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超薄锗片背面磨削技术的研究

电源技术 2008年第12期32卷 870-872页

作者：马玉通中国电子科技集团公司第四十六研究所天津300220

在推广表面磨削技术大量实践的基础上,对表面磨削工艺和双面研磨工艺进行了对比,通过实验的方法,对切割后的锗片表面用四种不同粒度的砂轮进行磨削,对磨削后晶片的厚度、TTV、Ra、损伤层进行了测试,结果表明,晶片的Ra、损伤层随着砂轮... 详细信息

在推广表面磨削技术大量实践的基础上,对表面磨削工艺和双面研磨工艺进行了对比,通过实验的方法,对切割后的锗片表面用四种不同粒度的砂轮进行磨削,对磨削后晶片的厚度、TTV、Ra、损伤层进行了测试,结果表明,晶片的Ra、损伤层随着砂轮粒度的降低而降低,使用1500#砂轮获得了较理想的表面粗糙度(0.10～0.15μm)。

关键词：锗片研磨磨削砂轮表面粗糙度

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InP晶体多线切割工艺研究

半导体技术 2012年第11期37卷 855-857页

作者：李保军林健马玉通中国电子科技集团公司第四十六研究所天津300220

磷化铟(InP)是重要的化合物半导体材料,在微波、毫米波器件以及抗辐照太阳电池等领域有着广泛的应用。由于InP材料的硬度较小,并且易于解理,因此InP材料的切割具有较大的技术难度。对InP晶体的多线切割工艺进行了研究,并重点分析了多线... 详细信息

磷化铟(InP)是重要的化合物半导体材料,在微波、毫米波器件以及抗辐照太阳电池等领域有着广泛的应用。由于InP材料的硬度较小,并且易于解理,因此InP材料的切割具有较大的技术难度。对InP晶体的多线切割工艺进行了研究,并重点分析了多线切割工艺中工艺参数设置(如切割速度、切割线张力等)对InP切割片几何参数的影响。实验结果表明,InP不但可以采用多线切割技术进行切割,而且通过调整切割工艺参数,如适当提高切割速度、增加切割线张力等可以获取几何参数精度较高的InP切割片。

关键词：磷化铟晶体多线切割几何参数切割速度线张力

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变速切割速度曲线对硅片翘曲度的影响

电子工业专用设备 2012年第3期41卷 41-44页

作者：马玉通中国电子科技集团公司第四十六研究所天津300220

根据线切割机的工作原理,综合考虑了砂浆中磨料在磨削过程中的变化以及单晶直径的变化,确定了变速切割的工艺方法,同时考虑到125 mm单晶直径大、SIC磨削路线长、磨削发热量大,制定了包括线速度、耗线量、砂浆温度、砂浆流量以及各部分... 详细信息

根据线切割机的工作原理,综合考虑了砂浆中磨料在磨削过程中的变化以及单晶直径的变化,确定了变速切割的工艺方法,同时考虑到125 mm单晶直径大、SIC磨削路线长、磨削发热量大,制定了包括线速度、耗线量、砂浆温度、砂浆流量以及各部分温度的工艺参数。通过该工艺参数进行了切割实验,验证了该工艺参数下切割的晶片可以满足要求。

关键词：线切割翘曲度切割速度

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线锯钢线断线续切技术研究

电子工业专用设备 2013年第11期42卷 8-11,65页

作者：马玉通杨士超中国电子科技集团公司第四十六研究所天津300220

根据切割线的特性,分析了在多线切割过程中钢丝断线的各种原因;在生产中,有效控制断线率可以对降本增收起到很大的作用。在大量实验的基础上,归纳总结出断线后续切技术,有效的保障了生产工作的顺利进行。

关键词：钢线断线线切割钢线破断力续切

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多线切割工艺中切割速度对晶片翘曲度的影响

电子工业专用设备 2011年第9期40卷 28-30页

作者：赵文华马玉通杨士超中国电子科技集团公司第四十六研究所天津300220

目前,半导体单晶材料的加工多采用多线切割机进行切割。切割工艺直接影响着切割过后晶片的参数。在这些参数中,翘曲度是鉴别晶片几何参数好坏的重要指标之一。影响翘曲度的因素很多,如切割速度、砂浆密度、晶片内部应力等,在切割工序中... 详细信息

目前,半导体单晶材料的加工多采用多线切割机进行切割。切割工艺直接影响着切割过后晶片的参数。在这些参数中,翘曲度是鉴别晶片几何参数好坏的重要指标之一。影响翘曲度的因素很多,如切割速度、砂浆密度、晶片内部应力等,在切割工序中,通过调整多线切割的工艺条件,来控制和改善晶片的翘曲度。

关键词：多线切割翘曲度切割速度

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温度对悬浮浆料黏度的影响

电子工业专用设备 2013年第8期42卷 13-15,39页

作者：李强马玉通杨士超中国电子科技集团公司第四十六研究所天津300220

多线切割在光伏以及半导体行业中有着广泛的应用,多线切割所用的悬浮浆料有着非常重要的作用,悬浮浆料由悬浮液和SIC切割微粉配制并长时间搅拌而成,性能优良的悬浮浆料兼有切削、黏滞、冷却3大功能,可以有效提高硅片质量,提高生产效率,... 详细信息

多线切割在光伏以及半导体行业中有着广泛的应用,多线切割所用的悬浮浆料有着非常重要的作用,悬浮浆料由悬浮液和SIC切割微粉配制并长时间搅拌而成,性能优良的悬浮浆料兼有切削、黏滞、冷却3大功能,可以有效提高硅片质量,提高生产效率,研究其特性对于科研生产意义重大,通过对悬浮液特性的研究,进而研究悬浮浆料对切割效果的影响,主要是温度对其的影响,说明在生产中,悬浮浆料要控制在适宜的黏度范围内,才能有效控制晶片质量。

关键词：多线切割悬浮浆料黏度

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线切割硅片表面探究

电子工业专用设备 2013年第10期42卷 6-8页

作者：栾国旗杨士超马玉通中国电子科技集团公司第四十六研究所天津300220

硅片的表面损伤层,关系到切割后破片率及面的形状等。通过对硅片表面分析,发现硅片表面呈蜂窝状,有大孔、小孔和微孔。硅片侧面边缘呈山峰山沟状,并伴随有裂纹,从外向里分为表面镶嵌层和缺陷应力层。通过对硅片表面损伤的形成机理研究,... 详细信息

硅片的表面损伤层,关系到切割后破片率及面的形状等。通过对硅片表面分析,发现硅片表面呈蜂窝状,有大孔、小孔和微孔。硅片侧面边缘呈山峰山沟状,并伴随有裂纹,从外向里分为表面镶嵌层和缺陷应力层。通过对硅片表面损伤的形成机理研究,发现通过以下调整可以减小表面损伤和提高表面质量:一是减小切割时的晶体所受到的垂直压力;二是调整碳化硅的直径分布系数,圆度系数,堆积密度。

关键词：损伤层硅片破片率 SIC砂

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锗单晶切割工艺研究

电子工业专用设备 2009年第8期38卷 20-22,45页

作者：冯涛李保军马玉通中国电子科技集团公司第四十六研究所天津300220

多线切割机是一种将晶棒切割成晶片的设备,近年来得到大规模使用,其切割原理为利用高速运动的切割钢线将砂浆带入切割区,砂浆中的坚硬颗粒(主要为SiC)与晶棒进行磨削,进而起到切割作用。根据锗材料的特殊性,通过改变工艺参数(主轴平均转... 详细信息

多线切割机是一种将晶棒切割成晶片的设备,近年来得到大规模使用,其切割原理为利用高速运动的切割钢线将砂浆带入切割区,砂浆中的坚硬颗粒(主要为SiC)与晶棒进行磨削,进而起到切割作用。根据锗材料的特殊性,通过改变工艺参数(主轴平均转速,砂浆流量,砂浆供给方式等)与硅材料成熟切割工艺进行对比实验,进而稳定锗材料的切割工艺。

关键词：多线切割锗单晶砂浆

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半导体材料晶片加工应力控制研究

天津科技 2009年第1期36卷 76-78页

作者：秦学敏吕菲马玉通靳彩明中国电子科技集团公司第四十六所天津300220

晶片在加工过程中要经过滚磨、切割、倒角等工序才能实现由单晶锭到单晶片的过程,并保持一定的直径和获得参考面。这一系列的机械加工过程中会对单晶造成不同程度的损伤,改变单晶内部应力。通过对单晶滚磨、切割、倒角等加工过程的研究... 详细信息

晶片在加工过程中要经过滚磨、切割、倒角等工序才能实现由单晶锭到单晶片的过程,并保持一定的直径和获得参考面。这一系列的机械加工过程中会对单晶造成不同程度的损伤,改变单晶内部应力。通过对单晶滚磨、切割、倒角等加工过程的研究,定性分析了单晶应力产生的原因,通过调整关键工艺参数,使晶片应力得到有效的控制。

关键词：半导体材料晶体缺陷密度应力