光照对 ρc 影响的分析表明金刚石可作为理想窗口材料 .测试得到的最低 ρc 值约为 10 -4 Ωcm2 .

关键词：金刚石薄膜欧姆接触接触电阻率传输线模型

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CTLM测量金属/半导体欧姆接触电阻率

半导体光电 1999年第4期20卷 241-244页

作者：孙燕杰何山虎甄聪棉龚恒翔杨映虎王印月兰州大学物理系兰州730000

系统地介绍了用圆形传输线模型（ＣＴＬＭ）测量金属／半导体欧姆接触电阻率的基本原理。以Ａｌ／Ｓｉ接触为例研究了不同掺杂浓度和不同温度退火对接触特性和接触电阻率ρ Ｃ的影响。测量得到Ａｌ／Ｓｉ欧姆接触电阻率的... 详细信息

系统地介绍了用圆形传输线模型（ＣＴＬＭ）测量金属／半导体欧姆接触电阻率的基本原理。以Ａｌ／Ｓｉ接触为例研究了不同掺杂浓度和不同温度退火对接触特性和接触电阻率ρ Ｃ的影响。测量得到Ａｌ／Ｓｉ欧姆接触电阻率的最小值约为２．４ ×１０－５ Ω·ｃｍ２。

关键词：圆形传输线模型金属/半导体接触接触电阻率

适用于光发射机设计的实用VCSEL小信号等效电路模型

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兰州大学学报（自然科学版） 2004年第2期40卷 39-42页

作者：崔增文韩建忠何山虎陈弘达孙增辉高鹏周毅兰州大学物理科学与技术学院甘肃兰州730000 北京理工大学光电工程系北京100081 中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点联合实验室北京100083

提出了一个适用于发射机中驱动电路设计的具有较高计算效率、能准确反映不同频率时与驱动电路互作用的VCSEL等效电路模型,用曲线拟合的方法结合惠普网络分析仪测得的VCSEL反射参数S_(11),准确地得到了等效电路模型的各个参数值,并将此... 详细信息

提出了一个适用于发射机中驱动电路设计的具有较高计算效率、能准确反映不同频率时与驱动电路互作用的VCSEL等效电路模型,用曲线拟合的方法结合惠普网络分析仪测得的VCSEL反射参数S_(11),准确地得到了等效电路模型的各个参数值,并将此等效电路模型应用到设计驱动电路的模拟中,在标准EDA环境SPICE中对驱动电路和模型进行了协同模拟,与过于简化的VCSEL模型进行了对比,通过设计驱动电路芯片证明了此模型的有效性。

关键词： VCSEL 等效电路模型协同模拟

Photo-sensitive characteristics of negative resistance turn-around occurring in SIPTH

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Journal of Semiconductors 2009年第4期30卷 43-46页

作者：季涛杨利成李海蓉何山虎李思渊 School of Fundamental Studies Shanghai University of Engineering Science Institute of Microelectronics School of Physical Science and Technology Lanzhou University

Influences of light irradiation on the negative resistance turn-around characteristics of static induction photosensitive thyristor （SIPTH） have been experimentally and theoretically studied. As the gate current of SIPTH is increased by the light irradiation, the potential barrier in the channel is reduced due to the increase in voltage drop across the gate series resistance. Therefore, SIPTH can be quickly switched from the blocking state to the conducting state by relatively low anode voltage. The optimal matching relation for controlling anode conducting voltage of SIPTH by light irradiation has also been represented.

关键词： static induction photosensitive thyristors gate series resistance double injection effect potential barrier light-generated carriers

标准CMOS工艺在高速模拟电路和数模混合电路中的应用展望

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半导体技术 2003年第4期28卷 30-32,41页

作者：崔增文何山虎陈弘达毛陆虹高建玉兰州大学微电子研究所甘肃兰州730000 中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室北京100083

从速度、集成度、功耗和成本等几个方面深入的分析了利用标准CMOS工艺来设计开发高速模拟器件和混合处理芯片的现状及发展潜力。

关键词：高速模拟电路数模混合电路应用展望 CMOS工艺特征频率ft 单片系统SoC 价格多项目晶圆

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Au/Ti/p型金刚石膜欧姆接触特性研究

半导体光电 2000年第5期21卷 328-331页

作者：王印月甄聪棉刘雪芹闫志军龚恒翔杨映虎何山虎兰州大学物理系甘肃兰州730000

在重掺杂硼金刚石膜上溅射沉积了Ti/Au接触 ,用CTLM测量了样品退火前后的I-V特性 ,并对大电流情况进行了讨论。就测试温度和光照强度对接触特性的影响进行了分析。定性给出了该接触的能带模型。样品接触电阻率 ρc 最低值达 1.2 3 6× 1... 详细信息

在重掺杂硼金刚石膜上溅射沉积了Ti/Au接触 ,用CTLM测量了样品退火前后的I-V特性 ,并对大电流情况进行了讨论。就测试温度和光照强度对接触特性的影响进行了分析。定性给出了该接触的能带模型。样品接触电阻率 ρc 最低值达 1.2 3 6× 10 - 6 Ω·cm2 。

关键词：欧姆接触金刚石薄膜接触电阻率溅射沉积