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基于分子束外延技术可控制备Bi原子团簇的研究

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原子与分子物理学报 2025年第2期 85-90页

作者：马玉麟郭祥丁召贵州大学大数据与信息工程学院贵州省微纳电子与软件技术重点实验室半导体功率器件可靠性教育部工程研究中心

本研究基于分子束外延(MBE)技术在Si (111)衬底表面成功制备金属Bi原子团簇.首先，分别在100℃、125℃、150℃、175℃、200℃的生长温度下，制备了大小均一、密度不同的Bi原子团簇.实验结果表明，可以通过改变生长温度来精细控制Bi原子... 详细信息

本研究基于分子束外延(MBE)技术在Si (111)衬底表面成功制备金属Bi原子团簇.首先，分别在100℃、125℃、150℃、175℃、200℃的生长温度下，制备了大小均一、密度不同的Bi原子团簇.实验结果表明，可以通过改变生长温度来精细控制Bi原子团簇的密度，当温度升高100℃,密度从1.05×1011cm-2降低至2.5×107cm-2,实现对团簇密度4个数量级的可控调节，并且发现Bi原子团簇密度对生长温度的依赖性符合经典成核理论.其次，分别在10 s、15 s、20 s的沉积时长下，制备了密度相同、尺寸各异的Bi原子团簇.实验结果表明，可以通过改变沉积时长来精细控制Bi原子团簇的尺寸：当沉积时长增加10 s,高度和直径分别从8.5 nm和65 nm增大到13.7 nm和100 nm,实现对团簇尺寸在10 nm高度、80 nm直径范围的可控调节，并且发现Bi原子团簇尺寸对沉积时长的依赖性符合晶体生长动力学.与分子束外延制备传统的Ⅲ族(Al, Ga, In)原子团簇做对比，这些结果可以为制备Ⅴ族原子团簇提供实验参考和指导，从而促进纳米级含Bi材料的制备.

关键词：分子束外延 Bi原子团簇生长温度沉积时长经典成核理论晶体生长动力学

GaAsBi半导体材料的制备及应用研究进展

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人工晶体学报 2024年第1期53卷 25-37页

作者：马玉麟郭祥丁召贵州大学大数据与信息工程学院贵阳550025 贵州省微纳电子与软件技术重点实验室贵阳550025 半导体功率器件可靠性教育部工程研究中心贵阳550025

稀铋Ⅲ-Ⅴ半导体材料在电子和光电子领域具有广泛的应用前景,其制备方法主要有分子束外延法(MBE)和金属有机物气相外延法(MOVPE)。本文聚焦于具有较大带隙收缩、温度不敏感以及强自旋轨道分裂等特殊物理特性的GaAs_(x)Bi_(1-x)半导体材... 详细信息

稀铋Ⅲ-Ⅴ半导体材料在电子和光电子领域具有广泛的应用前景,其制备方法主要有分子束外延法(MBE)和金属有机物气相外延法(MOVPE)。本文聚焦于具有较大带隙收缩、温度不敏感以及强自旋轨道分裂等特殊物理特性的GaAs_(x)Bi_(1-x)半导体材料,对其制备方法和研究进展进行了综述。研究人员对GaAsBi材料的研究主要集中在薄膜、多量子阱、纳米线和量子点材料的制备。在薄膜材料方面,侧重于研究制备工艺条件对GaAsBi薄膜的影响,例如低衬底温度、低生长速率和非常规的Ⅴ/Ⅲ束流比;在多量子阱材料方面,采用双衬底温度技术有效减少Bi偏析问题;对于纳米线和量子点材料,金属Bi作为表面活性剂可以改善材料的形貌和光学性能。然而,目前在该材料研究和应用方面仍存在挑战,如薄膜材料的结晶质量恶化和金属Bi分凝团聚,以及量子点材料中Bi的均匀性和形成机制的争议。解决这些问题对于提高GaAs_(x)Bi_(1-x)半导体材料的质量和促进器件发展具有重要意义。

关键词：稀铋Ⅲ-Ⅴ半导体材料 GaAsBi薄膜多量子阱材料量子点材料 MBE MOVPE

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稀土元素(La、Eu、Ho)掺杂单层WSe_(2)的第一性原理研究

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功能材料 2024年第2期55卷 2155-2160,2167页

作者：姜冠戈江玉琪郭祥丁召贵州大学大数据与信息工程学院贵阳550025 贵州省微纳电子与软件技术重点实验室贵阳550025 半导体功率器件可靠性教育部工程研究中心贵阳550025

单层二硒化钨(WSe_(2))是一种具有良好的热稳定性、电子运输和大面积可扩展性的优秀特性。基于密度泛函理论,利用第一性原理计算研究了稀土元素(La、Eu、Ho)掺杂单层WSe_(2)的结构、电学性质和光学性质。采用稀土元素(La、Eu、Ho)掺杂... 详细信息

单层二硒化钨(WSe_(2))是一种具有良好的热稳定性、电子运输和大面积可扩展性的优秀特性。基于密度泛函理论,利用第一性原理计算研究了稀土元素(La、Eu、Ho)掺杂单层WSe_(2)的结构、电学性质和光学性质。采用稀土元素(La、Eu、Ho)掺杂使单层WSe_(2)呈现P型导电传输特性,增强了导电性能,展现半金属特性。此外,La、Eu、Ho掺杂后,提高了单层WSe_(2)在红外光区的光探测能力和对可见光的利用率,在深紫外区域也具有应用潜力。研究结果证明了La、Eu、Ho掺杂单层WSe_(2)的电学性质、光学性质和扩大其应用方面的重要性。

关键词：单层二硒化钨第一性原理计算掺杂光学性质

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论初中英语教学法的传统性与时尚性

中学生英语 2024年第8期 91-92页

作者：丁召光山东省青岛西海岸新区文汇中学

对于传统性初中英语教学法,主要表现为重视词汇教学、朗读背诵、教师为主体。时尚性的教学法体现在运用多媒体、教学方式灵活多样、学生为主体和自主评价。新课程背景下的初中英语教学中,教师应当认真探析传统性的英语教学方式,创新科... 详细信息

对于传统性初中英语教学法,主要表现为重视词汇教学、朗读背诵、教师为主体。时尚性的教学法体现在运用多媒体、教学方式灵活多样、学生为主体和自主评价。新课程背景下的初中英语教学中,教师应当认真探析传统性的英语教学方式,创新科学的教育教学方式,运用更为时尚、科学、有效的教学方式实施教学,在互为补充和取长补短中提高课程教学效果。

关键词：教育教学方式自主评价初中英语教学朗读背诵新课程背景下学生为主体词汇教学实施教学

液滴外延下生长参数对InAs纳米结构形貌的影响

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原子与分子物理学报 2024年第2期41卷 68-72页

作者：马玉麟郭祥王一丁召贵州大学大数据与信息工程学院贵阳550025 贵州省微纳电子与软件技术重点实验室贵阳550025 半导体功率器件可靠性教育部工程研究中心贵阳550025

利用液滴外延法在GaAs(001)衬底表面制备InAs量子点,通过控制变量分别研究沉积速率、沉积量对In液滴在GaAs表面生长过程中的影响.使用原子力显微镜(Atomic Force Microscope,AFM)表征I⁃nAs纳米结构形貌,得出结论:(1)沉积速率主要通过影... 详细信息

利用液滴外延法在GaAs(001)衬底表面制备InAs量子点,通过控制变量分别研究沉积速率、沉积量对In液滴在GaAs表面生长过程中的影响.使用原子力显微镜(Atomic Force Microscope,AFM)表征I⁃nAs纳米结构形貌,得出结论:(1)沉积速率主要通过影响In液滴成核率来控制液滴的密度,即随着沉积速率的增大,In原子在衬底表面的成核率增加,InAs量子点密度增加,实验符合生长动力学经典成核理论.(2)沉积量的改变主要影响液滴的熟化过程,即随着沉积量的增大,可参与生长的活跃的In原子增加,促进了液滴熟化,使得扩散坍塌的原子数量增加,导致在InAs纳米结构中出现多量子点现象.

关键词：液滴外延沉积速率成核率沉积量熟化 InAs量子点

过渡金属W、Mn、V、Ti掺杂二维材料MoSi_(2)N_(4)的第一性原理计算

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原子与分子物理学报 2024年第6期41卷 147-154页

作者：姚登浪黄泽琛郭祥丁召王一贵州大学大数据与信息工程学院贵阳550025 贵州大学半导体功率器件可靠性教育部工程研究中心贵阳550025 贵州省微纳与软件技术重点实验室贵阳550025

本文基于密度泛函理论(DFT)的第一性原理计算了W、Mn、V、Ti替位掺杂二维MoSi_(2)N_(4)后的几何结构、电子结构以及光学性质的变化.电子结构分析表明W、Mn、W、Ti替位掺杂二维MoSi_(2)N_(4)后的禁带宽度分别为1.806 e V、1.003 e V、1.2... 详细信息

本文基于密度泛函理论(DFT)的第一性原理计算了W、Mn、V、Ti替位掺杂二维MoSi_(2)N_(4)后的几何结构、电子结构以及光学性质的变化.电子结构分析表明W、Mn、W、Ti替位掺杂二维MoSi_(2)N_(4)后的禁带宽度分别为1.806 e V、1.003 e V、1.218 e V和1.373 e V;四种过渡金属掺杂后MoSi_(2)N_(4)的带隙类型没有发生改变,均为间接带隙半导体;W掺杂后的杂质能级靠近价带顶,费米能级靠近价带顶,为p型半导体,杂质能级为受主能级;Mn掺杂后的杂质能级靠近导带底,费米能级靠近导带底,为n型半导体;V和Ti掺杂后杂质能级位于费米能级附近,为复合中心;光学性质分析表明,在2 e V~4 e V的能量区间内,W掺杂结构的吸收波长为336 nm,体系发生红移;Mn、V和Ti替位掺杂后的吸收波长分别为320 nm、358 nm和338 nm,且掺杂体系均发生蓝移.

关键词：二维MoSi_(2)N_(4) 第一性原理计算掺杂电子结构光学性质

柴达木盆地脊状地貌沉积中砾石形态及其古环境意义

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沉积学报 2024年

作者：刘传兵丁召静周定通梅璟刘天张婕赵健楠王节涛中国地质大学(武汉)地质探测与评估教育部重点实验室中国地质调查局武汉地质调查中心水文地质研究室湖北师范大学城市与环境学院中国地质大学(武汉)湖北巴东地质灾害国家野外科学观测研究站

【目的】柴达木盆地北部与西南部存在诸多平面形态类似河流的脊状地貌，为探究其成因，进行砾石组构研究，以还原脊状地貌的古沉积环境。【方法】对脊状地貌区21组砾石样品进行数据统计和形貌分析，并与汉江中游砾石层沉积物进行类比。... 详细信息

【目的】柴达木盆地北部与西南部存在诸多平面形态类似河流的脊状地貌，为探究其成因，进行砾石组构研究，以还原脊状地貌的古沉积环境。【方法】对脊状地貌区21组砾石样品进行数据统计和形貌分析，并与汉江中游砾石层沉积物进行类比。【结果】脊状地貌区圆状与次圆状砾石占比之和介于71.6%～74.0%，扁平形砾石占比在44.9%～54.0%间，脊状地貌区与汉江中游砾石形貌的相关系数在0.685～0.703间。【结论】脊状地貌区砾石为河流沉积，如果以现代柴达木盆地水系参数为依据，脊状地貌所代表的河流古流速、古流量和古年径流量分别为0.217 m/s、1.39 m3/s、0.144 0×108m3；基于河道宽度还原的脊状地貌区的古流量范围为14～16 m3/s，据此推算其古径流深约为2 m，对应的古流速、古流量和古年径流量分别约为0.357 m/s、14.28 m3/s、1.480 1×108m3。

关键词：柴达木盆地脊状地貌砾石形态汉江古水文

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开腹探查+回盲部切除+小肠结肠吻合术

中华普通外科学文献（电子版） 2024年第4期18卷 281-281,F0002页

作者：丁召李翊徐天天武汉大学中南医院结直肠肛门外科、武汉大学中南医院炎症性肠病外科诊疗中心 430071

克罗恩病(Crohn’s disease,CD)是一种可累及全消化道的慢性炎症性肠道疾病,目前以药物治疗为主,由于病程发展中常伴随穿孔、梗阻、肠瘘和脓肿等并发症,手术干预仍然是最佳的治疗选择。本视频详细展现了对一例患病8年、既往曾行肠穿孔... 详细信息

克罗恩病(Crohn’s disease,CD)是一种可累及全消化道的慢性炎症性肠道疾病,目前以药物治疗为主,由于病程发展中常伴随穿孔、梗阻、肠瘘和脓肿等并发症,手术干预仍然是最佳的治疗选择。本视频详细展现了对一例患病8年、既往曾行肠穿孔手术和造口还纳术的31岁男性患者施行开腹探查+回盲部切除+小肠结肠吻合术的手术全过程:原切口进入腹腔;分离粘连肠管;修补受累肠管内瘘口;完全游离吻合口;离断吻合口远端肠管;从右侧结肠旁沟向左侧游离盲肠;离断小肠;将小肠与结肠行端端吻合;关闭系膜裂孔;留置引流管,关闭腹腔。

关键词：克罗恩病回盲部切除小肠结肠吻合术

克罗恩病合并复杂直肠会阴瘘和直肠阴道瘘行改良Bacon术二例报道

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中华炎性肠病杂志(中英文) 2024年第4期08卷 296-299页

作者：张梦婷李道江万松林任相海叶梅刘依丁召武汉大学中南医院结直肠肛门外科炎症性肠病外科诊疗中心武汉武汉大学中南医院消化内科武汉

克罗恩病(CD)是一种发病机制尚不明确, 主要累及消化道的自身免疫性疾病。直肠肛周受累是CD的复杂表现形式。难治性直肠肛管型CD是导致患者直肠切除和永久性肛门失功能的主要原因。近期我们中心对拟接受直肠切除的两例复杂直肠会阴瘘、... 详细信息

克罗恩病(CD)是一种发病机制尚不明确, 主要累及消化道的自身免疫性疾病。直肠肛周受累是CD的复杂表现形式。难治性直肠肛管型CD是导致患者直肠切除和永久性肛门失功能的主要原因。近期我们中心对拟接受直肠切除的两例复杂直肠会阴瘘、直肠阴道瘘的CD患者实施了改良Bacon术。现将这两例病例资料进行总结报道。

关键词：克罗恩病改良Bacon术直肠阴道瘘直肠会阴瘘