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基于石墨烯探测器非均匀性校正设计

半导体光电 2021年

作者：任思伟申钧祝晓笑重庆光电技术研究所中国科学院重庆绿色智能技术研究院

针对近红外探测器的图像非均匀性,利用偏置补偿的原理,提出了基于石墨烯近红外探测器的片上非均匀性校正方法,并基于石墨烯探测器的像元积分电路完成了对像元校正电路和DAC偏置电路的设计。通过在石墨烯探测器积分电路基础上增加暗像元... 详细信息

针对近红外探测器的图像非均匀性,利用偏置补偿的原理,提出了基于石墨烯近红外探测器的片上非均匀性校正方法,并基于石墨烯探测器的像元积分电路完成了对像元校正电路和DAC偏置电路的设计。通过在石墨烯探测器积分电路基础上增加暗像元校正管和感光像元校正管,分别用于对暗像元支路和感光像元支路进行偏置补偿,实现了对积分电流和积分电压的调节。同时,还设计了DAC偏置电路用于将非均匀校正码转换为对应的校正偏置电压,进而实现对石墨烯探测器图像中特定像元的非均匀性单点校正。相比传统非均匀性校正,采用该非均匀性校正方法可以满足对石墨烯探测器阵列中特定像元的非均匀性校正要求,且该方法操作简单,易于片内集成,无需增加额外的片外成本。

关键词：石墨烯探测器近红外非均匀性图像校正

关于质子散射中单圈重整化顶角的解析计算新方法与计算结果

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关于质子散射中单圈重整化顶角的解析计算新方法与计算结果

作者：任思伟重庆大学

学位级别：硕士

自上个世纪三十年代在量子力学和狭义相对论基础上建立量子场理论以来,量子场论便一直是描述微观高能粒子相互作用的有效计算理论。采用量子场论作理论计算时,最有效计算方法仍然是十分成熟而完整的微扰理论逐阶计算。但在微扰逐阶计算... 详细信息

自上个世纪三十年代在量子力学和狭义相对论基础上建立量子场理论以来,量子场论便一直是描述微观高能粒子相互作用的有效计算理论。采用量子场论作理论计算时,最有效计算方法仍然是十分成熟而完整的微扰理论逐阶计算。但在微扰逐阶计算中,高阶(圈图)计算将出现发散困难,对此需要采用重整化方案分离掉非物理发散量而保留物理有限量。这样一来,致使高阶圈图计算变得十分复杂与困难,以至于通常只能采用近似计算与处理以获得重整化有限量。由于重整化有限量的贡献(辐射修正)一般非常小,但对物理问题深入研究却十分重要,因此,在许多重要物理问题和物理过程的深入研究中,尤其需要考虑并寻求至少单圈图重整化有限量的辐射修正贡献。本文采用质子P—反质子P与中性介子π0强作用的Lorentz不变耦合模型,重点研究了模型中“质子-π0介子”三线强耦合时单圈重整化顶角函数ΛC ( p ,q)的解析计算方法。在处理的过程中,本文首先从“单圈图”对“树图”的顶角修正因子出发,采用“动量正规化”方案,并利用矩阵函数展开法分离掉非物理发散量从而得到物理有限量的解析计算式ΛC ( p ,q)。进而利用“Feynman三参数积分公式”、“Wick转动”以及“大动量积分极限法”,通过合并与化简处理将ΛC ( p ,q)表示成“初等代数函数”与“超越代数函数”两部分。鉴于ΛC ( p ,q)包括不可严格解析计算的“超越代数函数”(函数级数),在对计算式中出现的极点漂移小量进行合理的处理之后,本文通过引入“收敛因子”方法寻求出了收敛性很好的这种“超越代数函数”;然后再引入“平均等效”近似计算法建立起一套完整的有效解析计算ΛC ( p ,q)的新方法;最后在所建立的新方法的基础上对ΛC ( p ,q)中的“初等代数函数”和“超越代数函数”分别作了具体理论计算,获得了ΛC ( p ,q)的最终解析计算结果,并对强耦合顶角的辐射修正进行了探讨。这一计算研究结果,对于在Lorentz不变耦合模型中研究粒子反应的高阶效应理论计算问题以及对重整化有效解析计算方法的探讨,都将提供值得借鉴与参考之处。

关键词：单圈重整化顶角收敛因子法平均等效法辐射修正

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RRAM存储单元设计

RRAM存储单元设计

作者：任思伟西安电子科技大学

学位级别：硕士

近年来，在便携电子产品推动下，对于非挥发性存储器（NVM）的需求日益增长。FLASH代表着当今应用最为广泛的非挥发性存储器，其发展始终与摩尔定律保持一致。然而，由于面临22nm的尺寸极限，FLASH的未来发展将受到严重制约。作为闪存... 详细信息

近年来，在便携电子产品推动下，对于非挥发性存储器（NVM）的需求日益增长。FLASH代表着当今应用最为广泛的非挥发性存储器，其发展始终与摩尔定律保持一致。然而，由于面临22nm的尺寸极限，FLASH的未来发展将受到严重制约。作为闪存的潜在替代者，新型非挥发性存储器（NVM）受到了广泛的研究。而阻性随机存取存储器（RRAM）则凭借其独特优势备受关注。本文首先介绍了RRAM阻变存储器基本原理和研究现状，并根据RRAM研究仍然停留于实验测试研究阶段的现状，提出了实验研究与计算机仿真相结合的方法，以便于更好地对RRAM物理机制进行探索。其次，开展了对RRAM存储单元材料结构设计的研究，制备了一系列RRAM单元样品，并进行了电学特性测试和分析。再次，学习和研究了ATLAS仿真工具的使用，并利用ATLAS仿真工具完成对RRAM单元的建模和仿真，并完成仿真结果分析。最后，根据实验测试数据和仿真结果，对RRAM存储器设计所存在的问题提出了一系列建议。

关键词：非易失性 RRAM 实验仿真

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中英文公司简介体裁对比分析

中英文公司简介体裁对比分析

作者：任思伟东北师范大学

学位级别：硕士

随着世界经济一体化进程的加快,我国与世界经济交流日益增加。与此同时我国企业也面临激烈的国内国际市场竞争,部分企业已将产品延伸至国外市场。公司简介这一公司客户沟通的直接媒介在向客户宣传的过程中起着非常重要的作用。在体裁分... 详细信息

随着世界经济一体化进程的加快,我国与世界经济交流日益增加。与此同时我国企业也面临激烈的国内国际市场竞争,部分企业已将产品延伸至国外市场。公司简介这一公司客户沟通的直接媒介在向客户宣传的过程中起着非常重要的作用。在体裁分析的框架下,本文从跨文化角度通过分析中英文公司简介的不同语步及其他具体语言特征,来研究这种文体的中英文异同,并结合其各自不同的社会文化背景探讨该异同产生的内在原因。以此为目的,作者搜集了六十个样本(中英文各三十个)来进行对比分析。本文的理论框架是建立在Swales (1990)对体裁的定义及Bhatia (1993)的语步分析的基础之上,并结合跨文化的理论-Hofstede (1991)文化理论中的的权力距离,个体主义集体主义及不确定因素的回避程度来分析该种语体中英文的异同并探讨其社会文化原因。本文对样本的分析由比较交际目的开始,之后进行具体语步的比较并分析了该体裁语篇结构以及语言特点。通过样本分析,在总结了中英文推介的异同点的同时也比较了两种语言在该种体裁中的优缺点。最后本文提出了一些写作方面的具体建议。希望该研究能对该种文体的阅读、写作以及教学有所帮助,最终为我国企业在竞争中占据有利地位做出贡献。

关键词：公司简介体裁分析语步跨文化理论

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基于石墨烯探测器的积分电路设计

半导体光电 2020年第1期41卷 44-49页

作者：任思伟申钧刘昌举重庆光电技术研究所重庆400060 中国科学院重庆绿色智能技术研究院重庆400714

为了解决石墨烯探测器光电探测的难题,针对石墨烯探测器受光照像元电阻发生变化的特点,设计了基于石墨烯探测器的新型积分电路结构。该积分电路结构主要包含前端偏置电路、运算放大器以及开关和反馈电容等部分,电路主要利用暗像元电阻... 详细信息

为了解决石墨烯探测器光电探测的难题,针对石墨烯探测器受光照像元电阻发生变化的特点,设计了基于石墨烯探测器的新型积分电路结构。该积分电路结构主要包含前端偏置电路、运算放大器以及开关和反馈电容等部分,电路主要利用暗像元电阻不随光照变化,而感光像元电阻会随光照强度变化而变化的特点,将光照条件下暗像元支路的电流与感光像元支路电流的差作为光响应电流,并采用CTIA积分电路进行电流积分,将光响应电流转换为积分电压输出,进而实现石墨烯探测器对光响应信号的探测和输出。文中对相关的主要电路设计进行了分析,并基于Cadence ADE仿真环境完成了电路仿真。经仿真分析,基于文中的积分电路,可以将不同光照条件下石墨烯探测器的光响应转换为对应的积分电压输出。可见,所设计的积分电路能够满足石墨烯探测器对光响应探测的需求,对石墨烯材料进入光电探测器领域具有重要意义。

关键词：石墨烯探测器近红外积分电路

应用于微小卫星的CMOS图像传感器芯片设计

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半导体光电 2021年第2期42卷 191-195页

作者：翟江皞张语哲李明任思伟重庆光电技术研究所重庆400060

针对小卫星以至微纳卫星领域的应用需求,文章对具有抗辐照能力的CMOS图像传感器的芯片架构和关键技术进行了研究,着重对行列选电路、低噪声信号读出、可编程增益放大器和片上ADC等电路设计技术进行了分析和仿真验证。基于0.35μm CMOS... 详细信息

针对小卫星以至微纳卫星领域的应用需求,文章对具有抗辐照能力的CMOS图像传感器的芯片架构和关键技术进行了研究,着重对行列选电路、低噪声信号读出、可编程增益放大器和片上ADC等电路设计技术进行了分析和仿真验证。基于0.35μm CMOS抗辐照技术和工艺开展了芯片的关键电路仿真、设计和整体版图设计验证。流片后的测试结果表明,该CMOS图像传感器具有高动态、低噪声和抗辐照特点,其噪声电子为42e-,动态范围为69dB,当辐射总剂量大于100krad(Si)时,器件噪声指标符合预期。

关键词： CMOS图像传感器低噪声信号读出可编程增益放大器片上ADC

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低照度环境下图像增强算法的FPGA实现

半导体光电 2017年第5期38卷 754-757页

作者：王文革张鹏剑李明任思伟海军装备部驻重庆地区军事代表局重庆400700 重庆光电技术研究所重庆400060

在低照度环境下,通用的图像传感器普遍存在成像效果不佳的情况,因此采用图像增强算法来提升图像对比度就显得尤为重要,然而大多数图像增强算法都是针对静态图像进行增强。为此,基于现有的图像增强算法,提出了一种改进的基于图像去雾的... 详细信息

在低照度环境下,通用的图像传感器普遍存在成像效果不佳的情况,因此采用图像增强算法来提升图像对比度就显得尤为重要,然而大多数图像增强算法都是针对静态图像进行增强。为此,基于现有的图像增强算法,提出了一种改进的基于图像去雾的图像增强算法架构,该架构不仅利于FPGA实现,而且能够较好地增强视频的显示效果。测试结果表明:该算法占用FPGA资源较少,能够实时处理1080P60f/s的视频且增强效果良好。

关键词：图像传感器低照度图像去雾图像增强 FPGA

一种应用于CMOS图像传感器的逐行转隔行数据缓存方法

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半导体光电 2016年第3期37卷 440-444页

作者：任思伟祝晓笑张婷婷刘昌举重庆光电技术研究所重庆400060

从结构设计和方法优化入手,提出了基于双SRAM缓存结构并采用乒乓读写原理的CMOS图像传感器逐行转隔行数据缓存方法。该方法采用两组SRAM作为缓存,并利用乒乓读写原理,抽取逐行数据中奇数帧周期的奇数行作为隔行数据的奇数场,抽取逐行数... 详细信息

从结构设计和方法优化入手,提出了基于双SRAM缓存结构并采用乒乓读写原理的CMOS图像传感器逐行转隔行数据缓存方法。该方法采用两组SRAM作为缓存,并利用乒乓读写原理,抽取逐行数据中奇数帧周期的奇数行作为隔行数据的奇数场,抽取逐行数据中偶数帧周期的偶数行作为隔行数据的偶数场,最终实现CMOS图像传感器逐行数据到奇偶隔行数据的转换。相比传统的采用片外帧存储处理方式,极大地减小了存储面积,便于实现与CMOS图像传感器的单芯片集成,降低了成本,同时也极大地降低了电路工作时的存储读写功耗。

关键词：逐行转隔行 SRAM缓存乒乓读写 CMOS图像传感器

应用于CMOS图像传感器的联合降噪插值算法研究

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半导体光电 2015年第6期36卷 1006-1009,1013页

作者：李明李梦萄刘昌举任思伟张靖重庆光电技术研究所重庆400060

提出了一种可应用于CMOS图像传感器的联合并行图像预处理算法,其中,色彩插值算法采用双线性插值法和边缘导向插值法相结合的方式来完成色彩还原,而降噪算法采用带阈值的空间自适应滤波降噪算法,在硬件语言描述算法时,将两种算法的处理... 详细信息

提出了一种可应用于CMOS图像传感器的联合并行图像预处理算法,其中,色彩插值算法采用双线性插值法和边缘导向插值法相结合的方式来完成色彩还原,而降噪算法采用带阈值的空间自适应滤波降噪算法,在硬件语言描述算法时,将两种算法的处理过程进行了联合处理。实验仿真结果表明,通过对算法进行ISE仿真和Matlab显示处理,得到色彩饱和度较高的彩色图像,峰值信噪比（PSNR）为30～36dB。整个处理过程有效地简化了片上系统（SOC）的图像处理过程,提高了算法的运算速度,节省了芯片面积且降低了系统功耗,为CMOS图像传感器的片上系统集成化设计提供了技术支持。

关键词：色彩插值降噪滤波 CMOS图像传感器彩色滤波器阵列