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C_n团簇注入制备石墨烯的研究进展

中国表面工程 2016年第5期29卷 1-15页

作者：王泽松李慧付德君武汉大学物理科学与技术学院武汉430072

石墨烯是碳原子构成的单层二维晶体,在高频电子学和光电子器件领域具有广泛应用前景,厚度可控的大面积石墨烯的制备是实现规模化应用的前提。文中在介绍现有石墨烯制备技术优缺点的基础上,重点介绍了近几年离子注入过渡金属镍制备石墨... 详细信息

石墨烯是碳原子构成的单层二维晶体,在高频电子学和光电子器件领域具有广泛应用前景,厚度可控的大面积石墨烯的制备是实现规模化应用的前提。文中在介绍现有石墨烯制备技术优缺点的基础上,重点介绍了近几年离子注入过渡金属镍制备石墨烯的研究成果。研究表明:在低能碳团簇C_n注入制备石墨烯的过程中,离子能量、注入剂量、团簇尺寸、基体材料特性和退火条件是影响石墨烯物理性质的重要因素。团簇离子注入在基体表层引起的辐照损伤具有非线性效应,精确控制剂量的C_n团簇注入到基体中主要起到提供可控掺杂碳源的作用,高质量石墨烯的合成需要进行多晶基体预热处理以减少晶界密度,同时需采取精细的后续热处理工艺,控制碳原子在基体表面横向扩散和偏析,以满足石墨烯形核生长的关键条件。

关键词： Cn团簇石墨烯拉曼光谱热处理扩散偏析

固体电解质RbCuICl制备及离子导电性研究

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原子与分子物理学报 2022年 1-6页

作者：阿地力·吐尔逊吐沙姑·阿不都吾甫付德君吴奕初武汉大学物理科学与技术学院人工微纳米结构教育部重点实验室核固体物理湖北省重点实验室武汉大学物理科学与技术学院物理实验教学中心新疆师范大学物理与电子工程学院

液态固体电解质材料的离子电导率低,安全性问题在一定程度上限制了其发展与应用,而固体电解质材料在室温下具有很好的稳定性和高的离子电导率值,具有较好的应用前景.本文采用机械化学球磨法制备固体电解质RbCuICl粉末,探索制备工艺和球...

液态固体电解质材料的离子电导率低,安全性问题在一定程度上限制了其发展与应用,而固体电解质材料在室温下具有很好的稳定性和高的离子电导率值,具有较好的应用前景.本文采用机械化学球磨法制备固体电解质RbCuICl粉末,探索制备工艺和球磨参数,对其晶体结构进行解析、观察粉体微观结构、通过交流阻抗谱及等效电路分析得到了离子电导率与活化能、并详细探讨其离子传导性能与晶体结构的关系以及化学成分稳定性进行研究.实验结果表明,在480 rpm转速下球磨6 h时可得到纯的固体电解质RbCuICl物相.粉体晶粒尺寸分布均匀,均在20 nm-400 nm之间,室温下固体电解质RbCuICl离子电导率可达到0.213 S/cm且活化能为0.087（9）eV.在真空干燥条件下存放5天和12天后观察了微观形貌和化学稳定性,符合阿伦尼乌斯定律.

关键词：

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滑石粉尘与肺癌

工业卫生与职业病 1993年第1期19卷 53-56页

作者：付德君鞍山市职业病防治院

1896年,Thorel首次描述了滑石粉尘与肺部疾病的关系。随着滑石的广泛开采和应用,人们不但确定了滑石粉尘可以引起滑石肺,还注意到它和肺癌的关系。虽然国外学者在这方面已做了大量工作,但目前这个问题还存在很大争议。一、滑石的矿物成... 详细信息

1896年,Thorel首次描述了滑石粉尘与肺部疾病的关系。随着滑石的广泛开采和应用,人们不但确定了滑石粉尘可以引起滑石肺,还注意到它和肺癌的关系。虽然国外学者在这方面已做了大量工作,但目前这个问题还存在很大争议。一、滑石的矿物成分滑石的理论成分是含水硅酸镁〔Mg_3Si_4O_(10)(OH)_2〕一般矿物学上所说的滑石是一种硅酸盐类矿物的混合物。形状多种多样,有颗粒状、纤维状、鳞片状、块状等。滑石是由含镁硅酸盐和碳酸盐浊变而成的次生矿,因此其纯净度和物理结构与其来源和所采的矿体有关。通常发现与滑石有关的矿物有:方解石、石英、透辉石、菱镁矿、蛇纹岩(温石棉)及纤维和非纤维型的闪石(透闪石、直闪石、阳起石)。由于很多滑石矿床含石棉矿,开采出的滑石通常含有数量不等的石棉。根据滑石的应用范围和纯净程度。

关键词：滑石粉尘肺肿瘤

C_3N_4/TiN交替复合膜的微结构研究

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物理学报 1999年第5期48卷 904-912页

作者：吴大维付德君毛先唯叶明生彭友贵范湘军武汉大学理学院技术物理系

采用双阴极封闭型非平衡磁场ｄｃ反应磁控溅射离子镀制备Ｃ３Ｎ４／ＴｉＮ复合交替膜，用Ｘ射线光电子能谱法分析了薄膜的组成，测量了薄膜的Ｘ射线衍射谱和氮化碳的透射电子衍射图像．氮化碳经氮化钛的强迫晶化作用，生成了βＣ３Ｎ... 详细信息

采用双阴极封闭型非平衡磁场ｄｃ反应磁控溅射离子镀制备Ｃ３Ｎ４／ＴｉＮ复合交替膜，用Ｘ射线光电子能谱法分析了薄膜的组成，测量了薄膜的Ｘ射线衍射谱和氮化碳的透射电子衍射图像．氮化碳经氮化钛的强迫晶化作用，生成了βＣ３Ｎ４和ｃＣ３Ｎ４．

关键词：复合膜微结构超硬材料氮化碳氮化钛

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Mn^+离子注入GaN薄膜的磁性研究

功能材料 2005年第10期36卷 1514-1516,1520页

作者：石瑛付德君林玲蒋昌忠范湘军武汉大学物理科学与技术学院湖北武汉430072

在(0001)面的蓝宝石衬底上用MOCVD法生长纤锌矿结构的GaN。GaN膜总厚度为4μm,表层为0.5μm厚的掺Mg的p型层。用90keV的Mn+离子对处于室温下的GaN进行离子注入,注入剂量为1×1015~5×1016ions/cm2。对注入的样品在N2气流中经约800℃进... 详细信息

在(0001)面的蓝宝石衬底上用MOCVD法生长纤锌矿结构的GaN。GaN膜总厚度为4μm,表层为0.5μm厚的掺Mg的p型层。用90keV的Mn+离子对处于室温下的GaN进行离子注入,注入剂量为1×1015~5×1016ions/cm2。对注入的样品在N2气流中经约800℃进行快速热退火处理,时间为30~90s。样品的磁性用超导量子干涉仪(SQUID)进行分析。未注入的p型GaN薄膜是抗磁性的,而Mn+注入的GaN显现顺磁性(注入剂量为1×1015ions/cm2)和铁磁性(注入剂量为5×1015~5×1016ions/cm2)。结合X射线衍射(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)对GaN薄膜在注入和退火后的结构和形貌研究,揭示Mn+注入是进行GaN磁性掺杂的有效手段,在Mn+注入p型GaN、制备得到的(Ga,Mn)N稀磁半导体中,空穴调制铁磁性是其主要的磁性机制。

关键词： GaN 离子注入磁性

固体电解质Rb_(4)Cu_(16)I_(7)Cl_(13)制备及离子导电性研究

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原子与分子物理学报 2023年第4期40卷 129-134页

作者：阿地力·吐尔逊吐沙姑·阿不都吾甫付德君吴奕初新疆师范大学物理与电子工程学院乌鲁木齐830054 武汉大学物理科学与技术学院人工微纳米结构教育部重点实验室核固体物理湖北省重点实验室武汉430072 武汉大学物理科学与技术学院物理实验教学中心武汉430072

液态固体电解质材料的离子电导率低,安全性问题在一定程度上限制了其发展与应用,而固体电解质材料在室温下具有很好的稳定性和高的离子电导率值,具有较好的应用前景.本文采用机械化学球磨法制备固体电解质Rb_(4)Cu_(16)I_(7)Cl_(13)粉末... 详细信息

液态固体电解质材料的离子电导率低,安全性问题在一定程度上限制了其发展与应用,而固体电解质材料在室温下具有很好的稳定性和高的离子电导率值,具有较好的应用前景.本文采用机械化学球磨法制备固体电解质Rb_(4)Cu_(16)I_(7)Cl_(13)粉末,探索制备工艺和球磨参数,对其晶体结构进行解析、观察粉体微观结构、通过交流阻抗谱及等效电路分析得到了离子电导率与活化能、并详细探讨其离子传导性能与晶体结构的关系以及化学成分稳定性进行研究.实验结果表明,在480 rpm转速下球磨6 h时可得到纯的固体电解质Rb_(4)Cu_(16)I_(7)Cl_(13)物相.粉体晶粒尺寸分布均匀,均在20 nm-400 nm之间,室温下固体电解质Rb_(4)Cu_(16)I_(7)Cl_(13)离子电导率可达到0.213 S/cm且活化能为0.087(9)eV.在真空干燥条件下存放5天和12天后观察了微观形貌和化学稳定性,符合阿伦尼乌斯定律.

关键词：固体电解质 Rb_(4)Cu_(16)I_(7)Cl_(13) 离子导电率

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中频磁控溅射制备GaN薄膜

核技术 2008年第7期31卷 515-518页

作者：丁咚阴明利邹长伟郭立平付德君武汉大学物理学院加速器实验室武汉430072

采用中频磁控溅射技术,以金属Ga为靶材料,在Si(111)衬底上形成了GaN薄膜,研究了溅射压强、衬底温度等对GaN薄膜结构和成分的影响。发现沉积气压为0.4～1.0Pa时,薄膜呈GaN(002)取向,气压大于1.0Pa和小于0.4Pa时,用X射线衍射方法难以观察... 详细信息

采用中频磁控溅射技术,以金属Ga为靶材料,在Si(111)衬底上形成了GaN薄膜,研究了溅射压强、衬底温度等对GaN薄膜结构和成分的影响。发现沉积气压为0.4～1.0Pa时,薄膜呈GaN(002)取向,气压大于1.0Pa和小于0.4Pa时,用X射线衍射方法难以观察到GaN(002)的衍射峰。X射线能谱分析表明在最佳实验条件下制备的GaN薄膜的元素比Ga:N为1:1。

关键词：中频磁控溅射 GaN X射线衍射沉积速率

CrC中间层碳含量对CrC/a-C∶H涂层附着力的影响

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表面技术 2019年第4期48卷 168-174页

作者：黄志宏杨豆付德君杨兵温州职业技术学院浙江温州325035 武汉大学武汉430072

目的提高氢化非晶碳涂层的附着力,研究不同碳含量的CrC中间过渡层对CrC/a-C∶H涂层附着力的影响。方法用反应磁控溅射结合射频PECVD方法制备CrC/a-C∶H涂层,通过调节C2H2流量(0、10、20、30m L/min)在高速钢基材上获得具有不同碳含量Cr... 详细信息

目的提高氢化非晶碳涂层的附着力,研究不同碳含量的CrC中间过渡层对CrC/a-C∶H涂层附着力的影响。方法用反应磁控溅射结合射频PECVD方法制备CrC/a-C∶H涂层,通过调节C2H2流量(0、10、20、30m L/min)在高速钢基材上获得具有不同碳含量CrC中间层的CrC/a-C∶H涂层。用压痕法和划痕法测量涂层的附着力,并用拉曼光谱、原子力显微镜、扫描电镜和纳米压痕等方法对涂层进行表征。结果随着中间层CrC碳含量的增加,涂层的附着力先增加后减小,当C2H2流量为20 mL/min时,CrC/a-C∶H涂层具有最大的附着力,划痕附着力为70.5 N,压痕附着力为HF1,此时涂层的硬度为23.4 GPa,表面光洁度为RMS36.9 nm。通过高斯曲线拟合拉曼图谱得到ID/IG为0.54,G峰位置在1535.9 cm^(-1)。扫描电镜观察结果表明,CrC/a-C∶H涂层有两个明显的界面,即基材/CrC中间层界面与CrC中间层/a-C∶H顶层界面,中间层CrC为柱状晶结构,a-C∶H顶层为玻璃态。结论 CrC中间层碳含量对CrC/a-C∶H涂层的附着力有显著影响,具有合适碳含量的CrC中间层有助于提高涂层的附着力,当含碳量过高时,中间层会由晶态转变为非晶态,不利于承载来自于a-C∶H顶层的薄膜内应力,导致CrC/a-C∶H涂层附着力急剧下降。CrC/a-C∶H涂层附着失效主要发在CrC中间层/a-C∶H顶层界面。CrC中间层碳含量影响CrC/a-C∶H涂层的光洁度,相同a-C∶H涂层工艺条件下,光滑涂层具有更好的附着力。

关键词： CrC a-C∶H 中间层附着力磁控磁射 PECVD

Mn注入CdTe晶体的物理性质及其结构研究

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核技术 2008年第6期31卷 438-440页

作者：何俊李梦郭立平刘传胜付德君武汉大学物理科学与技术学院加速器实验室武汉430072

用离子注入法制备了Mn掺杂的CdTe,Mn离子能量为200keV,X射线衍射测得注入样品的衍射半高宽为由48arcsec变为146 arcaec,X射线光电子能谱分析样品表明,由于注入Mn离子置换了Cd离子,形成了Mn-Te键,阴极荧光谱显示注入后样品的禁带宽度由... 详细信息

用离子注入法制备了Mn掺杂的CdTe,Mn离子能量为200keV,X射线衍射测得注入样品的衍射半高宽为由48arcsec变为146 arcaec,X射线光电子能谱分析样品表明,由于注入Mn离子置换了Cd离子,形成了Mn-Te键,阴极荧光谱显示注入后样品的禁带宽度由原来的1.49eV变为1.50eV,表明注入样品的CdTe:Mn层出现合金化,形成了三元化合物CdMnTe。

关键词： CdTe Mn 离子注入阴极荧光