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第十六届全国光学测试学术交流会

作者：亓宏伟王正平于法鹏许心光赵显晶体材料国家重点实验室山东大学教育部功能晶体材料与器件重点实验室

级联变频是获得短波长固体激光的有效手段。在非线性光学领域,目前最著名的、应用最为普遍的级联变频就是级联三倍频,它由倍频、和频两个相位匹配过程构成,相应地需要两块非线性光学晶体。理论上,如果这两个物理过程的相位匹配方向相近...

级联变频是获得短波长固体激光的有效手段。在非线性光学领域,目前最著名的、应用最为普遍的级联变频就是级联三倍频,它由倍频、和频两个相位匹配过程构成,相应地需要两块非线性光学晶体。理论上,如果这两个物理过程的相位匹配方向相近,同时解决好偏振匹配问题,就能用一块晶体直接实现级联三倍频。本文用GdYCOB晶体实现了这一设想,并且所有相关非线性过程都是角度非临界相位匹配的,具

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Nd:CTGS晶体的提拉法生长和激光自倍频效应研究

Nd:CTGS晶体的提拉法生长和激光自倍频效应研究

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第十七届全国晶体生长与材料学术会议(CCCG-17)

作者：陈菲菲于法鹏侯帅刘彦庆周莹王贺伟王正平赵显山东大学晶体材料研究所

为探索具有复合功能效应的光电功能晶体,采用提拉法生长了Nd:CaTaGaSiO(Nd:CTGS)晶体,得到了大尺寸优质单晶,并对晶体的自倍频效应进行了研究。通过测量Nd:CTGS晶体的折射率,计算得到该晶体的最佳相位匹配方向为Ⅰ类(38.7°,30.0°),Ⅱ... 详细信息

为探索具有复合功能效应的光电功能晶体,采用提拉法生长了Nd:CaTaGaSiO(Nd:CTGS)晶体,得到了大尺寸优质单晶,并对晶体的自倍频效应进行了研究。通过测量Nd:CTGS晶体的折射率,计算得到该晶体的最佳相位匹配方向为Ⅰ类(38.7°,30.0°),Ⅱ类(61.1°,0°),并通过实验进行了验证。将Nd:CTGS晶体沿最佳相位匹配方向加工、镀膜进行自倍频研究,结果表明,倍频光的输出功率随着泵浦光功率的增加而增加,且Ⅰ类相位匹配方向的输出功率明显高于Ⅱ类相位匹配方向,目前已得到72mW(波长533nm)的自倍频激光功率输出,丰富了激光自倍频复合功能材料体系。

关键词： Nd:CTGS晶体自倍频性质

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Crystal Growth and Properties of Co^(2+) doped Y_3Sc_2Ga_3O_(12) Single Crystal

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Journal of Rare Earths 2007年第S2期25卷 66-68页

作者：郭世义袁多荣石绪忠程秀凤张希清于法鹏 State Key Laboratory of Crystal Materials Shandong University

Single crystal of cobalt (Co)-doped Y3Sc2Ga3O12 (YSGG) with the dimensions up to Φ20×40 mm3 and undoped YSGG crystal with the dimensions up to Φ28×60 mm3 have been grown using the Czochralski technique. The structure of the crystal was characterized by the X-ray powder diffraction (XRPD) method. The absorbance spectra of the crystal shows that it has strong absorption bands at 606 and 1540 nm. The results indicate that the crystal Y3Sc2Ga3O12 may be a kind of good Q-switch material.

关键词： Y3Sc2Ga3O12 crystal crystal growth X-ray powder diffraction optical properties

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石墨烯制备新方法及其在场效应晶体管中的应用

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微纳电子与智能制造 2019年第1期1卷 65-87页

作者：于法鹏孙丽张晶杨乐陶杨志远李妍璐赵显山东大学晶体材料研究所光学高等研究中心济南250100

石墨烯具有非常优异的电学、热学和力学性质,是一种有重要应用前景的二维新材料。单晶石墨烯具有高于商用硅片几十倍的载流子迁移率(理论可达2×10^5cm^2/V·s)以及优良的电子传输特性,在微纳电子器件领域有着重要应用前景。石墨烯基微... 详细信息

石墨烯具有非常优异的电学、热学和力学性质,是一种有重要应用前景的二维新材料。单晶石墨烯具有高于商用硅片几十倍的载流子迁移率(理论可达2×10^5cm^2/V·s)以及优良的电子传输特性,在微纳电子器件领域有着重要应用前景。石墨烯基微纳电子器件的设计及性能提升得益于单晶石墨烯品质的提高,这依赖于制备方法的改进和技术新突破。从石墨烯基本特性出发,介绍了石墨烯的制备和表征方法,以微纳电子器件应用为目的,总结了当前有应用前景的石墨烯制备新方法和新工艺,包括"智能衬底"CVD法"、点籽晶"诱导生长法和"内外碳源协同"法。最后,简单介绍了石墨烯在场效应晶体管中的新应用。

关键词：石墨烯单晶 CVD 点籽晶 SiC衬底场效应晶体管

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Passively Q-switched self-frequency doubling Nd3+:ReCa4O（BO3）3（Re=Y,Gd） lasers with tin diselenide as a saturable absorber

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Chinese Optics Letters 2019年第6期17卷 45-48页

作者： Yuxiang Sun Mengxia Wang Xinle Wang Ying Zhou Bo Wang Zhengping Wang Fapeng Yu Xinguang Xu State Key Laboratory of Crystal Materials Shandong UniversityJinan 250100China Key Laboratory of Functional Crystal Materials and Device (Shandong University) Ministry of EducationJinan 250100China

With tin diselenide(SnSe2)film as a saturable absorber(SA),the passively Q-switched self-frequency doubling(SFD)lasers were realized in Nd^3+:ReCa4O(BO3)3(Re=Y,Gd)*** Nd:YCa4O(BO3)3 crystal,the maximum average output power at 532 nm was 19.6 mW,and the corresponding pulse repetition frequency,pulse duration,single pulse energy,and peak power were 17.6 kHz,91.9 ns,1.1μJ,and 12.1 W,*** Nd:GdCa4 O(BO3)3 crystal,these values were 14.5 mW,22.1 kHz,48.7 ns,0.66μJ,and 13.5 W.

关键词： With tin diselenide the passively Q-switched ,0.66μJ,and 13.5 W.

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