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空腔结构硅基载板封装的机械应力分析
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固体电子学研究与进展 2024年 第3期44卷 245-251页
作者： 李岚清 石先玉 孙瑜 万里兮 张先荣 张睿 陆宇 成都万应微电子有限公司 中国西南电子技术研究所
基于硅基载板与芯片之间良好的热膨胀系数匹配性和硅通孔的高密度互联特性，硅基载板广泛应用于高集成度、高可靠微系统封装中。封装产品在工作过程中需要经受外界不同的加速度、随机振动、机械冲击以及环境温度变化、器件工作发热等引... 详细信息
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TSV转接板硅通孔的热应力分析
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工程力学 2013年 第7期30卷 262-269页
作者： 安彤 秦飞 武伟 于大全 万里兮 王珺 北京工业大学机械工程与应用电子技术学院 北京100124 中国科学院微电子研究所 北京100029 复旦大学材料系 上海200433
硅通孔(TSV)技术作为实现三维(3D)封装的关键而被广泛关注。该文研究了在温度载荷作用下TSV转接板上铜和硅的应力状态,给出了通孔为完全填充铜和部分填充铜两种情况下的应力解析解,并讨论了孔距对转接板应力的影响。建立了TSV转接板的... 详细信息
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水平电流在双层大地中感应地电位的理论分析
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电波科学学报 1997年 第2期12卷 199-204页
作者： 于丽芳 万里兮 高攸纲 北京邮电大学环境电应科研所 北京100088 北京邮电大学环境电磁科研所 北京100088
从麦氏微分方程组出发，推导了双层大地模型下水平电流在空间各点产的磁矢量势及感应地电位计算公式，对该感应地电位公式进行了讨论。
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垂直电流在双层大地中的感应地电位
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电波科学学报 1996年 第4期11卷 20-26页
作者： 于丽芳 万里兮 高攸纲 北京邮电大学
从麦氏微分方程组出发，推导了双层大地数学模型下垂直电流在空间各点产生的磁矢量势及感应地电位的计算公式，并对公式进行了讨论，给出了几仲典型情况的计算结果及输电线短路状况下一些重要性质。
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水平电流在双层大地中感应地电位的数值分析
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电波科学学报 1997年 第1期12卷 72-77页
作者： 于丽芳 万里兮 高攸纲 北京邮电大学环境电磁科研所 北京100088
从麦氏微分方程组出发，推导出双层大地模型下水平电流产生的感应地电位的公式，并利用该公式对一些典型情况进行计算，分析了计算结果，给出了水平电流产生的感应地电位的一些重要性质。
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系统级封装新型埋入式电源滤波结构的研究
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电波科学学报 2009年 第3期24卷 446-451页
作者： 李君 万里兮 廖成 周云燕 西南交通大学电磁场与微波技术研究所 四川成都610031 中国科学院微电子研究所 北京100029
在高密度小尺寸的系统级封装（SIP）中，对供电系统的完整性要求越来越高，多芯片共用一个电源网路所产生的电压抖动除了会影响到芯片的正常工作，还会通过供电网路干扰到临近电路和其他敏感电路，导致芯片误动作，以及信号完整性和其... 详细信息
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求解电磁场的一种新方法
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北京邮电大学学报 1994年 第4期17卷 46-53页
作者： 万里兮 北京邮电大学环境电磁学科研室
讨论了一种求解电磁场扰动的新方法，与微扰法不同，该方法并不对扰动体的大小和扰动体参数变化范围有太多的限制，因而具有较为广泛的实用性。
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用矩量法计算高压线下房屋对电场的畸变
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北京邮电学院学报 1991年 第4期14卷 9-14页
作者： 万里兮 高攸纲 北京邮电学院电信工程系
本文用矩量法计算了高压线下房屋对电场的畸变.计算结果与实验结果吻合得很好,证明矩量法在计算三维空间电场以及靠近边界的电场十分有效.
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硅深槽ICP刻蚀中刻蚀条件对形貌的影响
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微电子学 2009年 第5期39卷 729-732页
作者： 吕垚 李宝霞 万里兮 中国科学院微电子研究所 北京100029
以SF6/C2H4为刻蚀气体,使用Corial200IL感应耦合等离子体(ICP)刻蚀系统,进行Si等离子刻蚀技术研究。通过调节刻蚀气体SF6与侧壁钝化保护气体C2H4的流量比和绝对值等工艺参数,对深Si刻蚀的形貌以及侧壁钻蚀情况进行改善,使该设备能够满... 详细信息
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测量低频电场的球形探头与长旋转椭球探头
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北京邮电学院学报 1992年 第1期15卷 25-30页
作者： 万里兮 范小青 高攸纲 北京邮电学院电信工程系
本文分析了两种测量低频电场的探头,球形探头与长旋转椭球探头.给出了两种探头的特性关系式.
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