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柔性SrTiO_3/Ag/SrTiO_3复合结构透明导电薄膜的制备和性能研究

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光子学报 2018年第5期47卷 50-55页

作者：董清臣葛磊蛟孙永涛于仕辉平顶山工业职业技术学院自动化与信息工程学院河南平顶山467000 天津大学电气自动化与信息工程学院天津300072 天津大学力学系天津市非线性动力学与控制重点实验室天津300350 天津大学微电子学院天津300072

为获得高性能的柔性透明导电薄膜,采用磁控溅射技术在柔性PC衬底上制备出了STO(30nm)/Ag/STO(30nm)复合结构透明导电薄膜.分别对不同中间Ag层厚度薄膜的结构、光学和电学性质进行了研究.研究发现:随着中间Ag层厚度的增加,可见光区的平... 详细信息

为获得高性能的柔性透明导电薄膜,采用磁控溅射技术在柔性PC衬底上制备出了STO(30nm)/Ag/STO(30nm)复合结构透明导电薄膜.分别对不同中间Ag层厚度薄膜的结构、光学和电学性质进行了研究.研究发现:随着中间Ag层厚度的增加,可见光区的平均透过率先增大后减小,电阻率和方块电阻持续减小;当中间Ag层厚度为11nm时,复合结构透明导电薄膜具有最佳的品质因子为14.23×10^(-3)Ω^(-1),此时,其可见光区平均透过率为82%,方块电阻为9.2Ω/sq..

关键词：薄膜光学材料磁控溅射沉积透明导电薄膜柔性

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双层结构的无线无源柔性压力传感器设计

传感技术学报 2020年第8期33卷 1079-1084页

作者：娄文涛杨林于仕辉董和磊天津大学微电子学院天津300072 中北大学仪器与电子学院山西太原523808

本文设计了一种双层结构的基于平面螺旋电感与叉指电容并联结构的LC谐振式无线无源柔性压力传感器。该传感器利用平面LC谐振回路的谐振频率随着外界应力的变化而改变的特性,采用电磁耦合的方式来实现对外部压力的无线测量。通过高频电... 详细信息

本文设计了一种双层结构的基于平面螺旋电感与叉指电容并联结构的LC谐振式无线无源柔性压力传感器。该传感器利用平面LC谐振回路的谐振频率随着外界应力的变化而改变的特性,采用电磁耦合的方式来实现对外部压力的无线测量。通过高频电磁仿真软件HFSS的建模与仿真,表明:该双层结构的传感器具有良好的压力测量特性,其有效测量距离达到了35 mm,高于单层结构的测量距离(25 mm),且可恢复性和重复性能良好,在电子皮肤和智能穿戴领域有着广阔的应用前景。

关键词：无线无源传感器压力测量 LC谐振回路柔性测量距离

ZnSnO/AgNW双层透明电极的制备及性能研究

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半导体光电 2022年第4期43卷 797-801页

作者：石和平张丽珠于仕辉天津职业技术师范大学汽车与交通学院天津300222 天津大学微电子学院天津300072

利用旋涂银纳米线和磁控溅射ZnSnO薄膜相结合的方法,实现了高性能ZnSnO/AgNW双层透明电极的制备。采用X射线衍射仪和扫描电子显微镜对电极的结构和形貌进行了表征分析,利用紫外可见分光光度计和四探针测试仪分别对ZnSnO/AgNW双层透明电... 详细信息

利用旋涂银纳米线和磁控溅射ZnSnO薄膜相结合的方法,实现了高性能ZnSnO/AgNW双层透明电极的制备。采用X射线衍射仪和扫描电子显微镜对电极的结构和形貌进行了表征分析,利用紫外可见分光光度计和四探针测试仪分别对ZnSnO/AgNW双层透明电极的电学和光学性能进行了表征。结果表明,制备的ZnSnO/AgNW双层透明电极具有优异的电学和光学性能,在透过率为88.1%时,其方阻为12.3Ω/□,品质因子高达231。在5.0 mm的曲率半径下,对ZnSnO/AgNW双层透明电极进行了1000次弯曲测试,其电阻仅增加了13%,表明ZnSnO/AgNW双层透明电极具有优异的柔性性能。此外,ZnSnO/AgNW双层透明电极经过20次胶带粘附测试和高温高湿测试后,方阻都基本保持不变,这说明ZnSnO/AgNW双层透明电极具有优异的粘附性以及抗氧化性。

关键词：透明导电柔性薄膜纳米线电学性能

氧氩比对SnO_2/Ag/SnO_2透明导电膜光电性能的影响

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光子学报 2012年第9期41卷 1086-1089页

作者：于仕辉丁玲红薛闯张伟风河南大学物理与电子学院河南省光伏材料重点实验室河南开封475004

在室温及不同的氧氩比条件下,采用射频磁控溅射Ag层和直流磁控溅射SnO2层,在载玻片衬底上制备出了SnO2/Ag/SnO2多层薄膜.用霍尔效应测试仪、四探针电阻测试仪和紫外-可见-近红外光谱仪等表征了薄膜的电学性质和光学性质.实验结果表明:... 详细信息

在室温及不同的氧氩比条件下,采用射频磁控溅射Ag层和直流磁控溅射SnO2层,在载玻片衬底上制备出了SnO2/Ag/SnO2多层薄膜.用霍尔效应测试仪、四探针电阻测试仪和紫外-可见-近红外光谱仪等表征了薄膜的电学性质和光学性质.实验结果表明:当氧氩比为1∶14时,所制得的薄膜的光电性质优良指数最大,为1.69×10-2Ω-1;此时,薄膜的电阻率为9.8×10-5Ω.cm,方电阻为9.68Ω/sq,在400～800nm可见光区的平均光学透射率达85%;并且,在氧氩比为1∶14时,利用射频磁控溅射Ag层和直流磁控溅射SnO2层在PET柔性衬底上制备出了光电性质优良的柔性透明导电膜,其在可见光区的平均光学透过率达85%以上,电阻率为1.22×10-4Ωcm,方电阻为12.05Ω/sq.

关键词：磁控溅射 SnO2/Ag/SnO2 氧氩比透明导电薄膜

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铜纳米线柔性透明导电薄膜的制备和性能研究

电子元件与材料 2019年第9期38卷 55-60页

作者：梁虹燕赵乐李晓鹏于仕辉天津大学微电子学院

为寻找替代硬质氧化铟锡的新型柔性透明导电薄膜,采用液相还原法制备了大长径比的铜纳米线,并利用喷涂法实现铜纳米线柔性透明导电薄膜的制备。采用透射电子显微镜、扫描电子显微镜、X射线衍射仪对形貌和相结构进行了分析,并用紫外可见... 详细信息

为寻找替代硬质氧化铟锡的新型柔性透明导电薄膜,采用液相还原法制备了大长径比的铜纳米线,并利用喷涂法实现铜纳米线柔性透明导电薄膜的制备。采用透射电子显微镜、扫描电子显微镜、X射线衍射仪对形貌和相结构进行了分析,并用紫外可见分光光度计和四探针测试仪分别对铜纳米线柔性透明导电薄膜的电学性能和光学性能进行了表征测试。结果表明,铜纳米线直径约为40nm,长度为10~20μm,具有高长径比、分散性好、形貌规整的特点。同时,铜纳米线薄膜的电学和光学性能优异,方阻约为100Ω/□,在550nm处的光透射率为82%左右。该薄膜还具有较好的温度稳定性,耐温可达110℃,且其方阻在不同弯折程度下变化不大,具有良好的抗弯折性,可用于柔性可穿戴电子产品。

关键词：光学材料透明导电薄膜柔性铜纳米线透射率

二氧化锡覆盖层对ITO透明导电薄膜热稳定性的改良

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电子元件与材料 2012年第7期31卷 51-54页

作者：于仕辉丁玲红张伟风河南大学物理与电子学院河南省光伏材料重点实验室河南开封475004

采用射频磁控溅射法在ITO玻璃表面沉积了一层15 nm左右的SnO2薄膜。利用霍尔效应测试仪、四探针电阻测试仪、场发射电子显微镜及紫外–可见–近红外光谱仪分析了所制薄膜的电学性质、表面形貌和光学性质。结果表明，在300~600 ℃退火后... 详细信息

采用射频磁控溅射法在ITO玻璃表面沉积了一层15 nm左右的SnO2薄膜。利用霍尔效应测试仪、四探针电阻测试仪、场发射电子显微镜及紫外–可见–近红外光谱仪分析了所制薄膜的电学性质、表面形貌和光学性质。结果表明，在300~600 ℃退火后镀有SnO2覆盖层的ITO（SnO2/ITO）薄膜具有相对好的热学稳定性。在600 ℃退火后，ITO薄膜的方阻和电阻率分别为88.3 Ω/□和2.5×10–3 Ω·cm，而此时，SnO2/ITO薄膜的方阻和电阻率仅为43.8 Ω/□和1.2×10–3 Ω·cm。最后，阐述了SnO2覆盖层提高ITO薄膜热稳定性的机制。

关键词：氧化铟锡(ITO) 磁控溅射 SnO2 热稳定性

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新式凹槽形缝隙超宽带微带天线的设计

电子器件 2021年第3期44卷 596-601页

作者：于仕辉娄文涛董和磊安文星天津大学微电子学院天津300072 中北大学仪器与电子学院山西太原523808

针对窄带微带缝隙天线带宽较窄的问题,设计了一种新式凹槽形缝隙超宽带(UWB)微带天线。利用微带馈电线激励凹槽形缝隙的方式实现天线带宽的展宽,并得到了良好的效果。经过高频电磁仿真软件HFSS的设计仿真结果表明,该缝隙天线具有良好的... 详细信息

针对窄带微带缝隙天线带宽较窄的问题,设计了一种新式凹槽形缝隙超宽带(UWB)微带天线。利用微带馈电线激励凹槽形缝隙的方式实现天线带宽的展宽,并得到了良好的效果。经过高频电磁仿真软件HFSS的设计仿真结果表明,该缝隙天线具有良好的阻抗匹配特性,其阻抗带宽(S_(11)<-10 dB)为117%(2.2 GHz~8.4 GHz),符合超宽带天线的标准。经过测试其阻抗带宽为113%(2.2 GHz~8.0 GHz),且最高增益可达6 dB,平均增益为4 dB,具有小型化、集成度高、制作简单的优点,可用在多种通信系统中,应用前景良好。

关键词：超宽带缝隙天线高增益 HFSS 通信系统

Al_(2)O_(3)添加量对Li_(2)ZnTi_(3)O_(8)陶瓷微波介电性能的影响

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粉末冶金材料科学与工程 2023年第1期28卷 28-34页

作者：董清臣刘昆磊于仕辉刘献省张伟风平顶山工业职业技术学院自动化与信息工程学院平顶山467000 天津大学微电子学院天津300072 河南大学光伏材料省重点实验室开封475004

采用固相反应法合成Li_(2)ZnTi_(3)O_(8),然后添加Al_(2)O_(3)(添加量为Li_(2)ZnTi_(3)O_(8)质量的0~7%)制备Al_(2)O_(3)/Li_(2)ZnTi_(3)O_(8)复合微波介电陶瓷,研究Al_(2)O_(3)添加量对复合陶瓷微观结构与介电性能的影响。结果表明,复合陶瓷主相为立方结构Li_(2)ZnTi_(3)O_(8),随Al_(2)O_(3)添加量增加,逐渐生成ZnAl_(2)O_(4)和TiO2第二相,这2种物质对陶瓷的微波介电性能有很大影响。Al_(2)O_(3)的添加可抑制Li_(2)ZnTi_(3)O_(8)晶粒的生长。烧结温度为1100℃、Al_(2)O_(3)添加量为1%时,Al_(2)O_(3)/Li_(2)ZnTi_(3)O_(8)复合微波介电陶瓷获得最佳介电性能,介电常数εr≈26.1,Q×f≈87900GHz,谐振频率温度系数τf≈13.3×10^(-6)℃^(-1)。

关键词：微波介电陶瓷 Li_(2)ZnTi_(3)O_(8) Al_(2)O_(3) 添加量介电性能

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低损耗铌酸盐微波介质陶瓷的制备与性能

粉末冶金材料科学与工程 2024年第2期29卷 133-138,150页

作者：郑浩然邱蓉杨盼赵晓芳于仕辉广东交通职业技术学院汽车与工程机械学院广州510000 东莞理工学院国际微电子学院东莞523000 深圳大学电子与信息工程学院深圳518000 洛阳理工学院电气工程与自动化学院洛阳471000

为了获得更低损耗的铌酸盐基微波介质陶瓷,本文以ZnO、GeO_(2)、MoO_(3)和Nb_(2)O_(5)为主要原料,采用固相反应合成法制备Zn[(Ge_(0.5)Mo_(0.5))_(x)Nb_(1−x)]_(2)O_(6)(x=0.05、0.10、0.15、0.20)铌酸盐微波介质陶瓷。采用XRD、SEM以及矢量网络分析仪分别表征材料的物相组成、微观形貌及介电性能。结果表明:烧结温度为1180℃时,x=0.05的微波介质陶瓷表面形貌最为致密,相对密度最大(94.58%),具有较好的微波介电性能,介电常数ε_(r)为21.7,品质因数Q_(f)为64610 GHz,谐振频率温度系数τ_(f)为−81.2×10^(−6)/℃。

关键词：微波介质陶瓷铌酸盐微波介电性能物相组成微观结构