检索结果-南通市图书馆

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

GaAs(100)表面氧化的XPS研究

Chinese Journal of Chemical Physics 2004年第1期17卷 87-90页

作者：任殿胜王为李雨辰严如岳天津大学化工学院天津300072 中国电子科技集团公司第四十六研究所天津300192

用X射线光电子能谱仪 (XPS)研究了砷化镓 (GaAs)晶片在空气中的热氧化和在紫外光臭氧激发下的氧化反应 .分析了氧化层中的微观化学构成、表面化学计量比以及表面氧化层的厚度等 .研究表明 ,两种氧化方法的氧化过程不同 ,在砷化镓表面... 详细信息

用X射线光电子能谱仪 (XPS)研究了砷化镓 (GaAs)晶片在空气中的热氧化和在紫外光臭氧激发下的氧化反应 .分析了氧化层中的微观化学构成、表面化学计量比以及表面氧化层的厚度等 .研究表明 ,两种氧化方法的氧化过程不同 ,在砷化镓表面形成的氧化膜的厚度以及组成也不同 ,热氧化下氧化层主要由Ga2 O3、As2 O3、As2 O5 以及少量元素As组成 ,而且表面明显富镓 ;紫外光激发下生成的氧化物主要为Ga2 O3 和As2 O3 ,镓砷比与本体一致 .讨论了可能的反应机理 ,紫外光不仅将氧分子激发为激发态氧原子 ,增加了氧的反应活性 ;同时也激发了GaAs材料的价电子。

关键词： XPS 砷化镓表面氧化

砷化镓半导体表面自然氧化层的X射线光电子能谱分析

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

分析化学 2003年第10期31卷 1191-1194页

作者：任殿胜王为李雨辰严如岳信息产业部电子第四十六研究所信息产业部电子第四十六研究所天津300072 天津300072 天津300192 天津大学化工学院

用X射线光电子能谱 (XPS) ,测量了Ga3d和As3d光电子峰的结合能值 ,指认了砷化镓 (GaAs)晶片表面的氧化物组成 ,计算了表面氧化层的厚度 ,定量分析了表面的化学组成 ;比较了几种不同的砷化镓晶片表面的差异。结果表明 :砷化镓表面的自然... 详细信息

用X射线光电子能谱 (XPS) ,测量了Ga3d和As3d光电子峰的结合能值 ,指认了砷化镓 (GaAs)晶片表面的氧化物组成 ,计算了表面氧化层的厚度 ,定量分析了表面的化学组成 ;比较了几种不同的砷化镓晶片表面的差异。结果表明 :砷化镓表面的自然氧化层主要由Ga2 O3 、As2 O5、As2 O3 和单质As组成 ,表面镓砷比明显偏离理想的化学计量比 ,而且 ,氧化层的厚度随镓砷比的增大而增加 ;溶液处理后 ,砷化镓表面得到了改善。讨论了可能的机理。

关键词：砷化镓 X射线光电子能谱

在线全文

同方期刊数据库

学校读者我要写书评

暂无评论

空间微重力条件下GaAs晶体生长实验设计

电子材料快报 1998年第5期 2-4页

作者：严如岳

高能量密度物质一氮—5（N5）研究取得实验室突破

维普期刊数据库评论

在线全文

维普期刊数据库

学校读者我要写书评

暂无评论

电子材料快报 1999年第9期 6-7页

作者：严如岳

维普期刊数据库评论

在线全文

维普期刊数据库

学校读者我要写书评

暂无评论

X光电子谱（XPS）表面分析

半导体杂志 1991年第2期16卷 31-35,8页

作者：严如岳华庆恒

匀胶铬版表面界面微观构成的X射线光电子能谱表征

维普期刊数据库评论

在线全文

维普期刊数据库

学校读者我要写书评

暂无评论

分析测试学报 1997年第5期16卷 45-47页

作者：任殿胜华庆恒严如岳刘咏梅电子工业部第四十六研究所

用Ｘ射线光电子能谱（ＸＰＳ）研究了几种不同工艺制备的匀胶铬版表面、铬膜内部以及各层之间界面处的微观化学组成和化学状态，讨论了不同工艺对铬版材料微观构成及宏观特性的影响。

关键词：匀胶铬版表面界面 XPS 铬版光刻掩模材料

Al_xGa_(1-x)As/GaAs异质结材料的XPS研究

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

Chinese Journal of Chemical Physics 1997年第3期10卷 272-275页

作者：任殿胜华庆恒刘咏梅严如岳电子工业部第四十六研究所

用Ｘ射线光电子能谱（ＸＰＳ）结合氩离子溅射深度剖析对一系列不同ｘ值的ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ／ＧａＡｓ异质结材料中各主元素的分布及化学状态和相对含量的变化进行了分析，发现Ａｌ向表面偏析的现象及Ａｓ和Ａｌ的择优溅射问题，并... 详细信息

用Ｘ射线光电子能谱（ＸＰＳ）结合氩离子溅射深度剖析对一系列不同ｘ值的ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ／ＧａＡｓ异质结材料中各主元素的分布及化学状态和相对含量的变化进行了分析，发现Ａｌ向表面偏析的现象及Ａｓ和Ａｌ的择优溅射问题，并对此进行了讨论。同时用ＸＰＳ法进行了Ａｌ的定量分析，并与光致发光法测得的ｘ值进行了对比，发现二者有非常好的线性关系。

关键词： XPS 异质结材料铝镓砷

直流磁控溅射TiN/GaAs肖特基结的电学特性研究

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

固体电子学研究与进展 1990年第1期10卷 28-33页

作者：华庆恒严如岳李岩松陈古川张菀刘咏梅杨媛琪天津电子材料研究所

本文研究了经直流磁控溅射制备的TiN/GaAs肖特基结的电学特性.给出了不同退火温度下I-V,C-V测量结果及TiN/GaAs与Au/GaAs,Ti/GaAs,Al/GaAs接触特性的比较.应用AES与XPS进行肖特基结的表面和界面剖析,发现退火过程中TiN膜的氧化,N在TiN... 详细信息

本文研究了经直流磁控溅射制备的TiN/GaAs肖特基结的电学特性.给出了不同退火温度下I-V,C-V测量结果及TiN/GaAs与Au/GaAs,Ti/GaAs,Al/GaAs接触特性的比较.应用AES与XPS进行肖特基结的表面和界面剖析,发现退火过程中TiN膜的氧化,N在TiN膜中的再分布及TiN-GaAs接触界面上的化学重组对肖特基结的接触特性有重要影响.

关键词：直流磁控溅射 TiN/GaAs 肖特基结

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

XPS法测量铝箔表面氧化铝的厚度

分析测试学报 1996年第4期15卷 63-66页

作者：任殿胜华庆恒严如岳刘咏梅天津电子工业部第四十六研究所

介绍了一种无需溅射、无需变角，只需一次简单的ＸＰＳ（Ｘ射线光电子能谱）窄扫描，即可根据谱图中氧化态和金属态的相对强度算出铝金属表面氧化铝的厚度。用该法测量了一系列不同方法处理的铝表面氧比铝厚度，并与椭偏法及ＮＲＡ法（... 详细信息

介绍了一种无需溅射、无需变角，只需一次简单的ＸＰＳ（Ｘ射线光电子能谱）窄扫描，即可根据谱图中氧化态和金属态的相对强度算出铝金属表面氧化铝的厚度。用该法测量了一系列不同方法处理的铝表面氧比铝厚度，并与椭偏法及ＮＲＡ法（核反应分析法）测定结果进行了对比，结果表明，该法是一种简便准确的膜厚测量法。

关键词：电解电容器铝箔氧化铝厚度 XPS